掩膜版、制造透镜的方法、透镜及显示装置制造方法及图纸

技术编号:14402414 阅读:127 留言:0更新日期:2017-01-11 14:45
本发明专利技术公开了一种掩膜版、制造透镜的方法、透镜及显示装置,属于显示技术领域。该掩膜版用于制造透镜,该掩膜版的包括两个透光区域,其中第二区域的透过率非均匀分布,且与待形成透镜的厚度分布相关。在制造透镜的过程中,对经过该掩膜版曝光后的光刻胶进行显影后,残留的光刻胶即可直接形成透镜。因此采用该掩膜版制造透镜时无需再对光刻胶进行加热和熔融成型,解决了相关技术中透镜制造方法复杂的问题,降低了透镜的制造成本。本发明专利技术用于制造透镜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,特别涉及一种掩膜版、制造透镜的方法、透镜及显示装置
技术介绍
透镜是一种光学领域常见的光学元件,主要用于改变光线的传播方向。例如汇聚或者发散光线。相关技术中,透镜一般采用光刻胶热回流技术制造而成,该光刻胶热回流技术主要包括:采用掩膜版对衬底基板上涂布的光刻胶进行曝光,该掩膜版上的曝光图案一般呈圆形,矩形或正六边形,之后对曝光后的光刻胶进行显影并清洗残余物质,此时该衬底基板上包括多个光刻胶块,最后将衬底基板放置于加热平台上,使该光刻胶块熔融后形成半球形的透镜。但是,采用上述光刻胶热回流技术制造透镜时,需要经过光刻胶涂布、曝光、显影和加热熔融等多个步骤,该制造方法较为复杂。
技术实现思路
为了解决相关技术中微透镜制造方法复杂的问题,本专利技术实施例提供了一种掩膜版、制造透镜的方法、透镜及显示装置。所述技术方案如下:第一方面,提供了一种掩膜版,所述掩膜版用于制造透镜,所述掩膜版包括:第一区域和第二区域;所述第一区域内各点的透过率相同,所述第二区域内的透过率非均匀分布,且所述第二区域内的透过率分布与待形成透镜的厚度分布相关,所述待形成透镜的厚度方向垂直于所述掩膜版的入光面。第二方面,提供了一种采用如第一方面所述的掩膜版制造透镜的方法,所述方法包括:在衬底基板上涂布光刻胶;采用所述掩膜版对所述光刻胶进行曝光,所述掩膜版上包括第一区域和第二区域,所述第二区域在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板上待形成透镜的区域重叠;对曝光后的所述光刻胶进行显影以形成透镜。可选的,当所述光刻胶为正性光刻胶时,所述第一区域的透过率为1,所述第二区域内的透过率分布与待形成透镜的厚度分布负相关;当所述光刻胶为负性光刻胶时,所述第一区域的透过率为0,所述第二区域内的透过率分布与待形成透镜的厚度分布正相关。可选的,所述待形成透镜为凸透镜,当所述光刻胶为正性光刻胶时,所述第二区域内任一参考点A的透过率TA为:当所述光刻胶为负性光刻胶时,所述第二区域内任一参考点A的透过率为:或者,所述待形成透镜为凹透镜,当所述光刻胶为正性光刻胶时,所述第二区域内任一参考点A的透过率TA为:当所述光刻胶为负性光刻胶时,所述第二区域内任一参考点A的透过率TA为:其中,所述a为第一比例系数,所述b为第一参数,所述k为第二比例系数,所述x为所述参考点A与所述第二区域的中心点之间的距离。可选的,所述待形成透镜为棱镜;当所述光刻胶为正性光刻胶时,所述第二区域内任一参考点A的透过率TA为:TA=c×x;当所述光刻胶为负性光刻胶时,所述第二区域内任一参考点A的透过率TA为:TA=d-c×x;其中,所述d为第一斜率系数,所述c为第二斜率系数,x为所述参考点A与所述第二区域的中轴线之间的距离,所述中轴线平行于所述棱镜的棱。可选的,在所述对曝光后的所述光刻胶进行显影以形成透镜之后,所述方法还包括:在所述透镜的表面形成反光层。可选的,当所述待形成透镜为凸透镜或凹透镜时,所述第二区域为圆形区域,所述第二区域的中心点为所述圆形区域的圆心;当所述待形成透镜为棱镜时,所述第二区域为矩形区域。第三方面,提供了一种透镜,所述透镜采用如第二方面任一所述的方法制造形成。第四方面,提供了一种显示装置,所述显示装置包括:显示面板以及设置在所述显示面板的出光面上的透镜阵列;所述透镜阵列包括多个阵列排布的如第三方面所述的透镜。可选的,当所述透镜为凸透镜或凹透镜时,所述透镜的入光面与所述显示面板中像素的出光面之间的距离,与所述透镜的焦距相等;当所述透镜的表面还包括反光层时,所述透镜的顶点与所述显示面板中像素的出光面之间的距离,与所述透镜的顶点与焦点之间的距离相等。可选的,所述显示面板包括多个像素,每个所述像素包括至少两个亚像素,通过每个所述亚像素能够发出一种颜色的光;所述透镜阵列中的透镜与所述显示面板中的亚像素一一对应设置,其中每个透镜在所述显示面板上的正投影与一个亚像素所在区域重叠。可选的,所述显示装置还包括:在所述显示面板出光面上间隔形成的多个遮挡区域;所述多个遮挡区域中的第一遮挡区域用于对第一亚像素传输至第二透镜的光线进行遮挡,以及对第二亚像素传输至第一透镜的光线进行遮挡;其中,所述第一亚像素和所述第二亚像素为所述显示装置中任意两个相邻的亚像素,所述第一遮挡区域在所述显示面板上的正投影位于所述第一亚像素和所述第二亚像素之间,且所述第一透镜与所述第一亚像素对应设置,所述第二透镜与所述第二亚像素对应设置。综上所述,本专利技术提供了一种掩膜版、制造透镜的方法、透镜及显示装置,该用于制造透镜的掩膜版包括两个透光区域,其中第二区域的透过率非均匀分布,且与待形成透镜的厚度分布相关。在制造透镜的过程中,对经过该掩膜版曝光后的光刻胶进行显影后,残留的光刻胶即可直接形成透镜。因此采用该掩膜版制造透镜时无需再对光刻胶进行加热和熔融成型,简化了透镜的制造工艺,降低了透镜的制造成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种掩膜版的俯视图;图2是本专利技术实施例提供的一种透镜的制造方法的流程图;图3-1是本专利技术实施例提供的一种在衬底基板上沉积光刻胶的示意图;图3-2是本专利技术实施例提供的一种采用掩膜版对正性光刻胶进行曝光的示意图;图3-3是本专利技术实施例提供的另一种采用掩膜版对正性光刻胶进行曝光的示意图;图3-4是本专利技术实施例提供的一种采用掩膜版对负性光刻胶进行曝光的示意图;图3-5是本专利技术实施例提供的另一种采用掩膜版对负性光刻胶进行曝光的示意图;图3-6是本专利技术实施例提供的一种凸透镜的结构示意图;图3-7是本专利技术实施例提供的一种凹透镜的结构示意图;图4-1是本专利技术实施例提供的一种第二区域纵截面的透光率分布曲线的示意图;图4-2是本专利技术实施例提供的另一种第二区域纵截面的透光率分布曲线的示意图;图4-3是本专利技术实施例提供的又一种第二区域纵截面的透光率分布曲线的示意图;图4-4是本专利技术实施例提供的再一种第二区域纵截面的透光率分布曲线的示意图;图4-5是本专利技术实施例提供的又一种采用掩膜版对正性光刻胶进行曝光的示意图;图4-6是本专利技术实施例提供的再一种第二区域纵截面的透光率分布曲线的示意图;图5是本专利技术实施例提供的另一种掩膜版的俯视图;图6是本专利技术实施例提供的一种凹面镜的结构示意图;图7-1是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图;图7-2是本专利技术实施例提供的另一种显示装置的结构示意图;图7-3是本专利技术实施例提供的一种显示装置的局部结构示意图;图7-4是本专利技术实施例提供的又一种显示装置的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。图1是本专利技术实施例提供的一种掩膜版的俯视图,该掩膜版用于制造透镜,如图1所示,该掩膜版00包括:第一区域01和第二区域02;该第一区域01内各点的透过率相同,该第二区域02内的透过率非均匀分布,且该第二区域02内的透过率分布与待形成透镜的厚度分布相关,该待形成透镜的厚度方向垂直于该掩膜本文档来自技高网...
掩膜版、制造透镜的方法、透镜及显示装置

