一种电压控制的可调电感制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种电压控制的可调电感，包括：场效应晶体管和电感线圈，电感线圈由导电芯体和包裹于导电芯体表面的绝缘层组成，电感线圈包括线圈部分和电极部分；线圈部分设置于场效应晶体管内部，电极部分的一端与线圈部分的一端相连，电极部分的另一端经由场效应晶体管的电极暴露在电压控制的可调电感的外部，形成电感电极；线圈部分的表面至少设置有两个触点，触点处的导电芯体未覆盖有绝缘层，而是覆盖有第一半导体材料，第一半导体材料的类型与源极或漏极的掺杂区的半导体材料相同，触点位于导电沟道中，并且随着导电沟道宽度的变化，位于导电沟道中的触点的数目发生变化，因此通过改变栅极电压，便能实现对可调电感的电感量的调节。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电感器领域，具体涉及一种电压控制的可调电感。
技术介绍
目前的手机设计需要支持的频段越来越多，甚至已经达到30频的级别，这就意味着在一部手机上，要设计有30个射频通路。每个射频通路均由大量的元件组成，包括电感。为了保证每个射频通路的正常运行，需要对各个射频通路进行匹配调试，包括确定电感量适合的电感，以使得射频通路的阻抗匹配，达到最佳状态。现有技术中，射频通路的匹配调试所使用的电感为电感量固定的电感，当射频通路中的电感无法实现阻抗匹配时，工程师需要对当前电感进行手动解焊，并选择其他电感量的电感，将其重新焊接在射频通路中。在匹配调试的过程中，工程师需要不断通过解焊、焊接来更换射频通路中的电感的电感量，直至实现射频通路的阻抗匹配。在射频通路的匹配调试过程中，工程师需要手动更换电感以确定合适的电感量，由于通常需要多次更换才能找到合适的电感量，因此工程师需要进行多次的解焊、焊接，操作繁琐，效率低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种电压控制的可调电感，用于解决现有技术中为确定合适的电感量而手动更换电感导致的操作繁琐问题。为达到上述目的，本专利技术实施例的一方面提供了一种电压控制的可调电感，包括：场效应晶体管和电感线圈，所述场效应晶体管的电极包括源极、漏极和栅极，所述电感线圈由导电芯体和包裹于所述导电芯体表面的绝缘层组成，所述电感线圈包括线圈部分和电极部分；所述线圈部分设置于所述场效应晶体管内部，所述电极部分的一端与所述线圈部分的一端相连，所述电极部分的另一端经由所述场效应晶体管的电极暴露在所述电压控制的可调电感的外部，形成电感电极；所述线圈部分的表面至少设置有两个触点，所述触点处的导电芯体未覆盖有所述绝缘层，所述触点处的导电芯体覆盖有第一半导体材料，所述第一半导体材料的类型与所述源极的掺杂区或所述漏极的掺杂区的半导体材料相同，当所述场效应晶体管中存在导电沟道时，所述触点位于所述导电沟道中，并且随着所述导电沟道宽度的变化，位于所述导电沟道中的所述触点的数目发生变化。结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述线圈部分沿垂直于所述栅极的方向设置。结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述第一半导体材料与所述源极的掺杂区或所述漏极的掺杂区的半导体材料相同。结合第一方面、第一方面的第一种可能的实现方式和第一方面的第二种可能的实现方式之中任意一种，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述线圈部分由超过2匝的线圈组成。结合第一方面、第一方面的第一种可能的实现方式、第一方面的第二种可能的实现方式和第一方面的第三种可能的实现方式之中任意一种，在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述线圈部分的每一匝线圈均设置有所述触点。结合第一方面、第一方面的第一种可能的实现方式、第一方面的第二种可能的实现方式、第一方面的第三种可能的实现方式和第一方面的第四种可能的实现方式之中任意一种，在第一方面的第五种可能的实现方式中，所述电感线圈的导电芯体材料为金、铜、银或其合金。结合第一方面、第一方面的第一种可能的实现方式、第一方面的第二种可能的实现方式、第一方面的第三种可能的实现方式、第一方面的第四种可能的实现方式和第一方面的第五种可能的实现方式之中任意一种，在第一方面的第六种可能的实现方式中，所述场效应晶体管为绝缘栅型场效应晶体管MOSFET。结合第一方面的第六种可能的实现方式，在第一方面的第七种可能的实现方式中，所述线圈部分的第一部分设置于所述MOSFET的源极或栅极的掺杂区，所述线圈部分的第二部分设置于所述栅极的掺杂区，所述触点设置于所述第二部分的外侧；所述电极部分经由所述源极或所述漏极暴露在所述电压控制的可调电感的外部，形成电感电极。