IGBT驱动模块制造技术

技术编号:14398653 阅读:149 留言:0更新日期:2017-01-11 12:09
本发明专利技术提供一种绝缘栅双极型晶体管IGBT驱动模块,属于电力电子器件技术领域。该IGBT驱动模块包括:脉冲电路、故障保护电路、门极驱动电路和电源电路,所述脉冲电路、故障保护电路、门极驱动电路和电源电路设置在所述IGBT驱动模块本体上。本发明专利技术提供的IGBT驱动模块,降低了其他外围电路对脉冲电路的干扰,从而提高了电磁兼容性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子器件
,尤其涉及一种IGBT驱动模块
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,简称IGBT)是第三代电力电子器件,具有低导通压降和高输入阻抗的特点,且广泛应用于小体积、高效率的变频电源,电机调速、UPS及逆变焊机中。IGBT驱动模块作为工业应用中的关键技术,可以实现对IGBT的驱动和保护。对于不同型号的IGBT驱动模块,若要实现对IGBT驱动模块的隔离、互锁和死区调整功能,只需要在该IGBT驱动模块外部搭建脉冲电路,从而通过该脉冲电路实现对该IGBT驱动模块的隔离、互锁和死区调整功能。但是,现有技术中,在IGBT驱动模块外部搭建的脉冲电路容易受到其他外围电路的影响,使得电磁兼容性较差。
技术实现思路
本专利技术提供一种绝缘栅双极型晶体管IGBT驱动模块,以降低其他外围电路对脉冲电路的干扰,从而提高电磁兼容性。本专利技术实施例提供一种绝缘栅双极型晶体管IGBT驱动模块,包括:脉冲电路、故障保护电路、门极驱动电路和电源电路,所述脉冲电路、故障保护电路、门极驱动电路和电源电路设置在所述IGBT驱动模块本体上。在本专利技术一实施例中,所述电源电路分别与所述脉冲电路、所述故障保护电路和所述门极驱动电路连接,用于向所述脉冲电路、所述故障保护电路和所述门极驱动电路供电;所述脉冲电路与所述门极驱动电路连接,用于将对输入的第一脉冲宽度调制PWM脉冲信号进行隔离、互锁及死区调整处理,得到第二PWM脉冲信号,并将所述第二PWM脉冲信号输入至所述门极驱动电路;所述门极驱动电路与所述故障保护电路连接,用于对所述第二PWM脉冲信号进行电压控制和功率驱动处理,得到第三PWM脉冲信号,并将所述第三PWM脉冲信号输入至所述故障保护电路;所述故障保护电路与所述脉冲电路连接,所述故障保护电路用于对所述第三PWM脉冲信号的电流进行脉冲保护,并根据所述第三PWM脉冲信号的电流值确定所述脉冲电路是否故障。在本专利技术一实施例中,所述脉冲电路包含上半桥电路和下半桥电路;所述上半桥电路和所述下半桥电路均包括:二极管、电阻、第一电容及第二电容,所述二极管的输出端与所述电阻的第一端连接,所述二极管的输入端分别所述电阻的第二端、所述第一电容的第一端及所述第二电容的第一端连接,所述第一电容的第二端与所述第二电容的第二端连接。在本专利技术一实施例中,所述上半桥电路和所述下半桥电路均还包括:非门、第一集成子电路及第二集成子电路,所述非门的第一端与所述二极管的输出端连接,所述第一集成子电路的第一端与所述二极管的输入端连接,所述第一集成子电路的第二端与所述第二电容的第一端连接,所述第二集成子电路的第一端与所述非门的第二端连接。在本专利技术一实施例中,所述上半桥电路和所述下半桥电路均还包括:光耦,所述光耦用于对输入的所述第一PWM脉冲信号进行隔离。本专利技术实施例提供的IGBT驱动模块,包括:脉冲电路、故障保护电路、门极驱动电路和电源电路,脉冲电路、故障保护电路、门极驱动电路和电源电路设置在IGBT驱动模块本体上。由此可见,本专利技术提供的IGBT驱动模块通过将脉冲电路设置在IGBT驱动模块本体上,而不是设置在IGBT驱动模块的外围,从而降低其他外围电路对脉冲电路的干扰,提高了电磁兼容性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术IGBT驱动模块实施例一的结构示意图;图2为本专利技术IGBT驱动模块实施例二的结构示意图;图3为本专利技术IGBT驱动模块的电源电路的结构示意图;图4为本专利技术IGBT驱动模块的脉冲电路的结构示意图;图5为本专利技术IGBT驱动模块的门极驱动电路的结构示意图;图6为本专利技术IGBT驱动模块的故障保护电路的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本专利技术的实施例,例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。需要说明的是,下面这几个具体的实施例可以相互结合,对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。图1为本专利技术实施例提供的绝缘栅双极型晶体管IGBT驱动模块,请参见图1所示,该IGBT驱动模块包括:脉冲电路、故障保护电路、门极驱动电路和电源电路,脉冲电路、故障保护电路、门极驱动电路和电源电路设置在IGBT驱动模块本体上。其中,IGBT驱动模块本体是指未包括IGBT驱动模块的驱动板,可以将该IGBT驱动模块设置在IGBT驱动模块本体上。本专利技术实施例提供的IGBT驱动模块,包括:脉冲电路、故障保护电路、门极驱动电路和电源电路,脉冲电路、故障保护电路、门极驱动电路和电源电路设置在IGBT驱动模块本体上。由此可见,本专利技术提供的IGBT驱动模块通过将脉冲电路设置在IGBT驱动模块本体上,而不是设置在IGBT驱动模块的外围,从而降低其他外围电路对脉冲电路的干扰,提高了电磁兼容性。基于图1对应的实施例,在图1对应的实施例的基础上,进一步地,本专利技术实施例还提供另一种IGBT驱动模块10,请参见图2所示,该IGBT驱动模块10还包括:其中,电源电路104分别与脉冲电路101、故障保护电路102和门极驱动电路103连接,用于向脉冲电路101、故障保护电路102和门极驱动电路103供电。示例的,在本专利技术实施例中,如图3所示,图3为本专利技术IGBT驱动模块10的电源电路104的结构示意图,当然,本专利技术只是以图3为例进行说明,并不代表本专利技术仅限于此。电源电路104的原边可以采用有源嵌位正激电路,通过采用该有源嵌位正激电路,可以有效地解决磁芯复位的问题,副边可以采用双电源板桥供电电路。脉冲电路101与门极驱动电路103连接,用于将对输入的第一脉冲宽度调制PWM脉冲信号进行隔离、互锁及死区调整处理,得到第二PWM脉冲信号,并将第二PWM脉冲信号输入至门极驱动电路103。可选的,在本专利技术实施例中,如图4所示,图4为本专利技术IGBT驱动模块10的脉冲电路101的结构示意图,当然,本专利技术只是以图4为例进行说明,并不代表本专利技术仅限于此。脉冲电路101包含上半桥电路和下半桥电路;其中,上半桥电路和下半桥电路均包括死区调整子电路1011,其中,死区调整子电路1011包本文档来自技高网...
IGBT驱动模块

