一种内存噪声测量方法及系统技术方案

本发明专利技术提供了一种内存噪声测量方法及系统，该方法包括：将两根飞线分别与探头相连，将探头与测量仪器相连，以及搭建被测量内存的测试环境；在测试环境下，利用测试工具确定内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点；利用两根飞线分别将VDD信号测试点对应的VDD信号和VSS信号测试点对应的VSS信号引出至探头，并经探头输出至测量仪器；利用测量仪器根据输入的VDD信号和VSS信号，生成内存的噪声测量结果。由于可以直接获取被测量内存的VDD信号和VSS信号，并生成相应的噪声测量结果，故本方案能够准确测量内存噪声。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及计算机
，特别涉及一种内存噪声测量方法及系统。
技术介绍
随着计算机、服务器等的内存速率越来越高，内存传输速率不断提升。目前，内存的传输速率可以达到6.4Gbps。但是，内存传输速率的不断提升会造成内存噪声的显著增高。如今不少厂商对内存噪声的要求越来越严格，故内存噪声的测量变得尤为必要。目前，可以从待测量内存的Boardfile(电路图)文档中确定出待测信号，并对待测信号进行测量。由于需要从Boardfile文档中确定出待测信号，故现有实现方式的准确率不高。
技术实现思路
本专利技术提供了一种内存噪声测量方法及系统，能够准确测量内存噪声。为了达到上述目的，本专利技术是通过如下技术方案实现的：一方面，本专利技术提供了一种内存噪声测量方法，将两根飞线分别与探头相连，将所述探头与测量仪器相连，以及搭建被测量内存的测试环境，还包括：在所述测试环境下，利用测试工具确定所述内存的VDD(器件内部的工作电压)信号测试点和VSS(电路公共接地端电压)信号测试点；利用所述两根飞线，分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头；利用所述探头将所述VDD信号和所述VSS信号输出至所述测量仪器；利用所述测量仪器根据输入的所述VDD信号和所述VSS信号，生成所述内存的噪声测量结果。进一步地，所述搭建被测量内存的测试环境，包括：确定测试环境所需的被测量内存、CPU、主板及供电模块；将所述内存、所述CPU分别安装于所述主板上，并通过所述供电模块对所述主板进行供电。进一步地，所述测量仪器为示波器；所述噪声测量结果包括：所述内存的Pk-Pk值；在所述生成所述内存的噪声测量结果之后，进一步包括：利用所述示波器判断所述Pk-Pk值是否不小于预先确定的标准阈值，若是，进行异常处理。进一步地，所述测试工具为万用表；所述利用测试工具确定所述内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点，包括：根据所述内存的防呆口，确定其正面向左的第四个金手指为目标金手指；利用所述万用表，测定出所述内存上的与所述目标金手指相连通的目标焊点，其中，所述目标焊点位于目标贴片电容的一端；确定所述目标焊点为所述内存的VDD信号测试点，并确定所述目标贴片电容的另一端为所述内存的VSS信号测试点。进一步地，所述将两根飞线分别与探头相连，包括：分别将所述两根飞线的一端通过探针插入到所述探头中；在所述利用所述两根飞线，分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头之前，进一步包括：将所述两根飞线中的未与所述探头相连的一端，分别焊接在所述VDD信号测试点处和所述VSS信号测试点处。另一方面，本专利技术提供了一种内存噪声测量系统，包括：两根飞线、探头、测量仪器、包括被测量内存的测试环境、测试工具，其中，所述两根飞线分别与所述探头相连；所述探头与所述测量仪器相连；所述测试工具，用于在所述测试环境下，确定所述内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点；所述两根飞线，用于分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头；所述探头，用于将引入的所述VDD信号和所述VSS信号输出至所述测量仪器；所述测量仪器，用于根据输入的所述VDD信号和所述VSS信号，生成所述内存的噪声测量结果。进一步地，所述测试环境包括：被测量内存、CPU、主板及供电模块，其中，所述内存、所述CPU分别安装于所述主板上；所述供电模块用于对所述主板进行供电。进一步地，所述测量仪器为示波器；所述噪声测量结果包括：所述内存的Pk-Pk值；所述示波器还用于判断所述Pk-Pk值是否不小于预先确定的标准阈值，若是，进行异常处理。进一步地，所述测试工具为万用表；该内存噪声测量系统还包括：确定模块，用于根据所述内存的防呆口，确定其正面向左的第四个金手指为目标金手指；利用所述万用表，测定出所述内存上的与所述目标金手指相连通的目标焊点，其中，所述目标焊点位于目标贴片电容的一端；确定所述目标焊点为所述内存的VDD信号测试点，并确定所述目标贴片电容的另一端为所述内存的VSS信号测试点。进一步地，所述两根飞线分别与所述探头相连，包括：分别将所述两根飞线的一端通过探针插入到所述探头中；该内存噪声测量系统还包括：处理模块，用于将所述两根飞线中的未与所述探头相连的一端，分别焊接在所述VDD信号测试点处和所述VSS信号测试点处。进一步地，所述测量仪器包括：带宽1GHz、采样率20GS/s的示波器；所述示波器的配置参数包括：Resolution：1GS/s，200us/div；Offset：1.22V；触发方式：上升沿触发；Triggerlevel：中心位置以上10～30mV左右；Measure：Max、Min、Mean和Pk-Pk；Annotation：Pk-Pk；为保证测试样本数，acqs：1000以上；探头带宽：500MHz。