一种新型碳化硅单晶炉制造技术
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种晶体生产装置，具体涉及一种碳化硅晶体生产装置。
技术介绍
目前，碳化硅晶体生长装置的结构设置不合理，工作温度和压力不易控制，感应线圈不完全轴对称导致石墨坩埚产生的晶体生长温场不完全轴对称，从而产生不对称晶体生长。
技术实现思路
专利技术目的：本技术的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种结构设置合理，控制精确，产品质量高的新型碳化硅单晶炉。技术方案：为了解决上述技术问题，本技术所述的一种新型碳化硅单晶炉，它包括坩埚，在所述坩埚上方设有坩埚盖，在所述坩埚底部内侧设有下晶体生长平台，在所述坩埚盖下端面上设有上晶体生长平台，在所述坩埚内侧壁上设有物料室，在所述坩埚底部外侧设有旋转机构，在所述坩埚外部设有保温层，所述坩埚和坩埚盖都设在反应室内，在所述反应室外部设有感应线圈，所述感应线圈的分布高度占反应室高度的2/3-4/5，所述坩埚的内径长度占反应室内径长度的3/5-4/5，在所述反应室上设有压力控制装置和监测装置。所述坩埚和坩埚盖都由石墨制成。所述感应线圈的分布高度占反应室高度的7/10。所述坩埚的内径长度占反应室内径长度的7/10。有益效果：本技术与现有技术相比，其显著优点是：本技术整体结构设置合理，采用分布高度占反应室高度7/10的对称感应线圈及设在坩埚外的保温层，使反应室内温度稳定，晶体对称生长，采用内径长度占反应室内径长度7/10的坩埚，保证晶体处于最稳定生产环境，将物料室设在坩埚内侧壁上，同时设置上、下晶体生长平台，大大提高生产效率，设置压力控制装置和监测装置，控制精确。附图说明图1是本技术的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对...
【技术保护点】
一种新型碳化硅单晶炉，其特征在于：它包括坩埚（1），在所述坩埚（1）上方设有坩埚盖（2），在所述坩埚（1）底部内侧设有下晶体生长平台（3），在所述坩埚盖（2）下端面上设有上晶体生长平台（4），在所述坩埚（1）内侧壁上设有物料室（5），在所述坩埚（1）底部外侧设有旋转机构（6），在所述坩埚（1）外部设有保温层（7），所述坩埚（1）和坩埚盖（2）都设在反应室（8）内，在所述反应室（8）外部设有感应线圈（9），所述感应线圈（9）的分布高度占反应室（8）高度的2/3‑4/5，所述坩埚（1）的内径长度占反应室（8）内径长度的3/5‑4/5，在所述反应室（8）上设有压力控制装置（10）和监测装置（11）。
【技术特征摘要】
1.一种新型碳化硅单晶炉，其特征在于：它包括坩埚（1），在所述坩埚（1）上方设有坩埚盖（2），在所述坩埚（1）底部内侧设有下晶体生长平台（3），在所述坩埚盖（2）下端面上设有上晶体生长平台（4），在所述坩埚（1）内侧壁上设有物料室（5），在所述坩埚（1）底部外侧设有旋转机构（6），在所述坩埚（1）外部设有保温层（7），所述坩埚（1）和坩埚盖（2）都设在反应室（8）内，在所述反应室（8）外部设有感应线圈（9），所述感应线圈（9）的分布高度占反应室（8）高度的2/3...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁玉平，闫鹏，袁佳斌，
申请(专利权)人：江苏拜尔特光电设备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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