具移相作用及面状辐射场型的碟型天线制造技术

技术编号:14466706 阅读:84 留言:0更新日期:2017-01-20 18:57
本实用新型专利技术公开了一种具移相作用及面状辐射场型的碟型天线,包括:一碟型反射板,其反射面之一抛物面对称轴路径上具一讯号聚焦区域范围;至少一天线馈源,设于反射面前侧;一支撑架用以将天线馈源架设定位;且天线馈源与反射面之间的相对配置关系,须使天线馈源相对于讯号聚焦区域范围呈立向偏移关系,令碟型天线之等相位面与抛物面对称轴呈现角度倾斜偏移状态,以改变碟型天线之等相位面及辐射场状态;且该反射面呈弧弯板面形态而具第一及第二轴向延伸面,又该二轴向延伸面任至少一者的辐射半功率角介于10°至95°之间,以获得面状辐射场型效果。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种碟型天线;特别是指一种具移相作用的碟型天线。
技术介绍
本技术主要针对碟型天线结构之问题加以探讨;碟型天线通常应用于点对点之卫星通讯形态(如卫星电视等),因其信号来自大气层外的人造卫星,信号能量射回地球后由于距离遥远,信号能量不断衰减损耗,到地面时已相当微弱,为了能清晰接收微弱信号,碟型天线结构设计上能够利用其类似碗状的聚焦形态将微弱信号聚集,此为其特色及优点。碟型天线实际运作上如图13所示,其中天线馈源05与碟盘06之间为固定相对间隔配置关系(注:其天线馈源05通常位于碟盘06的中央垂直角度对应处),碟盘06设成抛物面状碟型,所构成之辐射场型为束状波,仅适合作为点对点之应用,且其讯号波传递时所形成的等相位面L7为固定状态,其应用状态颇受局限,且由于典型碟型反射板所构成之辐射半功率角通常小于6°,因此其应用范围颇受局限,实属可惜,亦为其缺憾之处。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种具移相作用及面状辐射场型的碟型天线,其所欲解决之技术问题,针对如何研发出一种能再增进碟型天线功能性与实用性,以期令碟型天线的辐射场涵盖范围能指向设定区域,使碟型天线应用面更加广泛多元且令碟型反射板获得面状辐射场型效果,更具理想实用性之新式碟型天线结构为目标加以思索创新突破。为达到上述目的,本技术采用以下技术方案:一种具移相作用及面状辐射场型的碟型天线包括:一碟型反射板,设有一反射面,该反射面之一抛物面对称轴路径上具一讯号聚焦区域范围;至少一天线馈源,设置于该碟型反射板的反射面前侧位置处,该天线馈源通过该反射面的反射收发讯号;一支撑架,用以将该天线馈源架设定位;且其中,该天线馈源与该碟型反射板所设反射面之间的相对配置关系,须使该天线馈源相对于该讯号聚焦区域范围呈立向偏移关系,所述立向偏移关系,须使该天线馈源相对于该抛物面对称轴具有一立向偏移向量,令碟型天线之讯号波传递时所形成的等相位面与抛物面对称轴呈现角度倾斜偏移状态;且该反射面呈弧弯板面形态而具一第一轴向延伸面及一第二轴向延伸面;又反射面之第一轴向延伸面及第二轴向延伸面构成的弧弯板面形态,令碟型反射板的第一轴向延伸面、第二轴向延伸面任至少一者的辐射半功率角介于10°至95°之间,以获得面状辐射场型效果。本技术之主要效果与优点,能够令碟型天线的天线馈源相对于讯号聚焦区域范围的位置呈立向偏移关系,以改变碟型天线之等相位面及辐射场状态,并且令碟型反射板获得面状辐射场型效果,从而达到增进碟型天线功能以满足更多元使用需求、应用面更加广泛等实用进步性。附图说明图1为本技术碟型天线较佳实施例之立体图。图2为本技术碟型天线之平面侧视图及其立向位移调整定位部之调整状态示意图。图3为本技术之天线馈源进行Y轴横向位移调整状态示意图。图4为本技术碟型反射板较佳实施例之侧视及其第一轴向延伸面辐射场型状态示意图。图5为本技术碟型反射板较佳实施例之俯视及其第二轴向延伸面辐射场型状态示意图。图6为本技术之X轴横向位移调整定位部之调整状态示意图。图7为本技术之馈入源入射角度调整部可供摆动调整天线馈源角度之实施例图。图8为本技术之立向位移调整定位部调整之等相位面状态示意图一。图9为本技术之立向位移调整定位部调整之等相位面状态示意图二。图10为本技术之碟型反射板设置形态另一实施例图。图11为本技术之支撑架设置形态另一实施例图。图12为本技术碟型反射板轮廓形态另一实施例图。图13为现有碟型天线之结构及等相位面状态示意图。具体实施方式如图1至5所示,本技术具移相作用及面状辐射场型的碟型天线A包括下述构成:一碟型(dish)反射板10,如图2所示,设有一反射面11,该反射面11之一抛物面对称轴12(thesymmetryaxisofParabola)路径上具有一讯号聚焦区域范围32(如图8、9所示);至少一天线馈源20(本例为单一个实施形态),设置于该碟型反射板10的反射面11前侧位置处,该天线馈源20利用该反射面11的反射收发讯号;一支撑架30,用以将该天线馈源20架设定位;且其中,该天线馈源20与碟型反射板10所设反射面11之间的相对配置关系,须使该天线馈源20相对于该讯号聚焦区域范围32呈立向偏移关系(如图9所示),所述立向偏移关系,须使该天线馈源20相对于该抛物面对称轴12具有一立向偏移向量,令碟型天线A之讯号波50传递时所形成的等相位面与抛物面对称轴12呈现角度倾斜偏移状态;且其中如图1所示,该反射面11呈一弧弯板面形态而具有一第一轴向延伸面111以及一第二轴向延伸面112;又该第一轴向延伸面111及第二轴向延伸面112所构成的弧弯板面形态,令该第一轴向延伸面111、第二轴向延伸面112任至少一者的辐射半功率角θ(HalfPowerBeamWidth,简称HPBW)介于10°至95°之间,藉以获得面状辐射场型效果。针对前段所述“辐射半功率角θ”,其通过一天线馈源20(如图1所示)对该碟型反射板10的反射面11馈入一辐射波,复经由该反射面11产生一反射波所构成之辐射场型,而所述辐射半功率角θ即是针对该辐射场型的具体界定,此部份在此予以说明。前述辐射半功率角θ,也称半功率波束宽度,其具体意义指在功率方向图中,该碟型反射板10的设定辐射场最大增益值的波峰至该波峰两侧向-3dB范围内所形成的扇状辐射夹角。其中该反射面11之第一轴向延伸面111构成一立向弯曲幅度,该第二轴向延伸面112的断面亦呈弯曲面形状而构成一横向弯曲幅度,且该第二轴向延伸面112形成之辐射半功率角θ〞(如图5所示),为该第一轴向延伸面111形成之辐射半功率角θ(如图4所示)的大于1倍至5倍之间。又或者,该第二轴向延伸面112形成之辐射半功率角θ〞,为该第一轴向延伸面111形成之辐射半功率角θ的大于1倍至5倍之间,且该第二轴向延伸面112形成之辐射半功率角θ〞不超过95°。本技术中的碟型反射板10实际运作时的讯号发射状态如图4、5所示,因为该碟型反射板10的第一轴向延伸面111、第二轴向延伸面112任至少一者的辐射半功率角θ(或θ〞)介于10°至95°之间,藉此使得碟型反射板10之反射面11能够获得面状之辐射场型效果(注:现有碟型反射板的辐射场状态为束状发射形式,辐射半功率角通常小于6°,如图4中的θ2所标示者),本技术碟型反射板10藉此技术特征,可增进扩展碟型天线A之功能以满足更多元使用需求、使其应用面更加广泛,例如可让碟型反射板10的辐射场涵盖范围扩增呈面状区域等等,达到现有技术所无法实现的功效。如图1、2所示,其中该支撑架30可设有一立向位移调整定位部40,用以调整改变天线馈源20的立向位置,使该天线馈源20与所述讯号聚焦区域范围32呈立向偏移关系(如图8、9所示),得令碟型天线A之讯号波50传递时所形成的等相位面改变,以达到移相调整碟型天线A辐射场状态之作用;此部份可参照图2所示,即为可透过该立向位移调整定位部40对天线馈源20进行立向维度位移调整(如图中之箭号L1所示)之状态示意。因为该天线馈源20的立向维度位移调整动作相对于碟型反射板10而言,能够让其讯号波50传递时所形成的等相位面产生改变,此部份可参图8、9,假设当该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具移相作用及面状辐射场型的碟型天线,其特征在于包括:一碟型反射板,设有一反射面,该反射面之一抛物面对称轴路径上具有一讯号聚焦区域范围;至少一天线馈源,设置于该碟型反射板的反射面前侧位置处;一支撑架,用以将该天线馈源架设定位;其中,该天线馈源与碟型反射板所设反射面之间的相对配置关系,为该天线馈源相对于讯号聚焦区域范围呈立向偏移关系;所述立向偏移关系,为该天线馈源相对于抛物面对称轴具有一立向偏移向量,令碟型天线之讯号波传递时所形成的等相位面与抛物面对称轴呈现偏移状态;且其中,该反射面呈一弧弯板面形态而具有一第一轴向延伸面以及一第二轴向延伸面;又该第一轴向延伸面及第二轴向延伸面所构成的弧弯板面形态,碟型反射板的第一轴向延伸面、第二轴向延伸面任至少一者的辐射半功率角介于10°至95°之间。

