一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，通过该阵列基板的制作方法，可以将LTPS TFT的离子活化工艺和Oxide TFT的非晶态转变为微晶态的工艺集成在一起。一种阵列基板的制作方法，该方法包括：形成第一有源层；第一有源层的材料为多晶硅；至少向第一有源层的掺杂区进行离子注入，掺杂区用于与对应的源极和漏极电连接；形成第二有源层；第二有源层的材料为非晶态的金属氧化物；在至少向第一有源层的掺杂区进行离子注入、且在形成第二有源层之后，采用活化工艺，以使得第一有源层中注入的离子活化、第二有源层的材料从非晶态转变为微晶态。本发明专利技术适用于阵列基板、以及包括该阵列基板的显示装置的制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
目前，户外可穿戴显示装置受到用户的欢迎。为了提高用户体验度，户外可穿戴显示装置需要满足低功耗、传感器集成、窄边框等各种要求。显示装置一般包括：封装基板和阵列基板。阵列基板分为显示区域和包围显示区域的非显示区域(也可称为周边区域)；在非显示区域，采用LTPSTFT(LowTemperaturePoly-silicon-ThinFilmTransistor，低温多晶硅薄膜晶体管)技术以实现窄边框和传感器电路集成；在显示区域，由于非晶态的OxideTFT(OxideThinFilmTransistor，氧化物薄膜晶体管)具有较小的漏电流(Ioff)，采用非晶态的OxideTFT技术实现像素低频驱动以降低功耗。但是非晶态的OxideTFT稳定性较差。为了提高稳定性，可以采用微晶态的OxideTFT替代非晶态的OxideTFT。但是，目前LTPSTFT的制作工艺与微晶态的OxideTFT的制作工艺是单独进行，工艺集成度低，生产成本高。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，通过该阵列基板的制作方法，可以将LTPSTFT的离子活化工艺和OxideTFT的非晶态转变为微晶态的工艺集成在一起。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一方面，提供了一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：形成第一有源层；所述第一有源层的材料为多晶硅；至少向所述第一有源层的掺杂区进行离子注入，所述掺杂区用于与对应的源极和漏极电连接；形成第二有源层；所述第二有源层的材料为非晶态的金属氧化物；在至少向所述第一有源层的掺杂区进行离子注入、且在形成所述第二有源层之后，采用活化工艺，以使得所述第一有源层中注入的离子活化、所述第二有源层的材料从非晶态转变为微晶态。可选的，所述方法还包括：形成栅金属层，所述栅金属层包括：第一栅极和第二栅极；其中，所述第一栅极与所述第一有源层的位置对应，所述第二栅极与所述第二有源层位置对应；形成源漏金属层，所述源漏金属层包括：第一源极和第一漏极、第二源极和第二漏极；所述第一源极和所述第一漏极分别与所述第一有源层电连接，所述第二源极和所述第二漏极分别与所述第二有源层电连接。可选的，所述阵列基板分为：显示区域和包围所述显示区域的非显示区域；所述第一有源层、所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极均形成在所述非显示区域；所述第二有源层、所述第二栅极、所述第二源极和所述第二漏极均形成在所述显示区域。可选的，所述采用活化工艺，以使得所述第一有源层中注入的离子活化、所述第二有源层的材料从非晶态转变为微晶态包括：可选的，所述至少向所述第一有源层的掺杂区进行离子注入具体为：仅向所述第一有源层的掺杂区进行离子注入。将所述阵列基板所处的环境温度调节至550℃-650℃，并持续0.5h-1.0h。可选的，所述金属氧化物为氧化锌、或者是在所述氧化锌中掺杂有铟、镓、锡、镁中的至少一种的金属氧化物。可选的，所述方法的制作顺序依次为：形成第一有源层、形成栅金属层、至少向所述第一有源层的掺杂区进行离子注入、形成第二有源层、采用活化工艺、形成源漏金属层。可选的，所述方法还包括：在所述形成第一有源层之后、且在所述形成栅金属层之前，形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述第一有源层；在所述至少向所述第一有源层的掺杂区进行离子注入之后、且在形成第二有源层之前，形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅金属层。另一方面，提供了一种阵列基板,采用上述任一项所述的制作方法形成。再一方面，提供了一种显示装置，包括：上述所述的阵列基板。本专利技术的实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，通过该阵列基板的制作方法，可以在采用活化工艺将第一有源层注入的离子活化的同时，完成第二有源层的材料从非晶态转变为微晶态；即将LTPSTFT的离子活化工艺和OxideTFT的非晶态转变为微晶态的工艺集成在一起，相较于现有技术，具有工艺集成度高，生产成本低的特点。