导电氧化层的沉积装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供如下的导电氧化层的沉积装置及方法，包括：第一工艺腔室，与供应第一工艺气体的第一气体供应部连接，并且具有从第一电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第一目标及与第一微波生成部连接的第一导波管；及第二工艺腔室，与供应第二工艺气体的第二气体供应部连接，并且具有从第二电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第二目标及与第二微波生成部连接的第二导波管。所述第一微波生成部被设定为施加可将所述第一工艺气体等离子放电的功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及导电氧化层的沉积装置及方法，更详细地说涉及根据溅射(Sputtering)的导电氧化层的沉积装置及方法。
技术介绍
导电氧化层正在被广泛利用于显示装置领域。诸如ITO的导电氧化层带有导电性并且透明，因此也能够以各种用途利用于显示画面的显示装置。例如，导电氧化层被利用成薄膜晶体管的活跃层材料，因此也可利用于实现透明显示装置，并且可被利用成有机发光显示装置的阳极(anode)材料。如上所述的导电氧化层主要由溅射(Sputtering)工艺沉积于基板上。溅射工艺是利用如下的原理的沉积方法：使目标(Target)位于真空状态的腔室内之后通过等离子放电将离子碰撞于所述目标，进而构成所述目标的物质被弹出而沉积于基板上。由如上所述的溅射工艺沉积导电氧化层的方法公开于韩国公开专利第2014-0099340号。但是，现有的根据溅射工艺的导电氧化层的沉积方法具有如下的局限性。由现有的溅射工艺形成的导电氧化层电阻大，因此作为要求优秀的导电性特性的显示装置的电极上是有局限的。另外，为了减少获得的导电氧化层的电阻，考虑在溅射工艺时加热基板的方案，但是若加热基板，能够获取电阻低的导电氧化层，但是在这一情况下，伴随能够适用的应用范围被限定的制约。例如，被广泛利用为显示装置的有机发光显示装置的情况下，应该在形成有机发光层的状态下形成导电氧化层，但是所述有机发光层不耐热，因此在加热基板的状态下无法形成导电氧化层，因此，为了降低导电氧化层的电阻，在有机发光显示装置将无法适用加热基板的方法。
技术实现思路
(要解决的问题)本专利技术是为了解决上述现有技术的问题而提出的，本专利技术的目的在于提供在不加热基板的同时也能够沉积电阻低的导电氧化层的沉积装置及沉积方法。(解决问题的手段)为了达成上述目的，本专利技术提供如下的导电物质氧化层的沉积装置，包括：第一工艺腔室，与供应第一工艺气体的第一气体供应部连接，并且具有从第一电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第一目标及与第一微波生成部连接的第一导波管；及第二工艺腔室，与供应第二工艺气体的第二气体供应部连接，并且具有从第二电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第二目标及与第二微波生成部连接的第二导波管，所述第一微波生成部被设定为施加可将所述第一工艺气体等离子放电的功率。本专利技术还提供如下的导电氧化层的沉积装置，包括：第一工艺腔室，与供应第一工艺气体的第一气体供应部连接，并且具有第一目标及第一导波管；及第二工艺腔室，与供应第二工艺气体的第二气体供应部连接，并且具有第二目标及与第二导波管；隔壁，具有用于在所述第一工艺腔室与第二工艺腔室之间移动基板的间隙；及吸气结构，用于防止所述第二工艺腔室内的第二工艺气体进入所述第一工艺腔室内。本专利技术还提供如下的导电氧化层的沉积方法，包括：基板的表面处理及种子层形成工艺，在常温下将第一工艺气体供应于第一腔室内，并且将微波照射于所述第一工艺气体来等离子放电所述第一工艺气体，并将第一电压施加于第一目标；及导电氧化物沉积工艺，在常温下将第二工艺气体供应于第二腔室内，并将第二电压施加于第二目标来等离子放电所述第二工艺气体，并将微波照射于所述等离子，进而在所述种子层上沉积导电氧化物。