终端结构制造方法技术

技术编号:14339018 阅读:66 留言:0更新日期:2017-01-04 11:45
本发明专利技术提供一种终端结构制造方法,包括:在外延层表面上形成多个环形阻挡层;进行第一次离子注入并驱入,形成第一漂移区、以及位于相邻第一漂移区之间的场限环;去除所述环形阻挡层;在器件表面形成光刻胶,去除位于预先定义的源区上方和位于所述第一漂移区上方的部分区域内的所述光刻胶,进行第二次离子注入,第二次离子注入的类型为第二导电类型,形成所述器件的源区和与所述第一漂移区交替排布的第二漂移区。本发明专利技术提供的终端结构制造方法,制造工艺简单,成本低廉,可以有效降低终端区表面电场,从而提高终端区耐压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片制造工艺领域,尤其涉及一种终端结构制造方法
技术介绍
功率器件的耐压能力主要取决于器件结构中特定PN结的反偏击穿电压,而功率MOSFET为了得到一定的电流能力,通常由很多的元胞并联组成。在器件反向耐压时,由于元胞和元胞之间的横向电场相互抵消,因此击穿一般不会发生在元胞内部。但是最外围的元胞会由于电场集中而发生击穿。因此就需要特定的结构来降低电场从而提高击穿电压,这些特殊结构称之为终端结构。终端结构大致可分为截断型和延伸型两大类,也有少数结构是二者的结合。其中延伸型是在主结边缘处设置一些延伸结构,这些结构将主结耗尽区向外扩展,从而起到降低其电场强度提高击穿电压的作用。目前常用的延伸型终端结构主要包括:场板技术,场限环技术,结终端扩展(JTE)技术,横向变掺杂技术(VLD),以及降低表面电场(resurf)技术等。其中降低表面电场技术是在浮空的场限环之间增加一系列交替排列的更高掺杂的P/N相间的漂移区形成的。具体如图1A和图1B所示,图1A和图1B分别为一种终端结构的剖面示意图和俯视示意图,其中,1为外延层,2为场限环,3为第一漂移区,4为第二漂移区。从原理上讲,该终端结构结构的原理和超结的原理类似,当器件反偏时,位于相邻的场限环2之间交替的重掺杂P/N漂移区3和4会互相耗尽,产生降低表面电场的效应,从而将场限环区的电场变成矩形,降低表面电场峰值,从而大大提高了相邻场限环之间的耐压。采用这种结构可以解决由于高压器件中终端区面积过大和器件制作过程中引入的界面电荷所引起的雪崩耐量退化问题。目前形成上述终端结构一般需通过进行三次光刻三次注入才能形成,工艺复杂,成本较高。
技术实现思路
本专利技术提供一种终端结构制造方法,用于解决现有的终端结构制造工艺复杂的问题。本专利技术提供一种终端结构制造方法,包括:在外延层表面上形成阻挡层,对所述阻挡层进行刻蚀,形成多个环形阻挡层;进行第一次离子注入并驱入,第一次离子注入的类型为第一导电类型,形成位于所述多个环形阻挡层下方的外延层表面内的第一漂移区、以及位于相邻所述第一漂移区之间的场限环;去除所述环形阻挡层,按照预设工艺,形成器件的栅极和体区;在器件表面形成光刻胶,去除位于预先定义的源区上方和位于所述第一漂移区上方的部分区域内的所述光刻胶,进行第二次离子注入,第二次离子注入的类型为第二导电类型,形成所述器件的源区和与所述第一漂移区交替排布的第二漂移区,并去除剩余的所述光刻胶。本专利技术提供的终端结构制造方法,进行第一次离子注入并驱入后,形成自内向外交替排布的环形场限环和环形的第一漂移区,形成器件的栅极和体区后,在形成器件的源区的同时,利用源区光刻同时定义第二漂移区,并通过进行第二次离子注入,形成源区和沿着环形与所述第一漂移区交替排布的第二漂移区,制造工艺简单,成本低廉,可以有效降低终端区表面电场,从而提高终端区耐压。附图说明图1A和图1B分别为本专利技术实施例中终端结构的剖面示意图和俯视示意图;图2为本专利技术实施例提供的终端结构制作方法的流程示意图;图3A为本专利技术实施例中形成阻挡层之后终端结构的剖面结构图;图3B和图3C分别为本专利技术实施例中形成多个环形阻挡层之后终端结构的剖面结构图和俯视结构图;图3D为本专利技术实施例中进行第一次离子注入并驱入之后终端结构的剖面结构图;图3E为本专利技术实施例中去除环形阻挡层之后终端结构的剖面结构图;图3F为本专利技术实施例中去除部分光刻胶之后终端结构的剖面结构图;图3G为本专利技术实施例中形成介质层之后之后终端结构的剖面结构图;图4为器件的各区域位置示意图。附图标记:1-外延层;2-场限环;3-第一漂移区;4-第二漂移区;5-阻挡层;6-光刻胶;7-介质层;具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。为了方便说明,放大或者缩小了不同层和区域的尺寸,所以图中所示大小和比例并不一定代表实际尺寸,也不反映尺寸的比例关系。图2为本专利技术实施例提供的一种终端结构制作方法的流程示意图,为了对本实施例中的方法进行清楚系统的描述,图3A-图3G为本实施例执行过程中终端结构的结构示意图,如图2所示,所述方法包括以下步骤:101、在外延层表面上形成阻挡层,对所述阻挡层进行刻蚀,形成多个环形阻挡层。具体地,执行101中形成阻挡层之后的所述终端结构的剖面结构图如图3A所示,执行101中形成多个环形阻挡层之后的所述终端结构的剖面结构图和俯视结构图分别如图3B和图3C所示,其中,所述外延层用标号1表示,所述阻挡层用标号5表示。在实际应用中,所述外延层具体可以为在半导体衬底上生长的一层或多层半导体层。其中,所述半导体衬底可以为半导体元素,例如单晶硅、多晶硅或非晶结构的硅或硅锗(SiGe),也可以为混合的半导体结构,例如碳化硅、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓或锑化镓、合金半导体或其组合。本实施例在此不对其进行限制。实际应用中,所述阻挡层具体可以为氧化硅层、氮化硅层或者氧化铝层,用于作为后续形成第一漂移区的注入阻挡层。可选的,可以通过热氧化的方式在所述外延层的表面上生长氧化硅层,以形成阻挡层。具体的,所述阻挡层的厚度可以取决于第一漂移层的深度,可选的,为了提高终端结构所要保护的器件的反向特性,所述阻挡层的厚度具体可以为500~1500埃。所述外延层的导电类型可以根据实际的器件结构确定,以VDMOS器件为例,所述外延层的导电类型可以为N型,本实施例在此不对其进行限制。102、进行第一次离子注入并驱入,第一次离子注入的类型为第一导电类型,形成位于所述多个环形阻挡层下方的外延层表面内的第一漂移区、以及位于相邻所述第一漂移区之间的场限环。具体地,执行102之后的所述终端结构的剖面结构图如图3D所示,其中,所述场限环用标号2表示,所述第一漂移区用标号3表示。所述第一导电类型同样可以根据实际的器件结构确定,仍以VDMOS器件为例,所述第一导电类型可以为P型,相应的,第二导电类型为N型。其中,第一次离子注入的参数可以根据实际器件的结构和需要确定。具体的,为了更加有效地降低器件的表面电场,以提高器件的耐压特性,102中进行第一次离子注入,具体可以包括:进行第一次离子注入,且注入的离子为硼离子,注入的能量为100~140千电子伏(KeV),注入的剂量为8×1014~6×1015/平方厘米。优选的,所述第一次离子注入的能量为120千电子伏,注入的剂量为3×1015/平方厘米。具体的,驱入的参数可以根据实际器件的结构以及场限环的深度确定,具体的,同样为了进一步提高器件的耐压特性,102中驱入的温度为1100~1200摄氏度,驱入的时间为120~240分钟。优选的,驱入的温度可以为1150摄氏度。具体的,由于在相邻的场限环之间存在阻挡层,因此场限环的注入深度大于第一漂移区的深度。也就是说,通过位于相邻场限环之间的阻挡层,在相邻的场环区之间形成了浅结,即第一漂移区。后续的,在离子注入后,完成热驱入过程。103、去除所述环形阻挡层,按照预设工艺,形成器件的栅极和体区。具体地,执行103中去除所述环形阻挡层之后的所述终端结构的俯视结构图如图3E所本文档来自技高网
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终端结构制造方法

