LED封装结构的制作方法技术

技术编号:14345602 阅读:93 留言:0更新日期:2017-01-04 16:46
一种LED封装结构的制作方法,包括步骤:提供承载板,所述承载板包括相对的上表面及下表面,在所述上表面形成一个环形的凹槽,所述承载板的部分区域被所述凹槽环绕,形成一凸块;在所述凹槽的表面、以及与所述凸块对应的所述上表面靠近所述凹槽的边缘区域形成一反射层;之后,在与所述凸块对应的所述上表面形成导电图案;在所述导电图案间隙及所述凹槽内填充绝缘层;去除所述承载板,所述绝缘层与所述凸块对应的位置形成一收容槽;以及在所述收容槽内收容LED,且使所述LED焊接于所述导电图案,从而形成LED封装结构。本发明专利技术还涉及上述制作方法得到的LED封装结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路板制作领域,尤其涉及一种LED封装结构及其制作方法。
技术介绍
LED封装结构即将LED芯片固设于基板上形成的LED器件,现有的LED封装结构光利用效率即发光效能较低,限制了LED的推广应用。
技术实现思路
因此,有必要提供一种具有较高发光效能的LED封装结构及其制作方法。一种LED封装结构的制作方法,包括步骤:提供承载板,所述承载板包括相对的上表面及下表面,在所述上表面形成一个环形的凹槽,所述承载板的部分区域被所述凹槽环绕,形成一凸块;在所述凹槽的表面、以及与所述凸块对应的所述上表面靠近所述凹槽的边缘区域形成一反射层;之后,在与所述凸块对应的所述上表面形成导电图案;在所述导电图案间隙及所述凹槽内填充绝缘层;去除所述承载板,所述绝缘层与所述凸块对应的位置形成一收容槽;以及在所述收容槽内收容LED,且使所述LED焊接于所述导电图案,从而形成LED封装结构。一种LED封装结构,包括:一绝缘层,包括相对的第一表面及第二表面,所述第一表面侧形成有一环状凸起,所述环状凸起合围形成一收容槽,所述收容槽槽底的所述绝缘层形成有多个贯通所述槽底及第二表面的通孔;一反射层,形成于所述环状凸起的表面及所述收容槽底面的边缘,所述收容槽底面的反射层远离所述收容槽底面的表面与所述第一表面齐平;导电图案,形成于所述绝缘层的所述通孔;及LED,收容于所述收容槽且焊接于所述导电图案。相对于现有技术,本专利技术实施例的LED封装结构及制作方法中,在绝缘层上形成收容槽,并在收容槽槽壁及槽底部分区域形成反射层,反射角大,反光性能好,从而使LED发光效能较高;并且本案收容槽内的反射层与绝缘层相齐平,能有效降低LED封装结构的厚度。附图说明图1是本专利技术实施例提供的LED封装结构的仰视图。图2是本专利技术实施例提供的LED封装结构的剖视图。图3是本专利技术实施例提供承载板的剖视图。图4是在图3中的承载板上形成第一及第二抗蚀刻层后的剖视图。图5是在图4的承载板上形成凹槽后的剖视图。图6是将图5的第一及第二抗蚀刻层去除后的剖视图。图7是在图6中的承载板上形成第一及第二防镀膜层后的剖视图。图8是在图7中的承载板上形成反射层后的剖视图。图9是将图8的第一及第二防镀膜层去除后的剖视图。图10是在图9中的承载板上形成第三及第四防镀膜层后的剖视图。图11是在图10中的承载板上形成导电图案后的俯视图。图12是在图10中的承载板上形成导电图案后的剖视图。图13是将图12的第三及第四防镀膜层去除后的剖视图。图14是在图13中的承载板上形成绝缘层后的剖视图。图15是在图14中的承载板上形成第三抗蚀刻层后的剖视图。图16是将图15中的承载板及第三抗蚀刻层去除后的剖视图。主要元件符号说明LED封装结构100绝缘层12反射层10导电图案11LED13封装胶体14第一表面121第二表面122环状凸起123收容槽124第一导电块111第二导电块112散热导电块113驱动组件15静电保护组件16锡球17承载板20上表面21下表面22凹槽23凸块24第一抗蚀刻层31第二抗蚀刻层32第一抗蚀刻层开口33第一防镀膜层34第二防镀膜层35第一防镀膜层开口36第三防镀膜层37第四防镀膜层38第二防镀膜层开口39第三抗蚀刻层40如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图1至图2,本专利技术第一实施例提供一种LED封装结构100,包括:一绝缘层12、一反射层10、导电图案11、LED13及封装胶体14。