【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及P型多晶双面太阳能电池的生产制造领域，具体是一种提高多晶硅太阳能电池背面开压的镀膜工艺。
技术介绍
在普通单、多晶太阳能电池片工艺中，开路电压Uoc是影响电池转换效率的重要参数。Uoc主要由硅片本身品质和PN结工艺决定，而双面电池的背面没有PN结工艺，无法通过该工艺来提高背面Uoc。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：如何通过镀膜提高多晶硅双面太阳能电池背面开压。本专利技术所采用的技术方案是：一种提高多晶硅太阳能电池背面开压的镀膜工艺，按照如下的步骤进行：步骤一、将多晶硅片基材和纯银靶材置于等离子合金化炉内，抽真空至0.5Pa后，通入NH3，气压控制在35Pa，同时开启工件电源和源极电源，使工件电压高于源极电压，压差保持250V。缓慢升高电压，温度升至930℃后，保温30min，对工件背面进行溅射2-4秒；步骤二、将温度冷到430℃-450℃进行PECVD镀膜，背面层膜镀膜时，SiH4气体流量为3.6slm，NH3的气体流量为1100sccm，镀膜时间150s，射频功率为5650W，正面层膜镀膜时，SiH4气体流量为6.8slm，NH3的气体流量为680sccm，镀膜时间150s，射频功率为5650W。本专利技术的有益效果是：本专利技术在PECVD镀膜前，对多晶硅片背面进行银硅掺杂，使SiN附在银硅掺杂硅层上提高了多晶硅太阳能电池背面开压。具体实施方式在进行PECVD镀膜前，将多晶硅片基材和纯银靶材置于等离子合金化炉内，抽真空至0.5Pa后，通入NH3，气压控制在35Pa，同时开启工件电源和源极电源，使工件电压高于源极电压，压差保持...
【技术保护点】
一种提高多晶硅太阳能电池背面开压的镀膜工艺，其特征在于按照如下的步骤进行：步骤一、将多晶硅片基材和纯银靶材置于等离子合金化炉内，抽真空至0.5Pa后，通入NH3，气压控制在35Pa，同时开启工件电源和源极电源，使工件电压高于源极电压，压差保持250V，缓慢升高电压，温度升至930℃后，保温30min，对工件两面分别进行溅射2‑4秒；步骤二、将温度冷到430℃‑450℃进行PECVD镀膜，底层膜镀膜时，SiH4气体流量为3.6slm，NH3的气体流量为1100sccm，镀膜时间150s，射频功率为5650W，顶层膜镀膜时，SiH4气体流量为6.8slm，NH3的气体流量为680sccm，镀膜时间150s，射频功率为5650W。
【技术特征摘要】
1.一种提高多晶硅太阳能电池背面开压的镀膜工艺，其特征在于按照如下的步骤进行：步骤一、将多晶硅片基材和纯银靶材置于等离子合金化炉内，抽真空至0.5Pa后，通入NH3，气压控制在35Pa，同时开启工件电源和源极电源，使工件电压高于源极电压，压差保持250V，缓慢升高电压，温度升至930℃后，保温30min，对工件两面分...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵科巍，郭卫，王恩宇，申开愉，张之栋，张波，
申请(专利权)人：山西潞安太阳能科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：山西;14
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。