套准精度量测图形结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种套准精度量测图形结构，包括：在光刻胶层次的光刻版图上形成的长条形凹槽，用于在曝光过程中在晶圆表面上通过光栅反应形成相应凹槽。本实用新型专利技术在光刻掩膜版的设计上把套准精度量测图形的结构设计成凹槽结构。凹槽周围都是大块的光刻胶，附着在晶圆表面的面积大，附着力强。这样即使套准精度量测图形边缘的光刻胶底部被反应掉，但是不会出现倒胶脱落的风险，保证了套准精度量测图形的完整性。本实用新型专利技术能够减少厚光刻胶层次套准精度量测图形倒胶风险，从而减少了光刻套准精度量测异常的产生，提高了产品成品率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本技术涉及一种套准精度量测图形结构。
技术介绍
随着半导体技术的不断发现，半导体的特征尺寸(CD)越来越小，层与层之间的对准精度越来越高。在半导体制造产业中，大部分光刻层次用于量测层与层之间套准精度的图形(Overlaymark，简称套准精度量测图形)是两个由四条不连续的凸出长线(Line)组成的相互嵌套(barinbar)的正方形，外框的正方形是前一层(被对准层)的标记(mark)，内框的正方形是本层(对准层)的标记。两个正方形的中心位置的差异就是套准精度(Overlay)。理想的套准精度量测图形图形，每一条凸出长线都是一个凸出在晶圆表面的规则长方体。大部分的光刻图形下都有前层的图形，在曝光过程中，前层的图形会把透射到其上的光吸收掉。但是如果本层图形下没有前层的图形，只有氧化硅和氮化硅组成的薄膜(这些材料投射率高)，透射到底层的光就会被强反射回晶圆表面，从而对表面的光刻胶底部进行光栅反应。特别是使用厚光刻胶的层次，其曝光能量大，反射到晶圆表面的光很强，光刻胶底部光栅反应强烈。对于小尺寸的凸出长线，光栅反应后的光刻胶就会呈明显的倒楔形，附着在晶圆表面的面积小，容易倒塌，从而破坏了套准精度量测图形的结构完整，导致无法准确进行套准精度的量测。因此，希望能够一种能够实现套准精度的准确量测的方案。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够实现套准精度的准确量测的套准精度量测图形结构。为了实现上述技术目的，根据本技术，提供了一种套准精度量测图形结构，包括：在光刻胶层次的光刻版图上形成的长条形凹槽。优选地，所述长条形凹槽用于在曝光过程中在晶圆表面上通过光栅反应形成相应凹槽。优选地，所述套准精度量测图形结构用于厚胶光刻条件。优选地，所述套准精度量测图形结构用于采用0.7μm～3μm厚的光刻胶的光刻工艺。优选地，凹槽的宽度小于130nm。优选地，凹槽的宽度小于90nm。优选地，凹槽的宽度小于65nm。优选地，凹槽的宽度为22nm。本技术在光刻掩膜版的设计上把套准精度量测图形的结构设计成凹槽结构。凹槽周围都是大块的光刻胶，附着在晶圆表面的面积大，附着力强。这样即使套准精度量测图形边缘的光刻胶底部被反应掉，但是不会出现倒胶脱落的风险，保证了套准精度量测图形的完整性。本技术能够减少厚光刻胶层次套准精度量测图形倒胶风险，从而减少了光刻套准精度量测异常的产生，提高了产品成品率。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：图1示意性地示出了根据现有技术的套准精度量测图形结构的截面示意图。图2示意性地示出了根据本技术优选实施例的套准精度量测图形结构的截面示意图。需要说明的是，附图用于说明本技术，而非限制本技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施方式为了使本技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本技术的内容进行详细描述。本技术提供了一种厚胶光刻条件下套准精度量测图形的结构设计。在光刻掩膜版的设计上把套准精度量测图形的结构设计成凹槽结构(凹槽)。凹槽周围都是大块的光刻胶，附着在晶圆表面的附着力强，不容易剥落。这样即使套准精度量测图形边缘的光刻胶底部被反应掉，但是光刻胶的附着面积宽，附着力强，出现倒胶脱落的风险小，保证了套准精度量测图形图形的完整性。具体地，图1示意性地示出了根据现有技术的套准精度量测图形结构的截面示意图。如图1所示，根据现有技术的套准精度量测图形结构包括凸出长线10。如前面所述，对于小尺寸的凸出长线，光栅反应后的光刻胶就会呈明显的倒楔形，附着在晶圆表面的面积小，容易倒塌，从而破坏了套准精度量测图形的结构完整，导致无法准确进行套准精度的量测。与图1不同的是，图2示意性地示出了根据本技术优选实施例的套准精度量测图形结构的截面示意图。如图2所示，根据本技术优选实施例的套准精度量测图形结构包括：在光刻胶层次的光刻版图上形成的长条形凹槽20，用于在曝光过程中在晶圆表面上通过光栅反应形成相应凹槽。由此，所述相应凹槽周围大块的光刻胶减少了倒胶剥落的风险。优选地，根据本技术优选实施例的套准精度量测图形结构可有利地用于厚胶光刻条件，例如0.7μm～3μm厚的光刻胶的光刻工艺。优选地，根据本技术优选实施例的套准精度量测图形结构可有利地用于小尺寸的凹槽。优选地，凹槽的宽度小于130nm。进一步优选地，凹槽的宽度小于90nm。再优选地，凹槽的宽度小于65nm。例如，凹槽的宽度为22nm左右。本技术在光刻掩膜版的设计上把套准精度量测图形的结构设计成凹槽结构。凹槽周围都是大块的光刻胶，附着在晶圆表面的面积大，附着力强。这样即使套准精度量测图形边缘的光刻胶底部被反应掉，但是不会出现倒胶脱落的风险，保证了套准精度量测图形的完整性。本技术能够减少厚光刻胶层次套准精度量测图形倒胶风险，从而减少了光刻套准精度量测异常的产生，提高了产品成品率。此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是，虽然本技术已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本技术。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本技术技术方案的内容，依据本技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本技术技术方案保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种套准精度量测图形结构，其特征在于包括：在光刻胶层次的光刻版图上形成的长条形凹槽。

【技术特征摘要】
1.一种套准精度量测图形结构，其特征在于包括：在光刻胶层次的光刻版图上形成的长条形凹槽。2.根据权利要求1所述的套准精度量测图形结构，其特征在于，所述长条形凹槽用于在曝光过程中在晶圆表面上通过光栅反应形成相应凹槽。3.根据权利要求1或2所述的套准精度量测图形结构，其特征在于，所述套准精度量测图形结构用于厚胶光刻条件。4.根据权利要求1或2所述的套准精度量测图形结构，其特征在于，所述套准精度量测图...

【专利技术属性】
技术研发人员：周世均，郑海昌，朱骏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31