具有良好散热结构的LED芯片及其封装方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED芯片领域，具体涉及一种具有良好散热结构的LED芯片。
技术介绍
参照图1，现有的LED芯片一般由衬底1、外延层2、N型层3、发光层4和P型层5组成，N型层3上设置有N电极6，P型层5上设置有P电极7，LED芯片外设置有绝缘层8，绝缘层8对应N电极6和P电极7开设有电极导孔9。由于绝缘层8具有绝热的功效，LED芯片只能通过电极导孔进行散热，但现有的LED芯片的电极导孔都开设在上表面，电极导孔的面积小，影响LED芯片的散热。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种具有良好散热结构的LED芯片。本专利技术所采用的技术方案是：一种具有良好散热结构的LED芯片，所述LED芯片包括衬底，所述衬底上依次生成有外延层、N型层、发光层、P型层，所述N型层和P型层上分别设置有电极，所述N型层的N电极设置在LED芯片侧壁，所述P型层的P电极覆盖P型层整个上表面。进一步，所述LED芯片外设置有绝缘层，绝缘层对应N电极和P电极开设有电极导孔。一种用于封装上述LED芯片的封装方法，包括以下步骤：S1、准备基板，基板上设置有至少两个电路层；S2、将LED芯片的P电极与其中一个电路层相对安装，P电极与电路层之间涂覆有各向异性导电胶；S3、LED芯片侧壁的N电极采用锡膏封装，N电极通过锡膏与另一电路层相连。进一步，上述步骤S3中，还可采用银胶代替锡膏作为封装材料。本专利技术的有益效果是：与现有的LED芯片相比，本专利技术提供的LED芯片将N电极设置在LED芯片侧壁，使得P电极可覆盖P型层整个上表面，绝缘层针对P电极整体开孔，电极导孔的面积大，散热...
【技术保护点】
具有良好散热结构的LED芯片，所述LED芯片包括衬底（1），所述衬底（1）上依次生成有外延层（2）、N型层（3）、发光层（4）、P型层（5），所述N型层（3）和P型层（5）上分别设置有电极，其特征在于：所述N型层（3）的N电极（6）设置在LED芯片侧壁，所述P型层（5）的P电极（7）覆盖P型层（5）整个上表面。
【技术特征摘要】
1.具有良好散热结构的LED芯片，所述LED芯片包括衬底（1），所述衬底（1）上依次生成有外延层（2）、N型层（3）、发光层（4）、P型层（5），所述N型层（3）和P型层（5）上分别设置有电极，其特征在于：所述N型层（3）的N电极（6）设置在LED芯片侧壁，所述P型层（5）的P电极（7）覆盖P型层（5）整个上表面。2.根据权利要求1所述的具有良好散热结构的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片外设置有绝缘层（8），所述绝缘层（8）对应N电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，李玉珠，易翰祥，
申请(专利权)人：广东德力光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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