一种传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种传感器，该传感器穿戴身上时，由于温度不同，使得传感器的电阻RH阻值也不同，这个电阻成为NPN型晶体管VT的基极偏流电阻。偏流电阻的不同，使基级的电流也不同，从而改变了NPN型晶体管VT 的集电极电流，也就改变了NPN型晶体管VT发射极电流，发射极的电流流经 电阻R2，在电阻R2上将发射极电流转换成电压，并将该电压送到运算放大器A1的同相输入端，经运算放大器A1放大后输出，并由稳压二极管VD3控制输出稳定电压，以达到传感器能够持续感应人体温度的效果，增强传感器的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子领域，具体的说是涉及一种传感器。
技术介绍
现有技术中，传感器的运用越来越广泛。小孩由于调理不适，会经常发烧，发烧后父母一般是用观察的手段来发现小孩是不是发烧，然后再用体温计测量，这时候，小孩发烧已经处于一个时段，父母不能第一时间发现。因此，需要研发一种精密传感器来提醒父母，而传统的传感器由于电压的不稳定导致电流的不稳定，从而会导致传感的效果不是很好，进而温度感应达不到很灵敏的程度，需要改进。
技术实现思路
针对现有技术中的不足，本技术要解决的技术问题在于提供了一种传感器。为解决上述技术问题，本技术通过以下方案来实现：一种传感器，该传感器包括检测电路、信号放大电路和稳压电源电路；所述检测电路由电阻RH、NPN型晶体管VT、电阻R1、电阻R2组成，所述电阻RH的两端分别连接NPN型晶体管VT的基极和集电极，所述NPN型晶体管VT的集电极连接电阻R1，其发射极连接电阻R2，电阻R2的另一端接地；所述信号放大电路由运算放大器A1、电阻RP1、电阻RP2、电阻R3、电阻R4、电阻R6、电阻R5、电阻R8、稳压二极管VD3组成，所述运算放大器A1的的正极输入端连接电阻R5、电阻R8，其负极输入端连接电阻R6、电阻RP2，其腰部的电源正极端连接电阻R7、电阻R11，电阻R5的另一端连接电阻R2、NPN型晶体管VT的发射极，所述电阻R8的另一端接地，所述电阻R6的另一端连接电阻RP1的滑动引脚上，所述电阻RP1为电位器，其两端的引脚分别连接电阻R4、电阻R3，所述电阻电阻RP2为可调电阻，其可调端连接稳压二极管VD3；所述稳压电源电路由晶闸管VD1、晶闸管VD2、电阻R7、电阻R9、电阻R10、电阻R11组成，所述晶闸管VD1的阴极连接电阻R7、电阻R3、电阻R1，其阳极接地，所述电阻R7另一端连接电阻R11、电阻R9、晶闸管VD2的阴极，所述晶闸管VD2的阳极接地，其G极连接电阻R9的另一端及连接电阻R10，所述电阻R10的另一端连接晶闸管VD2的阳极，所述晶闸管VD2的阴极还连接电阻R9、电阻R11、运算放大器A1腰部的电源正极端。进一步的，所述稳压电源电路提供的稳压电源为2.5V。进一步的，所述电阻RH为硅电阻。进一步的，所述晶闸管VD1、晶闸管VD2为TL431晶闸管，其动态阻抗为0.2Ω。进一步的，上述电阻的阻值大小分别是：电阻R1：0.1KΩ，电阻R2：1KΩ，电阻R3：0.1KΩ，电阻R4：1KΩ，电阻R5：1KΩ，电阻R6：1KΩ，电阻R7：1KΩ，电阻R8：100KΩ，电阻R9：1.4KΩ，电阻R10：1KΩ，电阻R11：1KΩ。进一步的，所述电阻RP1的最大阻值为500KΩ，所述电阻RP2的最大阻值为100KΩ。进一步的，所述运算放大器A1为LM358运算放大器。相对于现有技术，本技术的有益效果是：当本技术传感器穿戴身上时，由于温度不同，使得传感器的电阻RH阻值也不同，这个电阻成为NPN型晶体管VT的基极偏流电阻。偏流电阻的不同，使基级的电流也不同，从而改变了NPN型晶体管VT的集电极电流，也就改变了NPN型晶体管VT发射极电流，发射极的电流流经电阻R2，在电阻R2上将发射极电流转换成电压，并将该电压送到运算放大器A1的同相输入端，经运算放大器A1放大后输出，并由稳压二极管VD3控制输出稳定电压，以达到传感器能够持续感应人体温度的效果，增强传感器的灵敏度。附图说明图1为本技术感知系统传感器图。具体实施方式下面结合附图对本技术的优选实施例进行详细阐述，以使本技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。