(专利技术的效果)根据本专利技术一实施例，在沉积氧化物之前，对基板追加执行表面处理工艺及种子层形成工艺，进而具有在常温下执行工艺的同时也能够降低最终获取的氧化层的电阻的效果。另外，根据本专利技术一实施例，相比于一般的溅射(sputter)，以低电压沉积氧化物薄膜，因此具有降低氧化层的电阻的效果。附图说明图1是根据本专利技术一实施例的导电氧化层的沉积装置的概略图。图2是根据本专利技术一实施例的导电氧化层的沉积工艺的流程图。图3是根据本专利技术另一实施例的导电氧化层的沉积装置的概略图。图4a及图4b是图示本专利技术的各种形状的吸气结构的图面。图5是根据本专利技术其他实施例的导电氧化层的沉积装置的概略图。图6是示出根据改变工艺条件而变化ITO薄膜的薄膜电阻的示意图。(附图标记说明)10：腔室20：目标30：支撑架40：电力供应部50：微波生成部60：气体供应部具体实施方法与附图一起参照详细后述的实施例可明确本专利技术的优点、特征及达成方法。但是本专利技术并不被以下公开的实施例限定，而是能够实现相互不同的形状，本实施例只是使本专利技术的公开更加完整，并且是为了对于在本专利技术所属
具有通常知识的技术人员告知本专利技术的范畴而提供的，并且只用权利要求的范畴定义本专利技术。在用于说明本专利技术的实施例的图面公开的形状、大小、比例、角度、个数等是示例性的，因此不限定于在本专利技术中被示出的。在说明书所有内容中相同参照符号称为相同构成要素。另外，在说明本专利技术时，在判断对相关公知技术的具体说明可使本专利技术的要点不清楚的情况下，将省略该详细说明。在本说明书上使用“包括”、“具有”、“构成”等的情况下，只要未使用“只”也可增加其他部分。用单数表示构成要素的情况下，只要没有特别明示的记载事项，还包括多数的情况。在解释构成要素时，就算没有另外的明确记载，应该解释为包括误差范围。在说明位置关系的情况下，例如“在～上”“在～上部”、“在～下部”、“在～旁边”等说明两个部分的位置关系的情况下，只要在未使用“直接”的情况下，在两个部分之间也可设置一个以上的另一部分。在说明时间关系的情况下，例如“在～之后”“～接着”、“在～之前”等说明时间上先后关系的情况下，只要在未使用“直接”的情况下，也可包括在两个部分之间也可设置一个以上的另一部分的情况。第一、第二等用语是为了说明多种构成要素而使用的，但是该多种构成要素并不被该用语限制。该用语只是为了将一个构成要素与其他构成要素区分而使用的。因此，在以下谈及的第一构成要素在本专利技术的技术思想内也可以是第二构成要素。本专利技术的各种实施例的各个特征能够部分或全部相互结合或组合，并且能够在技术上进行各种连动及驱动，对于各个实施例也可独立实施并且也能够以相关关系一起实施。以下，参照附图详细说明本专利技术的优选实施例。图1是根据本专利技术一实施例的导电氧化层的沉积装置的概略图。在图1可以看出，根据本专利技术一实施例的导电氧化层的沉积装置包括：腔室(Chamber)10、目标(Target)20、支撑架30、电力供应部40、微波生成部(MicrowaveGenerator)50、导波管55及气体供应部60。所述腔室10形成反应空间。因此，在所述腔室10内中可由溅射工艺在基板S上沉积导电氧化层。尤其是，根据本专利技术一实施例，由所述微波生成部50生成的微波通过所述导波管55入射于所述腔室10内，进而所述微波与等离子结合引起电子回旋共振(ECR:ElectronCyclotronResonance)，进而可生成高密度的等离子。所述目标20形成在所述腔室10内。所述目标20可导电氧化物构成，所述导电氧化物构成在所述基板S上沉积的导电氧化层。例如，所述沉积的导电氧化层由ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)构成的情况下，所述目标20也可由ITO构成。所述目标20执行用于溅射工艺的阴极(Cathode)的功能。根据本专利技术一实施例的目标20由导电性物质(即，导电氧化物)构成，因此可利用所述目标20本身作为阴极。