【技术保护点】
一种掩膜版,其特征在于,所述掩膜版用于制造透镜,所述掩膜版包括:第一区域和第二区域;所述第一区域内各点的透过率相同,所述第二区域内的透过率非均匀分布,且所述第二区域内的透过率分布与待形成透镜的厚度分布相关,所述待形成透镜的厚度方向垂直于所述掩膜版的入光面。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版,其特征在于,所述掩膜版用于制造透镜,所述掩膜版包括:第一区域和第二区域;所述第一区域内各点的透过率相同,所述第二区域内的透过率非均匀分布,且所述第二区域内的透过率分布与待形成透镜的厚度分布相关,所述待形成透镜的厚度方向垂直于所述掩膜版的入光面。2.一种采用如权利要求1所述的掩膜版制造透镜的方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上涂布光刻胶;采用所述掩膜版对所述光刻胶进行曝光,所述掩膜版的所述第二区域在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板上待形成透镜的区域重叠;对曝光后的所述光刻胶进行显影以形成透镜。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当所述光刻胶为正性光刻胶时,所述第一区域的透过率为1,所述第二区域内的透过率分布与待形成透镜的厚度分布负相关;当所述光刻胶为负性光刻胶时,所述第一区域的透过率为0,所述第二区域内的透过率分布与待形成透镜的厚度分布正相关。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述待形成透镜为凸透镜,当所述光刻胶为正性光刻胶时,所述第二区域内任一参考点A的透过率TA为:当所述光刻胶为负性光刻胶时,所述第二区域内任一参考点A的透过率为:TA=k×(b-x2);或者,所述待形成透镜为凹透镜,当所述光刻胶为正性光刻胶时,所述第二区域内任一参考点A的透过率TA为:TA=k×(b-x2);当所述光刻胶为负性光刻胶时,所述第二区域内任一参考点A的透过率TA为:其中,所述a为第一比例系数,所述b为第一参数,所述k为第二比例系数,所述x为所述参考点A与所述第二区域的中心点之间的距离。5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述待形成透镜为棱镜;当所述光刻胶为正性光...

【专利技术属性】
技术研发人员:马新利高健杨亚锋王灿王维谭纪风张粲
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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