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图一；图2为根据图1制作形成的一种阵列基板的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图二。附图标记：1-第一薄膜晶体管TFT1；2-第二薄膜晶体管TFT2；3-显示区域；4-非显示区域；5-栅绝缘层；6-层间介质层；7-衬底；8-平坦层；11-第一有源层；12-第一栅极；13-第一源极；14-第一漏极；21-第二有源层；22-第二栅极；23-第二源极；24-第二漏极。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。实施例一本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该方法包括：S01、形成第一有源层；第一有源层的材料为多晶硅；这里对于形成第一有源层的具体方法不做限定，示例的，可以先形成非晶硅薄膜，然后对非晶硅薄膜进行激光照射以使非晶硅(a-硅)结晶转化成多晶硅(p-硅)，进而形成多晶硅薄膜。S02、至少向第一有源层的掺杂区进行离子注入，该掺杂区用于与对应的源极和漏极电连接；这里，对于注入离子的方法和注入离子的类型不做限定。示例的，可以采用等离子体轰击的方法向第一有源层注入硼离子，以形成P型TFT；或者，还可以采用等离子体轰击的方法向第一有源层注入磷离子，以形成N型TFT，当然还可以是采用其他方法注入其他离子，这里仅以上述为例进行说明。S03、形成第二有源层；第二有源层的材料为非晶态的金属氧化物；这里对于金属氧化物的具体材料不做限定，具体可以根据实际情况而定。需要说明的是，按照晶体的状态，可将金属氧化物分为非晶态、微晶态等，采用微晶态的金属氧化物形成的TFT相较于采用非晶态的金属氧化物形成的TFT具有更低的漏电流、更好的I-V(电流-电压)特性以及更好的稳定性。需要说明的是，上述S03可以是在S01和S02之后进行，也可以是在S01和S02之前进行，这里不做限定。为了避免离子注入对于形成第二有源层的影响，参考图1所示，可以选择在S01和S02之后进行S03。在S02、至少向第一有源层的掺杂区进行离子注入、且在S03、形成第二有源层之后，S04、采用活化工艺，以使得第一有源层中注入的离子活化、第二有源层的材料从非晶态转变为微晶态(即从a-金属氧化物转变为uc-金属氧化物)。通过上述制作方法，可以在采用活化工艺将第一有源层注入的离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：形成第一有源层；所述第一有源层的材料为多晶硅；至少向所述第一有源层的掺杂区进行离子注入，所述掺杂区用于与对应的源极和漏极电连接；形成第二有源层；所述第二有源层的材料为非晶态的金属氧化物；在至少向所述第一有源层的掺杂区进行离子注入、且在形成所述第二有源层之后，采用活化工艺，以使得所述第一有源层中注入的离子活化、所述第二有源层的材料从非晶态转变为微晶态。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：形成第一有源层；所述第一有源层的材料为多晶硅；至少向所述第一有源层的掺杂区进行离子注入，所述掺杂区用于与对应的源极和漏极电连接；形成第二有源层；所述第二有源层的材料为非晶态的金属氧化物；在至少向所述第一有源层的掺杂区进行离子注入、且在形成所述第二有源层之后，采用活化工艺，以使得所述第一有源层中注入的离子活化、所述第二有源层的材料从非晶态转变为微晶态。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：形成栅金属层，所述栅金属层包括：第一栅极和第二栅极；其中，所述第一栅极与所述第一有源层的位置对应，所述第二栅极与所述第二有源层位置对应；形成源漏金属层，所述源漏金属层包括：第一源极和第一漏极、第二源极和第二漏极；所述第一源极和所述第一漏极分别与所述第一有源层电连接，所述第二源极和所述第二漏极分别与所述第二有源层电连接。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述阵列基板分为：显示区域和包围所述显示区域的非显示区域；所述第一有源层、所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极均形成在所述非显示区域；所述第二有源层、所述第二栅极、所述第二源极和所述第二漏极均形成在所述显示区域。4.根据权利要求1所述的制作方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭宽军，廖峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11