【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管IGBT驱动模块,其特征在于,包括:脉冲电路、故障保护电路、门极驱动电路和电源电路,所述脉冲电路、故障保护电路、门极驱动电路和电源电路设置在所述IGBT驱动模块本体上。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管IGBT驱动模块,其特征在于,包括:脉冲电路、故障保护电路、门极驱动电路和电源电路,所述脉冲电路、故障保护电路、门极驱动电路和电源电路设置在所述IGBT驱动模块本体上。2.根据权利要求1所述的驱动模块,其特征在于,所述电源电路分别与所述脉冲电路、所述故障保护电路和所述门极驱动电路连接,用于向所述脉冲电路、所述故障保护电路和所述门极驱动电路供电;所述脉冲电路与所述门极驱动电路连接,用于将对输入的第一脉冲宽度调制PWM脉冲信号进行隔离、互锁及死区调整处理,得到第二PWM脉冲信号,并将所述第二PWM脉冲信号输入至所述门极驱动电路;所述门极驱动电路与所述故障保护电路连接,用于对所述第二PWM脉冲信号进行电压控制和功率驱动处理,得到第三PWM脉冲信号,并将所述第三PWM脉冲信号输入至所述故障保护电路;所述故障保护电路与所述脉冲电路连接,所述故障保护电路用于对所述第三PWM脉冲信号的电流进行脉冲保护,并根据所述第三PW...

【专利技术属性】
技术研发人员:于佳玉洪亮隋德磊
申请(专利权)人:中车大连电力牵引研发中心有限公司
类型:发明
国别省市:辽宁;21

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1