【技术保护点】
一种终端结构制造方法,其特征在于,包括:在外延层表面上形成阻挡层,对所述阻挡层进行刻蚀,形成多个环形阻挡层;进行第一次离子注入并驱入,第一次离子注入的类型为第一导电类型,形成位于所述多个环形阻挡层下方的外延层表面内的第一漂移区、以及位于相邻所述第一漂移区之间的场限环;去除所述环形阻挡层,按照预设工艺,形成器件的栅极和体区;在器件表面形成光刻胶,去除位于预先定义的源区上方和位于所述第一漂移区上方的部分区域内的所述光刻胶,进行第二次离子注入,第二次离子注入的类型为第二导电类型,形成所述器件的源区和与所述第一漂移区交替排布的第二漂移区,并去除剩余的所述光刻胶。

【技术特征摘要】
1.一种终端结构制造方法,其特征在于,包括:在外延层表面上形成阻挡层,对所述阻挡层进行刻蚀,形成多个环形阻挡层;进行第一次离子注入并驱入,第一次离子注入的类型为第一导电类型,形成位于所述多个环形阻挡层下方的外延层表面内的第一漂移区、以及位于相邻所述第一漂移区之间的场限环;去除所述环形阻挡层,按照预设工艺,形成器件的栅极和体区;在器件表面形成光刻胶,去除位于预先定义的源区上方和位于所述第一漂移区上方的部分区域内的所述光刻胶,进行第二次离子注入,第二次离子注入的类型为第二导电类型,形成所述器件的源区和与所述第一漂移区交替排布的第二漂移区,并去除剩余的所述光刻胶。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述进行第一次离子注入,包括:进行第一次离子注入,且注入的离子为硼离子,注入的能量为100~140千电子伏,注入的剂量为8×1014~6×1015/平方厘米。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一次离子注入的能量为120千电子伏,注入的剂量为3×1015/平方厘米。4.根据权利要求1所述的方法,...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵圣哲马万里李理
申请(专利权)人:北大方正集团有限公司深圳方正微电子有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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