一种显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种显示基板及其制作方法、显示装置。所述显示基板包括与像素电极同层形成屏蔽图形，用于屏蔽信号线上的信号影响显示功能层的显示功能，省去了单独制作屏蔽图形的工艺，从而简化了制作工艺，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管因其具有体积小、功耗低、制造成本相对较低等优点，被广泛应用在平板显示
对于薄膜晶体管显示技术，通过栅线来控制打开薄膜晶体管，数据线上传输的信号通过薄膜晶体管传输至像素电极，形成驱动电场，驱动显示功能层实现显示。对于某些显示模式，例如：电子纸，由于栅线和数据线与电子墨的距离很近，会对电子纸的正常显示造成干扰。由于平坦层很厚，可以在栅线和数据线上增加平坦层，来增大电子墨水与栅线、数据线的距离，降低栅线和数据线上的信号对电子墨水支撑干扰。但是，由于需要增加平坦层的制作工艺，势必会工艺成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，用以解决如何在克服信号线上传输的电压影响正常显示的同时，不增加成本的问题。为解决上述技术问题，本专利技术实施例中提供一种显示基板，包括用于传输信号的信号线和用于显示的显示功能层，以及像素电极，所述显示基板还包括：与所述像素电极同层且绝缘设置的屏蔽图形，所述屏蔽图形位于所述信号线的靠近所述显示功能层的一侧，且所述信号线在所述显示基板所在平面上的正投影位于所述屏蔽图形在所述显示基板所在平面上的正投影内。本专利技术实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。本专利技术实施例中提供一种制作如上所述的显示基板的方法，包括：形成用于传输信号的信号线；形成用于显示的显示功能层；形成像素电极，所述像素电极用于形成驱动所述显示功能层实现显示的电场，所述制作方法还包括：形成屏蔽图形，并通过对同一导电薄膜进行构图工艺形成所述屏蔽图形和像素电极，所述屏蔽图形和像素电极绝缘设置，所述屏蔽图形位于所述信号线的靠近所述显示功能层的一侧，且所述信号线在所述显示基板所在平面上的正投影位于所述屏蔽图形在所述显示基板所在平面上的正投影内。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：上述技术方案中，与像素电极同层形成屏蔽图形，用于屏蔽信号线上的信号影响显示功能层的显示功能，省去了单独制作平坦层以及对平坦层进行构图的工艺，从而简化了制作工艺，降低了生产成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1表示本专利技术实施例中显示基板的结构示意图一；图2表示图1沿A-A的剖视图；图3表示本专利技术实施例中显示基板的结构示意图二；图4表示本专利技术实施例中显示基板的结构示意图三；图5表示本专利技术实施例中显示基板的结构示意图四；图6-图8表示本专利技术实施例中显示基板的制作过程示意图；图9表示本专利技术实施例中显示装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。本专利技术实施例中提供一种显示基板，包括用于传输信号的信号线和用于显示的显示功能层，以及像素电极，所述像素电极用于形成驱动所述显示功能层实现显示的电场。所述显示基板还包括与所述像素电极同层且绝缘设置的屏蔽图形，所述屏蔽图形位于所述信号线的靠近所述显示功能层的一侧，且所述信号线在所述显示基板所在平面上的正投影位于所述第一屏蔽图形在所述显示基板所在平面上的正投影内，所述屏蔽图形用于屏蔽所述信号线传输的信号影响所述显示功能层的显示功能。上述技术方案中，与像素电极同层形成屏蔽图形，用于屏蔽信号线上的信号影响显示功能层的显示功能，省去了单独制作平坦层以及对平坦层进行构图的工艺，从而简化了制作工艺，降低了生产成本。需要说明的是，本专利技术中某一结构在所述显示基板所在平面上的正投影位于另一结构在所述显示基板所在平面上的正投影内包括：某一结构在所述显示基板所在平面上的正投影面积小于或等于另一结构在所述显示基板所在平面上的正投影面积。本专利技术的技术方案适用于各种类型的显示基板，例如：液晶显示基板、OLED显示基板、电子纸显示基板，对应的，所述显示功能层为液晶、OLED的发光层、电子墨水。薄膜晶体管因其具有体积小、功耗低、制造成本相对较低等优点，被广泛应用在平板显示