所述绝缘层12包括相对的第一表面121及第二表面122,所述第一表面121侧形成有一环状凸起123,所述环状凸起123合围形成一收容槽124。所述环状凸起123及所述收容槽124的截面均为梯形。所述绝缘层12的材质为环氧树脂、硅胶、硅树脂及聚邻苯二甲酰胺。本实施例中,所述绝缘层12的材质环氧塑封料(epoxymoldingcompound,EMC)。所述绝缘层12与所述收容槽124对应的区域形成有贯穿收容槽124槽底及第二表面122的通孔。所述反射层10即形成于所述环状凸起123的顶面、内侧面、外侧面,以及形成于所述收容槽124底面的边缘,且为连续。所述收容槽124底面的反射层10与所述第一表面121齐平。所述反射层10的材质为金属材料,如金属镍、金属镍金或金属镍铬等。所述导电图案11形成于所述绝缘层12的所述通孔。所述导电图案11远离所述收容槽124的表面与所述第二表面122齐平。所述导电图案11包括多个第一导电块111、多个第二导电块112及多个散热导电块113。所述多个第一导电块111、多个第二导电块112及多个散热导电块113均相间隔,且所述第一导电块111的尺寸大于所述第二导电块112的尺寸。所述第一导电块111及散热导电块113靠近所述收容槽124的表面被形成于所述收容槽124底面的反射层10所覆盖。所述第二导电块112的靠近所述收容槽124的表面凹设于所述第一表面121。所述多个散热导电块113形成多条散热通道。优选地,所述导电图案11的材质为铜。所述LED13通过锡球焊接于所述第二导电块112靠近所述绝缘层12的第一表面121侧的表面,所述LED13底部及周围封装有封装胶体14。所述封装胶体14优选采用荧光粉、环氧树脂等混合形成。所述LED13的数量优选为多个,且优选呈阵列排布。本实施例中,所述第二导电块112的靠近所述绝缘层12的第二表面122侧的表面还焊接有驱动组件15及静电保护组件16,在所述第一导电块111的靠近所述绝缘层12的第二表面122侧的表面还形成锡球17。在其他实施例中,所述多个散热导电块113也可以相连形成一条相通的散热通道。请一并参阅图3-16,本专利技术第二实施例提供一种上述LED封装结构100的制作方法,包括如下步骤:第一步,请参阅图3,提供一承载板20,所述承载板20由金属材料制成。所述承载板20包括相对的上表面21及下表面22。本实施例中,所述承载板20的材质为铜。第二步,请一并参阅图4-6,在所述承载板20上形成一个凹槽23,所述凹槽23自所述上表面21向所述承载板20内部凹陷。本实施例中,所述凹槽23为环形,所述承载板20的部分区域被所述凹槽23环绕,形成一凸块24,所述凸块24对应的所述上表面21为方形。所述凹槽23的形成方式包括:首先,请参阅图4,在所述承载板20的上表面21及下表面22上分别形成第一抗蚀刻层31及第二抗蚀刻层32,所述第一抗蚀刻层31形成有环状的第一抗蚀刻层开口33,所述承载板20的部分上表面21暴露于所述第一抗蚀刻层开口33中。本实施例中,所述第一及第二抗蚀刻层31、32均为干膜;通过曝光及显影等工艺去除部分所述第一抗蚀刻层31,从而得到所述第一抗蚀刻层开口33。之后,请参阅图5,通过铜蚀刻液化学蚀刻所述承载板20,从而在所述承载板20上未被所述第一及第二抗蚀刻层31、32覆盖的表面,也即对应所述第一抗蚀刻层开口33的位置形成所述凹槽23。本实施例中,自所述上表面21向所述承载板20内部,所述凹槽23的尺寸逐渐减小,也即其截面大致为梯形,且因侧蚀的影响,所述凹槽23在所述上表面21的开口尺寸大于所述第一抗蚀刻层开口33的尺寸。然后,请参阅图6,去除所述第一及第本文档来自技高网...