结合第一方面、第一方面的第一种可能的实现方式、第一方面的第二种可能的实现方式、第一方面的第三种可能的实现方式、第一方面的第四种可能的实现方式和第一方面的第五种可能的实现方式之中任意一种，在第一方面的第八种可能的实现方式中，所述场效应晶体管为结型场效应晶体管JFET。结合第一方面的第八种可能的实现方式，在第一方面的第八种可能的实现方式中，所述线圈部分设置于所述源极的掺杂区或所述漏极的掺杂区；所述电极部分经由所述栅极暴露在所述电压控制的可调电感的外部，形成电感电极。从以上技术方案可以看出，本专利技术实施例具有以下优点：本专利技术提供的电压控制的可调电感由场效应晶体管和电感线圈组成，电感线圈由导电芯体和包裹于导电芯体表面的绝缘层组成，电感线圈包括线圈部分和电极部分，线圈部分设置于场效应晶体管内部，电极部分的一端与线圈部分的一端相连，电极部分的另一端经由场效应晶体管的电极暴露在电压控制的可调电感的外部，形成电感电极，线圈部分的表面至少设置有两个触点，触点处的导电芯体未覆盖有绝缘层，触点处的导电芯体覆盖有第一半导体材料，第一半导体材料的类型与源极的掺杂区或漏极的掺杂区的半导体材料相同，当场效应晶体管中存在导电沟道时，触点位于导电沟道中，并且随着导电沟道宽度的变化，位于导电沟道中的触点的数目发生变化，通过改变加在栅极的电压，可以改变场效应晶体管的导电沟道的宽度，改变线圈部分位于导电沟道中的触点的数目，当电感电极和源极或漏极(电感电极未经由的电极)接入交流电路时，可以改变线圈部分接入交流电路的长度，从而改变可调电感的电感量。在射频通路的匹配调试过程中，工程师不需要手动解焊、焊接来更换电感，便可以改变其电感量，以确定合适的电感量，简化操作，提高效率。附图说明图1为本专利技术MOSFET型电压控制的可调电感一个实施例示意图；图2为本专利技术MOSFET型电压控制的可调电感一个工作原理图；图3为本专利技术JFET型电压控制的可调电感一个实施例示意图；图4为本专利技术JFET型电压控制的可调电感一个工作原理图。具体实施方式本专利技术实施例提供了一种电压控制的可调电感，用于通过电压调节电感的电感量，方便确定适合的电感量。为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。目前的手机设计需要支持的频段越来越多，甚至已经达到30频的级别，这就意味着在一部手机上，要设计有30个射频通路。每个射频通路均由大量的元件组成，包括电感、电阻、开关等。为了保证每个射频通路正常运行，需要对各个射频通路进行匹配调试，确定电感量适合的电感，以使得射频通路的阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压控制的可调电感，其特征在于，包括：场效应晶体管和电感线圈，所述场效应晶体管的电极包括源极、漏极和栅极，所述电感线圈由导电芯体和包裹于所述导电芯体表面的绝缘层组成，所述电感线圈包括线圈部分和电极部分；所述线圈部分设置于所述场效应晶体管内部，所述电极部分的一端与所述线圈部分的一端相连，所述电极部分的另一端经由所述场效应晶体管的电极暴露在所述电压控制的可调电感的外部，形成电感电极；所述线圈部分的表面至少设置有两个触点，所述触点处的导电芯体未覆盖有所述绝缘层，所述触点处的导电芯体覆盖有第一半导体材料，所述第一半导体材料的类型与所述源极的掺杂区或所述漏极的掺杂区的半导体材料相同，当所述场效应晶体管中存在导电沟道时，所述触点位于所述导电沟道中，并且随着所述导电沟道宽度的变化，位于所述导电沟道中的所述触点的数目发生变化。

【技术特征摘要】
1.一种电压控制的可调电感，其特征在于，包括：场效应晶体管和电感线圈，所述场效应晶体管的电极包括源极、漏极和栅极，所述电感线圈由导电芯体和包裹于所述导电芯体表面的绝缘层组成，所述电感线圈包括线圈部分和电极部分；所述线圈部分设置于所述场效应晶体管内部，所述电极部分的一端与所述线圈部分的一端相连，所述电极部分的另一端经由所述场效应晶体管的电极暴露在所述电压控制的可调电感的外部，形成电感电极；所述线圈部分的表面至少设置有两个触点，所述触点处的导电芯体未覆盖有所述绝缘层，所述触点处的导电芯体覆盖有第一半导体材料，所述第一半导体材料的类型与所述源极的掺杂区或所述漏极的掺杂区的半导体材料相同，当所述场效应晶体管中存在导电沟道时，所述触点位于所述导电沟道中，并且随着所述导电沟道宽度的变化，位于所述导电沟道中的所述触点的数目发生变化。2.根据权利要求1所述的电压控制的可调电感，其特征在于，所述线圈部分沿垂直于所述栅极的方向设置。3.根据权利要求1所述的电压控制的可调电感，其特征在于，所述第一半导体材料与所述源极的掺杂区或所述漏极的掺杂区的半导体材料相同。4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛厚洋，
申请(专利权)人：宇龙计算机通信科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44