【技术特征摘要】
1.一种具移相作用及面状辐射场型的碟型天线,其特征在于包括:一碟型反射板,设有一反射面,该反射面之一抛物面对称轴路径上具有一讯号聚焦区域范围;至少一天线馈源,设置于该碟型反射板的反射面前侧位置处;一支撑架,用以将该天线馈源架设定位;其中,该天线馈源与碟型反射板所设反射面之间的相对配置关系,为该天线馈源相对于讯号聚焦区域范围呈立向偏移关系;所述立向偏移关系,为该天线馈源相对于抛物面对称轴具有一立向偏移向量,令碟型天线之讯号波传递时所形成的等相位面与抛物面对称轴呈现偏移状态;且其中,该反射面呈一弧弯板面形态而具有一第一轴向延伸面以及一第二轴向延伸面;又该第一轴向延伸面及第二轴向延伸面所构成的弧弯板面形态,碟型反射板的第一轴向延伸面、第二轴向延伸面任至少一者的辐射半功率角介于10°至95°之间。2.根据权利要求1所述之具移相作用及面状辐射场型的碟型天线,其特征在于该反射面之第一轴向延伸面构成一立向弯曲幅度,而该第二轴向延伸面的断面亦呈弯曲面形状而构成一横向弯曲幅度,且该第二轴向延伸面形成之辐射半功率角,为该第一轴向延伸面形成之辐射半功率角的大于1倍至5倍之间。3.根据权利要求2所述之具移相作用及面状辐射场型的碟型...

【专利技术属性】
技术研发人员:周锡增郭李瑞周圣儒
申请(专利权)人:哗裕实业股份有限公司
类型:新型
国别省市:中国台湾;71

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