LED封装结构的制作方法

【技术保护点】
一种LED封装结构的制作方法,包括步骤:提供承载板,所述承载板包括相对的上表面及下表面,在所述上表面形成一个环形的凹槽,所述承载板的部分区域被所述凹槽环绕,形成一凸块;在所述凹槽的表面、以及与所述凸块对应的所述上表面靠近所述凹槽的边缘区域形成一反射层;之后,在与所述凸块对应的所述上表面形成导电图案;在所述导电图案间隙及所述凹槽内填充绝缘层;去除所述承载板,所述绝缘层与所述凸块对应的位置形成一收容槽;以及在所述收容槽内收容LED,且使所述LED焊接于所述导电图案,从而形成LED封装结构。

【技术特征摘要】
1.一种LED封装结构的制作方法,包括步骤:提供承载板,所述承载板包括相对的上表面及下表面,在所述上表面形成一个环形的凹槽,所述承载板的部分区域被所述凹槽环绕,形成一凸块;在所述凹槽的表面、以及与所述凸块对应的所述上表面靠近所述凹槽的边缘区域形成一反射层;之后,在与所述凸块对应的所述上表面形成导电图案;在所述导电图案间隙及所述凹槽内填充绝缘层;去除所述承载板,所述绝缘层与所述凸块对应的位置形成一收容槽;以及在所述收容槽内收容LED,且使所述LED焊接于所述导电图案,从而形成LED封装结构。2.如权利要求1所述的LED封装结构的制作方法,其特征在于,所述凹槽的形成方式包括步骤:在所述承载板的上表面及下表面上分别形成第一抗蚀刻层及第二抗蚀刻层,所述第一抗蚀刻层形成有环状的第一抗蚀刻层开口,所述承载板的部分上表面暴露于所述第一抗蚀刻层开口中;之后,通过蚀刻液蚀刻所述承载板,从而在所述承载板上未被所述第一及第二抗蚀刻层覆盖的表面,也即对应所述第一抗蚀刻层开口的位置形成所述凹槽,其中,所述凹槽的截面为梯形,且自所述凹槽开口向槽底方向,所述凹槽的尺寸逐渐减小,所述凹槽在所述上表面的开口尺寸大于所述第一抗蚀刻层开口的尺寸;以及然后,去除所述第一及第二抗蚀刻层。3.如权利要求1所述的LED封装结构的制作方法,其特征在于,通过激光烧蚀形成所述凹槽,其中,所述凹槽的截面为梯形,且自所述凹槽开口向槽底方向,所述凹槽的尺寸逐渐减小。4.如权利要求1所述的LED封装结构的制作方法,其特征在于,所述反射层的材质为镍、镍金或镍铬,所述反射层的形成方式包括步骤:在所述承载板的上表面及下表面上分别形成第一防镀膜层及第二防镀膜层,
\t所述第一防镀膜层形成有环状的第一防镀膜层开口,所述凹槽以及所述凸块靠近所述凹槽的上表面暴露于所述第一防镀膜层开口中;之后,在暴露于所述第一防镀膜层开口中的上表面及所述凹槽的底面与侧面镀覆形成所述反射层,其中,通过电镀、溅镀或化学镀的方式镀覆形成所述反射层;然后,去除所述第一防镀膜层及第二防镀膜层。5.如权利要求1所述的LED封装结构的制作方法,其特征在于,所述导电图案包括多个第一导电块及多个第二导电块;所述多个第一导电块形成在所述反射层远离所述凸块的部分表面,所述第二导电块形成在所述上表面与所述凸块对应且未被所述反射层覆盖的区域。6.如权利要求5所述的LED封装结构的制作方法,其特征在于,所述LED焊接于所述第二导电块,在焊接所述LED之后,还包括步骤:在所述第二导电块的远离所述收容槽的表面焊接驱动组件及静电保护组件,并在所述第一导电块的远离所述收容槽表面形成锡球。7.如权利要求5所述的LED封装结构的制作方法,其特征在于,所述导电图案还包括多个散热导电块;所述多个散热导电块形成在所述反射层远离所述凸块的部分表面,所述多个散热导电块形成多条散热通道。8.如权利要求1所述的LED封装结构的制作方法,其特征在于,所述导电图案的形成方式包括步骤:在所述承载板的上表面侧及下表面侧分别形成第三防镀膜层及第四防镀膜层,所述第三防镀膜层覆盖部分所述上表面并填充所述凹槽,所述第三防镀膜层形成有多个第二防镀膜层开口,所述凸块部分暴露于所述第二防镀膜层开口内,所述多个第二防镀膜层开口与要形成的导电图案对应;之后,在暴露于所述第二防...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄昱程
申请(专利权)人:碁鼎科技秦皇岛有限公司臻鼎科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:河北;13

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