进一步地，所述探头包括：单端带宽500MHz50Ω的有源探头。本专利技术提供了一种内存噪声测量方法及系统，将两根飞线分别与探头相连，将探头与测量仪器相连，以及搭建被测量内存的测试环境；在测试环境下，利用测试工具确定内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点；利用两根飞线分别将VDD信号测试点对应的VDD信号和VSS信号测试点对应的VSS信号引出至探头，并经探头输出至测量仪器；利用测量仪器根据输入的VDD信号和VSS信号，生成内存的噪声测量结果。由于可以直接获取被测量内存的VDD信号和VSS信号，并生成相应的噪声测量结果，故本专利技术能够准确测量内存噪声。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术一实施例提供的一种内存噪声测量方法的流程图；图2是本专利技术一实施例提供的另一种内存噪声测量方法的流程图；图3是本专利技术一实施例提供的一种用于测量内存噪声的测量系统的结构示意图；图4是本专利技术一实施例提供的一种内存噪声测量结果的示意图；图5是本专利技术一实施例提供的一种内存噪声测量系统的示意图；图6是本专利技术一实施例提供的另一种内存噪声测量系统的示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，本专利技术实施例提供了一种内存噪声测量方法，可以包括以下步骤：步骤101：将两根飞线分别与探头相连，将所述探头与测量仪器相连，以及搭建被测量内存的测试环境。步骤102：在所述测试环境下，利用测试工具确定所述内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点。步骤103：利用所述两根飞线，分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头。步骤104：利用所述探头将所述VDD信号和所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内存噪声测量方法，其特征在于，将两根飞线分别与探头相连，将所述探头与测量仪器相连，以及搭建被测量内存的测试环境，还包括：在所述测试环境下，利用测试工具确定所述内存的器件内部的工作电压VDD信号测试点和电路公共接地端电压VSS信号测试点；利用所述两根飞线，分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头；利用所述探头将所述VDD信号和所述VSS信号输出至所述测量仪器；利用所述测量仪器根据输入的所述VDD信号和所述VSS信号，生成所述内存的噪声测量结果。

【技术特征摘要】
1.一种内存噪声测量方法，其特征在于，将两根飞线分别与探头相连，将所述探头与测量仪器相连，以及搭建被测量内存的测试环境，还包括：在所述测试环境下，利用测试工具确定所述内存的器件内部的工作电压VDD信号测试点和电路公共接地端电压VSS信号测试点；利用所述两根飞线，分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头；利用所述探头将所述VDD信号和所述VSS信号输出至所述测量仪器；利用所述测量仪器根据输入的所述VDD信号和所述VSS信号，生成所述内存的噪声测量结果。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述搭建被测量内存的测试环境，包括：确定测试环境所需的被测量内存、CPU、主板及供电模块；将所述内存、所述CPU分别安装于所述主板上，并通过所述供电模块对所述主板进行供电；和/或，所述测量仪器为示波器；所述噪声测量结果包括：所述内存的Pk-Pk值；在所述生成所述内存的噪声测量结果之后，进一步包括：利用所述示波器判断所述Pk-Pk值是否不小于预先确定的标准阈值，若是，进行异常处理。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试工具为万用表；所述利用测试工具确定所述内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点，包括：根据所述内存的防呆口，确定其正面向左的第四个金手指为目标金手指；利用所述万用表，测定出所述内存上的与所述目标金手指相连通的目标焊点，其中，所述目标焊点位于目标贴片电容的一端；确定所述目标焊点为所述内存的VDD信号测试点，并确定所述目标贴片电容的另一端为所述内存的VSS信号测试点。4.根据权利要求1至3中任一所述的方法，其特征在于，所述将两根飞线分别与探头相连，包括：分别将所述两根飞线的一端通过探针插入到所述探头中；在所述利用所述两根飞线，分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头之前，进一步包括：将所述两根飞线中的未与所述探头相连的一端，分别焊接在所述VDD信号测试点处和所述VSS信号测试点处。5.一种内存噪声测量系统，其特征在于，包括：两根飞线、探头、测量仪器、包括被测量内存的测试环境、测试工具，其中，所述两根飞线分别与所述探头相连；所述探头与所述测量仪器相连；所述测试工具，用于在所述测试环境下，确定所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴忠良，
申请(专利权)人：浪潮电子信息产业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37