当所述显示基板以薄膜晶体管来控制实现显示时，具体通过薄膜晶体管来控制每一像素区域的显示。即，所述显示基板的每一像素区域包括薄膜晶体管。所述显示基板还包括多条栅线和多条数据线，用于限定多个像素区域。其中，薄膜晶体管的栅电极与栅线10电性连接，源电极与数据线20电性连接，漏电极与像素电极2电性连接，通过栅扫描信号逐行打开每行像素区域的薄膜晶体管，数据线20传输的像素电压通过薄膜晶体管传输至像素电极2，形成驱动电场，参见图1-图5所示。为了屏蔽栅线上传输的信号影响所述显示功能层的显示功能，如图3所示，设置所述屏蔽图形包括第一屏蔽图形21，栅线10在所述显示基板所在平面上的正投影位于第一屏蔽图形21在所述显示基板所在平面上的正投影内，第一屏蔽图形21能够屏蔽栅线10传输的信号影响所述显示功能层的显示功能。具体可以设置第一屏蔽图形21与像素电极2之间间隔一定距离，来实现绝缘，第一屏蔽图形21与一输出电压可调的电源连接，起到屏蔽作用。对于电子纸显示基板，通过调整第一屏蔽图形21上施加的电压，可以控制位于第一屏蔽图形21上的电子墨水也进行显示，如：显示黑色或白色。当然，也可以在第一屏蔽图形21上施加固定电压，或将第一屏蔽图形21接地，同样能够起到屏蔽作用。为了屏蔽数据线上传输的信号，如图4所示，设置所述屏蔽图形包括第二屏蔽图形22，数据线20在所述显示基板所在平面上的正投影位于第二屏蔽图形22在所述显示基板所在平面上的正投影内，第二屏蔽图形22能够屏蔽数据线20传输的信号影响所述显示功能层的显示功能。具体可以设置第二屏蔽图形22与像素电极2之间间隔一定距离，来实现绝缘，第二屏蔽图形22与一输出电压可调的电源连接，起到屏蔽作用。对于电子纸显示基板，通过调整第二屏蔽图形22上施加的电压，可以控制位于第二屏蔽图形22上的电子墨水也进行显示，如：显示黑色或白色。当然，也可以在第二屏蔽图形22上施加固定电压，或将第二屏蔽图形22接地，同样能够起到屏蔽作用。在一个优选的实施方式中，参见图1所示，设置所述屏蔽图形包括上述的第一屏蔽图形21和第二屏蔽图形22，以同时屏蔽栅线10和数据线20上传输的信号影响所述显示功能层的显示功能。进一步地，可以设置第一屏蔽图形21和第二屏蔽图形22为一体结构，具体可以设置第一屏蔽图形21和第二屏蔽图形22与像素电极2之间间隔一定距离，来实现绝缘。为了改善薄膜晶体管的关态漏电流，如图5所示，可以设置所述屏蔽图形还包括第三屏蔽图形23，第三屏蔽图形23位于薄膜晶体管的有源层(包括图中第一有源层14和第二有源层13)的靠近所述显示功能层的一侧，且有源层的沟道区在所述显示基板所在平面上的正投影位于第三屏蔽图形23在所述显示基板所在平面上的正投影内，第三屏蔽图形23用于屏蔽有源层的沟道区。其中，薄膜晶体管的有源层与源电极和漏电极电性接触，有源层的对应源电极和漏电极之间间隙的部分为沟道区。具体可以设置第三屏蔽图形23与像素电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，包括用于传输信号的信号线和用于显示的显示功能层，以及像素电极，其特征在于，所述显示基板还包括：与所述像素电极同层且绝缘设置的屏蔽图形，所述屏蔽图形位于所述信号线的靠近所述显示功能层的一侧，且所述信号线在所述显示基板所在平面上的正投影位于所述屏蔽图形在所述显示基板所在平面上的正投影内。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括用于传输信号的信号线和用于显示的显示功能层，以及像素电极，其特征在于，所述显示基板还包括：与所述像素电极同层且绝缘设置的屏蔽图形，所述屏蔽图形位于所述信号线的靠近所述显示功能层的一侧，且所述信号线在所述显示基板所在平面上的正投影位于所述屏蔽图形在所述显示基板所在平面上的正投影内。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括多个像素区域，每一像素区域包括薄膜晶体管，所述信号线包括用于向所述薄膜晶体管的栅电极传输信号的栅线；所述屏蔽图形包括第一屏蔽图形，所述栅线在所述显示基板所在平面上的正投影位于所述第一屏蔽图形在所述显示基板所在平面上的正投影内。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述信号线还包括用于向所述薄膜晶体管的源电极传输信号的数据线；所述屏蔽图形还包括第二屏蔽图形，所述数据线在所述显示基板所在平面上的正投影位于所述第二屏蔽图形在所述显示基板所在平面上的正投影内。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层与源电极和漏电极电性接触，所述有源层包括对应源电极和漏电极之间间隙的沟道区；所述屏蔽图形还包括第三屏蔽图形，所述第三屏蔽图形位于所述沟道区的靠近所述显示功能层的一侧，且所述沟道区在所述显示基板所在平面上的正投影位于所述第三屏蔽图形在所述显示基板所在平面上的正投影内。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一屏蔽图形、第二屏蔽图形和第三屏蔽图形与所述像素电极之间间隔一定距离，实现绝缘。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一屏蔽图形、第二屏蔽图形和第三屏蔽图形为一体结构。7.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的源电极和第二薄膜晶体管的漏电极为一体结构；所述栅线与所述第一薄膜晶体管的栅电极和第二薄膜晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡理科，何小祥，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11