【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及家禽饲养领域,具体是指一种基于电流缓冲保护电路的养殖场饮水槽水位控制系统。
技术介绍
随着养殖业的不断发展,养殖场的配套实施也在不断的改进,其中在家禽的饮水装置上进行了很好的改进,且采用了能进行自动供水的饮水控制系统,该饮水控制系统主要是通过对水槽内水位的变化进行检测来控制水泵对水槽注水。然而现有的饮水控制系统存在对水槽内的水位控制效果差,导致水槽内的水位过低或者过高,致使水槽内的水过低时家禽不能饮到水槽内的水,而水过高则会渗出水槽,造成水之源的浪费。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有的饮水控制系统存在对水槽内的水位控制效果差的缺陷,提供一种基于电流缓冲保护电路的养殖场饮水槽水位控制系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:基于电流缓冲保护电路的养殖场饮水槽水位控制系统,主要由变压器T,二极管整流器U,三极管VT1,三极管VT2,正极与二极管整流器U的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U的负极输出端相连接后接地的极性电容C1,正极与三极管VT1的基极相连接、负极经电阻R1后与三极管VT2的基极相连接的极性电容C2,一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端与三极管VT2的基极相连接的电阻R2,正极经电阻R3后与三极管VT1的集电极相连接、负极经电阻R4后与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C3,P极与三极管VT1的集电极相连接、N极与极性电容C3的负极相连接的二极管D1,与三极管VT2的发射极相连接的水位检测控制电路,串接二极管整流器U的正极输出端与水位检测控制电路之间的电流缓冲保护电路,以及分别与水位检测控制电路相连接的电极棒A ...
【技术保护点】
基于电流缓冲保护电路的养殖场饮水槽水位控制系统,其特征在于,主要由变压器T,二极管整流器U,三极管VT1,三极管VT2,正极与二极管整流器U的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U的负极输出端相连接后接地的极性电容C1,正极与三极管VT1的基极相连接、负极经电阻R1后与三极管VT2的基极相连接的极性电容C2,一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端与三极管VT2的基极相连接的电阻R2,正极经电阻R3后与三极管VT1的集电极相连接、负极经电阻R4后与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C3,P极与三极管VT1的集电极相连接、N极与极性电容C3的负极相连接的二极管D1,与三极管VT2的发射极相连接的水位检测控制电路,串接二极管整流器U的正极输出端与水位检测控制电路之间的电流缓冲保护电路,以及分别与水位检测控制电路相连接的电极棒A和电极棒B以及电极棒C组成;所述三极管VT1的集电极与二极管整流器U的负极输出端相连接;所述三极管VT2的集电极与三极管VT1的集电极相连接、其基极与二极管整流器U的正极输出端相连接;所述变压器T的副边电感线圈的同名端与二极管整流器U的其中一个输入端相连接、其副边电 ...
【技术特征摘要】
1.基于电流缓冲保护电路的养殖场饮水槽水位控制系统,其特征在于,主要由变压器T,二极管整流器U,三极管VT1,三极管VT2,正极与二极管整流器U的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U的负极输出端相连接后接地的极性电容C1,正极与三极管VT1的基极相连接、负极经电阻R1后与三极管VT2的基极相连接的极性电容C2,一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端与三极管VT2的基极相连接的电阻R2,正极经电阻R3后与三极管VT1的集电极相连接、负极经电阻R4后与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C3,P极与三极管VT1的集电极相连接、N极与极性电容C3的负极相连接的二极管D1,与三极管VT2的发射极相连接的水位检测控制电路,串接二极管整流器U的正极输出端与水位检测控制电路之间的电流缓冲保护电路,以及分别与水位检测控制电路相连接的电极棒A和电极棒B以及电极棒C组成;所述三极管VT1的集电极与二极管整流器U的负极输出端相连接;所述三极管VT2的集电极与三极管VT1的集电极相连接、其基极与二极管整流器U的正极输出端相连接;所述变压器T的副边电感线圈的同名端与二极管整流器U的其中一个输入端相连接、其副边电感线圈的非同名端与二极管整流器U的另一个输入端相连接;所述变压器T原边电感线圈的同名端和非同名端共同形成控制系统的输入端。2.根据权利要求1所述的基于电流缓冲保护电路的养殖场饮水槽水位控制系统,其特征在于,所述电流缓冲保护电路由场效应管MOS,三极管VT8,三极管VT9,三极管VT10,正极经电阻R10后与场效应管MOS的源极相连接、负极与三极管VT8的发射极相连接的极性电容C7,正极经可调电阻R11后与极性电容C7的正极相连接、负极接地的极性电容C8,P极与三极管VT8的集电极相连接、N极与三极管VT9的基极相连接后接地的二极管D5,正极经电阻R12后与三极管VT8的基极相连接、负极与三极管VT10的发射极相连接的极性电容C9,P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极与三极管VT10的发射极相连接的二极管D4,一端与三极管VT9的发射极相连接、另一端与三极管VT10的集电极相连接后接地的电阻R13,以及正极经可调电阻R14后与三极管VT10的发射极相连接、负极经电阻R15后与三极管VT10的集电极相连...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨志良,孔利文,辜晓平,杨强,
申请(专利权)人:四川森迪科技发展股份有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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