请参照附图1，本技术的一种传感器，该传感器包括检测电路、信号放大电路和稳压电源电路；所述检测电路由电阻RH、NPN型晶体管VT、电阻R1、电阻R2组成，所述电阻RH的两端分别连接NPN型晶体管VT的基极和集电极，所述NPN型晶体管VT的集电极连接电阻R1，其发射极连接电阻R2，电阻R2的另一端接地；所述信号放大电路由运算放大器A1、电阻RP1、电阻RP2、电阻R3、电阻R4、电阻R6、电阻R5、电阻R8、稳压二极管VD3组成，所述运算放大器A1的的正极输入端连接电阻R5、电阻R8，其负极输入端连接电阻R6、电阻RP2，其腰部的电源正极端连接电阻R7、电阻R11，电阻R5的另一端连接电阻R2、NPN型晶体管VT的发射极，所述电阻R8的另一端接地，所述电阻R6的另一端连接电阻RP1的滑动引脚上，所述电阻RP1为电位器，其两端的引脚分别连接电阻R4、电阻R3，所述电阻电阻RP2为可调电阻，其可调端连接稳压二极管VD3；所述稳压电源电路由晶闸管VD1、晶闸管VD2、电阻R7、电阻R9、电阻R10、电阻R11组成，所述晶闸管VD1的阴极连接电阻R7、电阻R3、电阻R1，其阳极接地，所述电阻R7另一端连接电阻R11、电阻R9、晶闸管VD2的阴极，所述晶闸管VD2的阳极接地，其G极连接电阻R9的另一端及连接电阻R10，所述电阻R10的另一端连接晶闸管VD2的阳极，所述晶闸管VD2的阴极还连接电阻R9、电阻R11、运算放大器A1腰部的电源正极端。所述稳压电源电路提供的稳压电源为2.5V，所述电阻RH为硅电阻，所述晶闸管VD1、晶闸管VD2为TL431晶闸管，其动态阻抗为0.2Ω。当本技术传感器穿戴身上时，由于温度不同，使得传感器的电阻RH阻值也不同，这个电阻成为NPN型晶体管VT的基极偏流电阻。偏流电阻的不同，使基级的电流也不同，从而改变了NPN型晶体管VT的集电极电流，也就改变了NPN型晶体管VT发射极电流，发射极的电流流经电阻R2，在电阻R2上将发射极电流转换成电压，并将该电压送到运算放大器A1的同相输入端，经运算放大器A1放大后输出，并由稳压二极管VD3控制输出稳定电压，以达到传感器能够持续感应人体温度的效果，增强传感器的灵敏度。上述电阻的阻值大小分别是：电阻R1：0.1KΩ，电阻R2：1KΩ，电阻R3：0.1KΩ，电阻R4：1KΩ，电阻R5：1KΩ，电阻R6：1KΩ，电阻R7：1KΩ，电阻R8：100KΩ，电阻R9：1.4KΩ，电阻R10：1KΩ，电阻R11：1KΩ。所述电阻RP1的最大阻值为500KΩ，所述电阻RP2的最大阻值为100KΩ，所述运算放大器A1为LM358运算放大器。以上所述仅为本技术的优选实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种传感器，其特征在于：该传感器包括检测电路、信号放大电路和稳压电源电路；所述检测电路由电阻RH、NPN型晶体管VT、电阻R1、电阻R2组成，所述电阻RH的两端分别连接NPN型晶体管VT的基极和集电极，所述NPN型晶体管VT的集电极连接电阻R1，其发射极连接电阻R2，电阻R2的另一端接地；所述信号放大电路由运算放大器A1、电阻RP1、电阻RP2、电阻R3、电阻R4、电阻R6、电阻R5、电阻R8、稳压二极管VD3组成，所述运算放大器A1的正极输入端连接电阻R5、电阻R8，其负极输入端连接电阻R6、电阻RP2，其腰部的电源正极端连接电阻R7、电阻R11，电阻R5的另一端连接电阻R2、NPN型晶体管VT的发射极，所述电阻R8的另一端接地，所述电阻R6的另一端连接电阻RP1的滑动引脚上，所述电阻RP1为电位器，其两端的引脚分别连接电阻R4、电阻R3，所述电阻电阻RP2为可调电阻，其可调端连接稳压二极管VD3；所述稳压电源电路由晶闸管VD1、晶闸管VD2、电阻R7、电阻R9、电阻R10、电阻R11组成，所述晶闸管VD1的阴极连接电阻R7、电阻R3、电阻R1，其阳极接地，所述电阻R7另一端连接电阻R11、电阻R9、晶闸管VD2的阴极，所述晶闸管VD2的阳极接地，其G极连接电阻R9的另一端及连接电阻R10，所述电阻R10的另一端连接晶闸管VD2的阳极，所述晶闸管VD2的阴极还连接电阻R9、电阻R11、运算放大器A1腰部的电源正极端。...

【技术特征摘要】
1.一种传感器，其特征在于：该传感器包括检测电路、信号放大电路和稳压电源电路；所述检测电路由电阻RH、NPN型晶体管VT、电阻R1、电阻R2组成，所述电阻RH的两端分别连接NPN型晶体管VT的基极和集电极，所述NPN型晶体管VT的集电极连接电阻R1，其发射极连接电阻R2，电阻R2的另一端接地；所述信号放大电路由运算放大器A1、电阻RP1、电阻RP2、电阻R3、电阻R4、电阻R6、电阻R5、电阻R8、稳压二极管VD3组成，所述运算放大器A1的正极输入端连接电阻R5、电阻R8，其负极输入端连接电阻R6、电阻RP2，其腰部的电源正极端连接电阻R7、电阻R11，电阻R5的另一端连接电阻R2、NPN型晶体管VT的发射极，所述电阻R8的另一端接地，所述电阻R6的另一端连接电阻RP1的滑动引脚上，所述电阻RP1为电位器，其两端的引脚分别连接电阻R4、电阻R3，所述电阻电阻RP2为可调电阻，其可调端连接稳压二极管VD3；所述稳压电源电路由晶闸管VD1、晶闸管VD2、电阻R7、电阻R9、电阻R10、电阻R11组成，所述晶闸管VD1的阴极连接电阻R7、电阻R3、电阻R1，其阳极接地，所述电阻R7另一端连接电阻R11、电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鸿杰，
申请(专利权)人：深圳市美时龙电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44