蚀刻机的抗PID衰减装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种蚀刻机的抗PID衰减装置，包括用于对太阳能硅片进行加工的蚀刻机、穿过蚀刻机用于对太阳能硅片进行输送的硅片输送架，位于蚀刻机出口处的硅片输送架的上方设置有罩壳，罩壳通过臭氧输送管与臭氧发生器相连通，罩壳的开口朝下且正对硅片输送架上的太阳能硅片，罩壳内设置有一层均流网，均流网上密布有若干均流孔，臭氧与硅片表面的硅原子进行反应生成1‑2nm的SiO2，这样表面的悬挂健可以完全的被钝化。在组件实际使用过程中能有效阻止有害杂质Na+离子的移动，从而杜绝组件PID现象的产生。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电池片加工设备，特别涉及一种蚀刻机的抗PID衰减装置。
技术介绍
一些电站实际使用表明，光伏发电系统的系统电压存在对晶体硅电池组件有持续的“电位诱发衰减”效应（PID，PotentialInducedDegradation），晶体硅电池通过封装材料（通常是EVA和玻璃的上表面）对组件边框形成的回路所导致的漏电流，被确认为是引起上述效应的主要原因。近年来PID已经成为国外买家投诉国内组件质量的重要因素之一，严重时候它可以引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个电站的功率输出。随着光伏组件大规模使用一段时间后，特别是越来越多的大型光伏电厂运营后，业界对光伏组件的电位诱发衰减效应的关注越来越多。一些国家和地区已逐步开始把抗PID作为组件的关键要求之一：很多日本用户明确要求把抗PID写入合同，并随机抽检。欧洲的买家也提出了同样的要求。此趋势也使得国内越来越多的光伏电站业主单位、光伏电池和组件厂、测试单位和材料供应商对PID的研究越来越深入。目前可以明确的是PID现象和电池片表面的减反射膜特性有关，提高减反射膜的折射率可以有效地降低PID现象的发生。含Si多的减反射膜比含N多的减反射膜更可以抵抗PID现象。当减反射膜的折射率大于2.12后，PID现象不再被观察到。而当折射率小于2.08后，组件很难通过PID测试。目前有不少的光伏电池厂在做针对电池和PID的关系的测试中也发现了类似的现象，所以改变折射率成为抗PID的手段之一。但改变电池减反射层的折射率会大幅降低太阳太阳电池的转换效率，在不提高成本并且基本不改变效率的情况下做到抗PID对电池厂是一个非常大的难度。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种蚀刻机的抗PID衰减装置，杜绝组件PID现象的产生，提高产品质量。为实现上述目的，本技术的技术方案是提供了一种蚀刻机的抗PID衰减装置，包括用于对太阳能硅片进行加工的蚀刻机、穿过所述蚀刻机用于对太阳能硅片进行输送的硅片输送架，位于所述蚀刻机出口处的所述硅片输送架的上方设置有罩壳，所述罩壳通过臭氧输送管与臭氧发生器相连通，所述罩壳的开口朝下且正对所述硅片输送架上的太阳能硅片，所述罩壳内设置有一层均流网，所述均流网上密布有若干均流孔。进一步改进的是：所述硅片输送架包括位于两侧的刚性支撑架、若干横向设置且两端分别于所述刚性支撑架相转动链接的输送辊，若干所述输送辊等距分布。进一步改进的是：所述硅片输送架的出料端设置有硅片承载架，所述硅片承载架包括由上至下倾斜设置的底板、设置于所述底板两侧的侧挡板、垂直设置于所述底板下端部的下挡板，所述底板的上端与所述硅片输送辊相衔接。进一步改进的是：所述硅片承载架的内表面设置有塑料泡沫层。本技术的优点和有益效果在于：臭氧与硅片表面的硅原子进行反应生成1-2nm的SiO2，这样表面的悬挂健可以完全的被钝化。在组件实际使用过程中能有效阻止有害杂质Na+离子的移动，从而杜绝组件PID现象的产生。附图说明图1为本技术的示意图。其中：1、蚀刻机；2、硅片输送架；3、臭氧发生器；4、臭氧输送管；5、罩壳；6、硅片承载架；7、均流网。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，而不能以此来限制本技术的保护范围。如图1所示，一种蚀刻机1的抗PID衰减装置，包括用于对太阳能硅片进行加工的蚀刻机1、穿过所述蚀刻机1用于对太阳能硅片进行输送的硅片输送架2，位于所述蚀刻机1出口处的所述硅片输送架2的上方设置有罩壳5，所述罩壳5通过臭氧输送管4与臭氧发生器3相连通，所述罩壳5的开口朝下且正对所述硅片输送架2上的太阳能硅片，所述罩壳5内设置有一层均流网7，所述均流网7上密布有若干均流孔。工作原理：硅片经过蚀刻机1加工后，通过臭氧发生器3产生大量臭氧，臭氧输送至罩壳5，经过均流网7均流后与硅片上表面接触，臭氧与硅片表面的硅原子进行反应生成1-2nm的SiO2，这样表面的悬挂健可以完全的被钝化，在组件实际使用过程中能有效阻止有害杂质Na+离子的移动，从而杜绝组件PID现象的产生。本实施例中优选的实施方式为，所述硅片输送架2包括位于两侧的刚性支撑架、若干横向设置且两端分别于所述刚性支撑架相转动链接的输送辊，若干所述输送辊等距分布。本实施例中优选的实施方式为，所述硅片输送架2的出料端设置有硅片承载架6，所述硅片承载架6包括由上至下倾斜设置的底板、设置于所述底板两侧的侧挡板、垂直设置于所述底板下端部的下挡板，所述底板的上端与所述硅片输送辊相衔接。为了防止对硅片造成损伤，所述硅片承载架6的内表面设置有塑料泡沫层。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻机的抗PID衰减装置，其特征在于：包括用于对太阳能硅片进行加工的蚀刻机、穿过所述蚀刻机用于对太阳能硅片进行输送的硅片输送架，位于所述蚀刻机出口处的所述硅片输送架的上方设置有罩壳，所述罩壳通过臭氧输送管与臭氧发生器相连通，所述罩壳的开口朝下且正对所述硅片输送架上的太阳能硅片，所述罩壳内设置有一层均流网，所述均流网上密布有若干均流孔。

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻机的抗PID衰减装置，其特征在于：包括用于对太阳能硅片进行加工的蚀刻机、穿过所述蚀刻机用于对太阳能硅片进行输送的硅片输送架，位于所述蚀刻机出口处的所述硅片输送架的上方设置有罩壳，所述罩壳通过臭氧输送管与臭氧发生器相连通，所述罩壳的开口朝下且正对所述硅片输送架上的太阳能硅片，所述罩壳内设置有一层均流网，所述均流网上密布有若干均流孔。2.如权利要求1所述的蚀刻机的抗PID衰减装置，其特征在于：所述硅片输送架包括位于两侧的刚...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，卢河，黄凯，
申请(专利权)人：江苏爱多能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32