场效应晶体管三相桥模块制造技术

技术编号:14473101 阅读:204 留言:0更新日期:2017-01-21 12:51
本实用新型专利技术属于电力电子元器件,特别涉及一种场效应晶体管三相桥模块,金属陶瓷外壳(1)内腔底部真空焊接装有氮化铝陶瓷基片(2),氮化铝陶瓷基片(2)上面真空焊接装有多个场效应晶体管芯片(3),场效应晶体管芯片(3)与氮化铝陶瓷基片(2)之间、氮化铝陶瓷基片(2)与控制电极c6)之间、氮化铝陶瓷基片(2)与主电极(4)之间均用铝丝(5)连接,主电极(4)表面镀有镀金保护层(10),金属陶瓷外壳(1)与主电极(4)之间装有陶瓷绝缘环(9),金属陶瓷外壳(1)内腔用硅凝胶(7)灌封,金属陶瓷外壳(1)上端面与壳盖(8)之间焊接连接,场效应晶体管三相桥模块结构简单,体积小,散热好,耐三防,模块封装 氮气保护,有效提高产品的可靠性,该模块使用寿命可以大大延长。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电力电子元器件,特别涉及一种场效应晶体管三相桥模块。
技术介绍
现有的场效应晶体管模块采用的是塑料块外壳,塑料外壳内部用环氧树脂灌封,塑料外壳本身耐温差,模块内部为了隔离芯片和外界空气用环氧树脂灌封,这样导致模块散热差,使用过程中芯片结温上升,芯片不能长期可靠使用,模块气密性不好,导致芯片氧化,模块寿命不长。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述技术不足,提供一种体积小,散热好,可以延长使用寿命的场效应晶体管三相桥模块。本技术解决技术问题采用的技术方案是:场效应晶体管三相桥模块包括场效应晶体管芯片、硅凝胶、氮化铝陶瓷基片、主电极、控制电极,其特点是金属陶瓷外壳内腔底部真空焊接装有氮化铝陶瓷基片,氮化铝陶瓷基片上面真空焊接装有多个场效应晶体管芯片,场效应晶体管芯片与氮化铝陶瓷基片之间、氮化铝陶瓷基片与控制电极之间、氮化铝陶瓷基片与主电极之间均用铝丝连接,主电极表面镀有镀金保护层,金属陶瓷外壳与主电极之间装有陶瓷绝缘环,金属陶瓷外壳内腔用硅凝胶灌封,金属陶瓷外壳上端面与壳盖之间焊接连接。本技术的有益效果是:场效应晶体管三相桥模块结构简单,体积小,散热好,耐三防,模块封装氮气保护,有效提高产品的可靠性,该模块使用寿命可以大大延长。附图说明以下结合附图以实施例具体说明。图1是场效应晶体管三相桥模块结构图。图2是图1的A-A剖视图。图中,1-金属陶瓷外壳;2-氮化铝陶瓷基片;3-场效应晶体管芯片;4-主电极;5-铝丝;6-控制电极;7-硅凝胶;8-壳盖;9-陶瓷绝缘环;10-镀金保护层。具体实施方式实施例,参照附图1,场效应晶体管三相桥模块的金属陶瓷外壳1内腔底部真空焊接装有氮化铝陶瓷基片2,氮化铝陶瓷基片2上面真空焊接装有多个场效应晶体管芯片3。场效应晶体管芯片3与氮化铝陶瓷基片2之间、氮化铝陶瓷基片2与控制电极6之间,氮化铝陶瓷基片2与主电极4之间均用铝丝5连接,主电极4表面镀有镀金保护层10。金属陶瓷外壳1与主电极4之间装有陶瓷绝缘环9,金属陶瓷外壳1内腔用硅凝胶7灌封,金属陶瓷外壳1上端面与壳盖8之间焊接连接。场效应晶体管三相桥模块的使用方法是:场效应晶体管三相桥模块广泛应用于开关电源、直流同步电机拖动、电机变频控制等诸多领域,使用时,主电极4连接主电路,控制电极6连接控制电路,将直流电源逆变成三相交流电,起到电压变换作用。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管三相桥模块,包括场效应晶体管芯片(3)、硅凝胶(7)、氮化铝陶瓷基片(2)、主电极(4)、控制电极(6),其特征在于金属陶瓷外壳(1)内腔底部真空焊接装有氮化铝陶瓷基片(2),氮化铝陶瓷基片(2)上面真空焊接装有多个场效应晶体管芯片(3),场效应晶体管芯片(3)与氮化铝陶瓷基片(2)之间、氮化铝陶瓷基片(2)与控制电极(6)之间、氮化铝陶瓷基片(2)与主电极(4)之间均用铝丝(5)连接,主电极(4)表面镀有镀金保护层(10),金属陶瓷外壳(1)与主电极(4)之间装有陶瓷绝缘环(9),金属陶瓷外壳(1)内腔用硅凝胶(7)灌封,金属陶瓷外壳(1)上端面与壳盖(8)之间焊接连接。

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管三相桥模块,包括场效应晶体管芯片(3)、硅凝胶(7)、氮化铝陶瓷基片(2)、主电极(4)、控制电极(6),其特征在于金属陶瓷外壳(1)内腔底部真空焊接装有氮化铝陶瓷基片(2),氮化铝陶瓷基片(2)上面真空焊接装有多个场效应晶体管芯片(3),场效应晶体管芯片(3)与氮化铝陶瓷基片(...

【专利技术属性】
技术研发人员:董双福白添淇刘继红闫俊华李宫怀吴红郭志勇
申请(专利权)人:阜新市天琪电子有限责任公司
类型:新型
国别省市:辽宁;21

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