但是，并不限定于此，而是也能够与所述目标20分开单独形成阴极。所述目标20形成圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电氧化层的沉积装置，其特征在于，包括：第一工艺腔室，与供应第一工艺气体的第一气体供应部连接，并且具有从第一电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第一目标及与第一微波生成部连接的第一导波管；及第二工艺腔室，与供应第二工艺气体的第二气体供应部连接，并且具有从第二电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第二目标及与第二微波生成部连接的第二导波管，所述第一微波生成部被设定为施加可使所述第一工艺气体的等离子放电的功率。

【技术特征摘要】
2015.07.01 KR 10-2015-00942381.一种导电氧化层的沉积装置，其特征在于，包括：第一工艺腔室，与供应第一工艺气体的第一气体供应部连接，并且具有从第一电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第一目标及与第一微波生成部连接的第一导波管；及第二工艺腔室，与供应第二工艺气体的第二气体供应部连接，并且具有从第二电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第二目标及与第二微波生成部连接的第二导波管，所述第一微波生成部被设定为施加可使所述第一工艺气体的等离子放电的功率。2.根据权利要求1所述的导电氧化层的沉积装置，其特征在于，所述第一电力供应部被设定为，使未引起放电的第一电压施加于所述第一目标。3.根据权利要求2所述的导电氧化层的沉积装置，其特征在于，所述第一工艺腔室被设定为，为了放电所述第一工艺气体，通过所述第一导波管照射微波，并且使所述第一电压施加于所述第一目标。4.根据权利要求2所述的导电氧化层的沉积装置，其特征在于，所述第二工艺腔被设定为，为了使所述第二工艺气体等离子放电，使所述第二电压施加于所述第二目标，并且为了增加等离子密度，通过所述第二导波管施加微波。5.根据权利要求2所述的导电氧化层的沉积装置，其特征在于，所述第二工艺腔室施加微波并施加第二电压，使所述第二工艺气体等离子放电。6.据权利要求4或5所述的导电氧化层的沉积装置，其特征在于，所述第二电压为在施加所述微波之后调节至放电稳定化电压的30％至80％的电压。7.根据权利要求6所述的导电氧化层的沉积装置，其特征在于，所述第一气体供应部向所述第一工艺腔室供应已备好的由惰性气体构成的所述第一工艺气体，所述第二气体供应部向所述第二工艺腔室供应已备好的由惰性气体与氧气的混合气体构成的所述第二工艺气体。8.一种导电氧化层的沉积装置，其特征在于，包括第一工艺腔室，与供应第一工艺气体的第一气体供应部连接，并且具有第一目标及第一导波管；及第二工艺腔室，与供应第二工艺气体的第二气体供应部连接，并且具有第二目标及与第二导波管；隔壁，具有用于在所述第一工艺腔室与第二工艺腔室之间移动基板的间隙；及吸气结构，用于防止所述第二工艺腔室内的第二工艺气体进入所述第一工艺腔室内。9.据权利要求8所述的导电氧化层的沉积装置，其特征在于，所述吸气结构在所述间隙周边从所述隔壁的表面凸出或插入于所述隔壁的内部。10.据权利要求9所述的导电氧化层的沉积装置，其特征在于，所述吸气结构向所述第二工艺腔室内部侧形成。11.权利要求8所述的导电氧化层的沉积装置，其特征在于，所述吸气结构，包括分别在所述间隙的上侧及下侧与所述间隙并排的同时比所述间隙延长形成的第一吸气结构及第二吸气结构。12.根据权利要求11所述的导电氧化层的沉积装置，其特征在于，所述吸气结构还包括第三吸气结构，所述第三吸气结构连接所述第一吸气结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴完雨，吴芝瑛，黃秉檍，李政洛，崔时爀，
申请(专利权)人：亚威科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR