一种过孔的制作方法及显示基板的制作方法技术

本发明专利技术公开一种过孔的制作方法及显示基板的制作方法，涉及显示技术领域，解决了因过孔的坡度角较大而导致显示基板的良率较低的问题。所述过孔的制作方法包括：在待制作过孔的薄膜上形成光刻胶；对光刻胶进行n次曝光，形成曝光区，曝光区与过孔对应，其中，各次对光刻胶进行曝光，光刻胶的曝光厚度之和等于光刻胶的初始厚度，且第i次曝光时采用的光的波长小于第i‑1次曝光时采用的光的波长，n≥2，2≤i≤n；对薄膜中与曝光区对应的区域进行刻蚀，形成过孔。本发明专利技术提供的过孔的制作方法用于制作过孔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种过孔的制作方法及显示基板的制作方法。
技术介绍
目前，在显示基板的制作工艺中，通常需要在不同层的两个导电层之间的薄膜中制作过孔，以实现位于不同层的两个导电层的连接。现有技术中，制作过孔时，通常在待制作过孔的薄膜上形成光刻胶，然后对光刻胶进行一次曝光，形成曝光区，曝光区与过孔对应，然后对薄膜与曝光区对应的区域进行刻蚀，形成过孔。采用上述方法制作过孔时，由于对光刻胶进行曝光后，光刻胶内形成的孔状结构的孔壁相对薄膜朝向光刻胶的表面的坡度较大，甚至接近垂直，因而对薄膜与曝光区对应的区域进行刻蚀后，形成的过孔的坡度角通常较大，完成过孔的制作后，在薄膜上形成导电层时，形成导电层的材料不容易在过孔的孔壁上沉积，因而导致位于薄膜两侧的两个导电层之间出现断线的现象，从而降低显示基板的良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种过孔的制作方法及显示基板的制作方法，用于解决因过孔的坡度角较大而导致显示基板的良率较低的技术问题。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：本专利技术的第一方面提供一种过孔的制作方法，包括：在待制作过孔的薄膜上形成光刻胶；对所述光刻胶进行n次曝光，形成曝光区，所述曝光区与所述过孔对应，其中，各次对所述光刻胶进行曝光，所述光刻胶的曝光厚度之和等于所述光刻胶的初始厚度，且第i次曝光时采用的光的波长小于第i-1次曝光时采用的光的波长，n≥2，2≤i≤n；对所述薄膜中与所述曝光区对应的区域进行刻蚀，形成所述过孔。本专利技术的第二方面提供一种显示基板的制作方法，所述显示基板的制作方法包括如上述技术方案所述的过孔的制作方法。本专利技术提供的过孔的制作方法中，对光刻胶进行n次曝光，各次对光刻胶进行曝光时，光刻胶的曝光厚度之和等于光刻胶的初始厚度，且第i次曝光时采用的光的波长小于第i-1次曝光时采用的光的波长，因而第i次曝光时光投射在光刻胶上形成的光斑小于第i-1次曝光时光投射在光刻胶上形成的光斑，因而第i次曝光时被曝光的光刻胶在薄膜上的正投影落入第i-1次曝光时被曝光的光刻胶在薄膜上的正投影，因此，经过对光刻胶的n次曝光后，光刻胶内形成的孔状结构呈倒锥台状，相比于现有技术中只对光刻胶进行一次曝光后形成的孔状结构相比，采用本专利技术提供的过孔的制作方法制作过孔时，在光刻胶内形成的孔状结构的孔壁相对薄膜朝向光刻胶的表面的坡度较小，因而对薄膜与曝光区对应的区域进行刻蚀后，形成的过孔也呈倒锥台状，过孔的坡度角较小，完成过孔的制作后，在薄膜上形成导电层时，形成导电层的材料较易在过孔的孔壁上沉积，因而可以防止位于薄膜两侧的导电层之间出现断线的现象，从而提高显示基板的良率。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术实施例提供的过孔的制作方法的流程图一；图2为本专利技术实施例提供的过孔的制作方法的流程图二；图3为本专利技术实施例提供的过孔的制作方法的流程图三；图4为本专利技术实施例提供的显示基板的结构示意图；图5-图12为制作图4中CNT过孔的工艺过程示意图。附图标记：1-衬底基板，2-第一栅极，3-第二栅极，4-第一栅极绝缘层，5-第二栅极绝缘层，6-有源层，7-刻蚀阻挡层，8-第一源极，9-第一漏极，10-钝化层，11-像素电极，12-光刻胶，13-第一次被曝光光刻胶，14-第二次被曝光光刻胶，15-掩膜板，16-孔状结构，A-CNT过孔，B-ESL过孔，C-PVX过孔。具体实施方式为了进一步说明本专利技术实施例提供的过孔的制作方法及显示基板的制作方法，下面结合说明书附图进行详细描述。请参阅图1，本专利技术实施例提供的过孔的制作方法包括：步骤S100、在待制作过孔的薄膜上形成光刻胶；步骤S200、对光刻胶进行n次曝光，形成曝光区，曝光区与过孔对应，其中，各次对光刻胶进行曝光，光刻胶的曝光厚度之和等于光刻胶的初始厚度，且第i次曝光时采用的光的波长小于第i-1次曝光时采用的光的波长，n≥2，2≤i≤n；步骤S300、对薄膜与曝光区对应的区域进行刻蚀，形成过孔。具体地，在待制作过孔的薄膜上形成光刻胶(Photoresist，PR胶)后，将制作过孔用的掩膜板置于光刻胶上方，然后开启光源，光源发出的光穿过掩膜板上与过孔对应的曝光孔，并投射在光刻胶上，以对光刻胶进行曝光，对光刻胶进行曝光时，通过控制对光刻胶进行曝光的曝光时间来控制光刻胶的曝光厚度。对光刻胶进行曝光时，光穿过掩膜板上的曝光孔，投射在光刻胶上时，掩膜板上的曝光孔通常较小，因而光穿过掩膜板上的曝光孔时会发生衍射，投射在光刻胶上的光为衍射光斑，其中，对光刻胶进行曝光的光斑可以认为是衍射光斑中的中央明纹，因此，可以近似认为光穿过掩膜板上的曝光孔时发生的衍射为夫琅禾费(JosephvonFraunhofer)圆孔衍射，根据夫琅禾费圆孔衍射的原理，可以根据一级暗纹的衍射角来确定中央明纹的尺寸，通常，一级暗纹的衍射角越大，中央明纹的尺寸越大，其中，一级暗纹的衍射角可以为：sinθ=0.61λR---(1)]]>公式(1)中，λ为对光刻胶进行曝光时所采用的光的波长，R为掩膜板上的曝光孔的半径，θ为一级暗纹的衍射角。从公式(1)中可以看出，一级暗纹的衍射角θ与对光刻胶进行曝光时所采用的光的波长λ成正比，即对光刻胶进行曝光时所采用的光的波长λ越大，一级暗纹的衍射角θ也越大。在本专利技术实施例中，对光刻胶进行n次曝光，各次对光刻胶进行曝光时，光刻胶的曝光厚度之和等于光刻胶的初始厚度，且第i次曝光时采用的光的波长小于第i-1次曝光时采用的光的波长，n≥2，2≤i≤n，也就是说，在薄膜上涂布光刻胶后，依次采用具有不同波长的光对光刻胶进行n次曝光，第一次对光刻胶进行曝光时采用的光的波长最大，之后对光刻胶进行曝光时采用的光的波长依次减小，并对每次曝光的曝光时间进行控制，每次曝光时均具有一定的曝光厚度，其中，第i-1次曝光时，光刻胶靠近上表面的部分厚度被曝光，第i次曝光时，紧挨位于第i-1次曝光后形成的结构的光刻胶的部分厚度被曝光，完成n次曝光时，光刻胶在厚度上完全曝光；根据公式(1)可以知道，由于第一次对光刻胶进行曝光时采用的光的波长最大，之后对光刻胶进行曝光时采用的光的波长依次减小，因而，第一次对光刻胶进行曝光时光刻胶的曝光面积最大，之后对光刻胶进行曝光时光刻胶的曝光面积逐渐减小，且后一次对光刻胶进行曝光后形成的曝光区在薄膜上的正投影落入前一次对光刻胶进行曝光后形成的曝光区在薄膜上的正投影，因此，采用上述方式对光刻胶进行n次曝光后，在光刻胶内形成的孔状结构呈倒锥台状，孔状结构的孔壁相对薄膜朝向光刻胶的表面的坡度较小。由上述可知，本专利技术实施例提供的过孔的制作方法中，对光刻胶进行n次曝光，各次对光刻胶进行曝光时，光刻胶的曝光厚度之和等于光刻胶的初始厚度，且第i次曝光时采用的光的波长小于第i-1次曝光时采用的光的波长，也就是说，且第i次曝光时光投射在光刻胶上形成的光斑小于第i-1次曝光时光投射在光刻胶上形成的光斑，因而第i次曝光时被曝光的光刻胶在薄膜上的正投影落入第i-1次曝光时被曝光的光刻胶在薄膜上的正投影，因此，经过对光刻胶的n次曝光后，光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过孔的制作方法，其特征在于，包括：在待制作过孔的薄膜上形成光刻胶；对所述光刻胶进行n次曝光，形成曝光区，所述曝光区与所述过孔对应，其中，各次对所述光刻胶进行曝光，所述光刻胶的曝光厚度之和等于所述光刻胶的初始厚度，且第i次曝光时采用的光的波长小于第i‑1次曝光时采用的光的波长，n≥2，2≤i≤n；对所述薄膜中与所述曝光区对应的区域进行刻蚀，形成所述过孔。

【技术特征摘要】
1.一种过孔的制作方法，其特征在于，包括：在待制作过孔的薄膜上形成光刻胶；对所述光刻胶进行n次曝光，形成曝光区，所述曝光区与所述过孔对应，其中，各次对所述光刻胶进行曝光，所述光刻胶的曝光厚度之和等于所述光刻胶的初始厚度，且第i次曝光时采用的光的波长小于第i-1次曝光时采用的光的波长，n≥2，2≤i≤n；对所述薄膜中与所述曝光区对应的区域进行刻蚀，形成所述过孔。2.根据权利要求1所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述对所述光刻胶进行n次曝光的步骤包括：完成对所述光刻胶进行n次曝光之后，去除被曝光的所述光刻胶。3.根据权利要求1所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述对所述光刻胶进行n次曝光的步骤包括：在每次对所述光刻胶进行曝光后，去除该次对所述光刻胶进行曝光后，被曝光的所述光刻胶。4.根据权利要求1所述的过孔的制作方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏同上，王东方，杜生平，袁广才，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11