【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路驱动
,尤其涉及应用于需要驱动行业的一种可以改善可控硅调光深度的可控硅调光LED驱动电源及其调光控制方法。
技术介绍
与传统光源相比,LED照明除了具有绿色、节能、环保等优点外,可调光也是其重要的优点。常见的调光方式包含模拟调光,PWM调光,墙壁开关调光以及可控硅调光。其中,可控硅调光的应用最为广泛,特别是在北美和西欧国家,几乎90%以上的灯具都采用可控硅调光。调光深度是可控硅调光灯具的重要指标,代表导通相位较小时,无闪烁的最低LED亮度。调光深度越深,终端用户的体验越佳。但在导通相位较小的情况下,一味地降低输出电流,纵然可以降低亮度,但输入电流也随之减小,一旦小于维持电流,可控硅提前关断,出现熄火(misfire)的现象,LED出现闪烁。另外,驱动芯片往往通过一个大电阻从母线取电,随着导通角的减小,供电电流随之减小,芯片供电不足导致重启,也会导致闪烁。基于此,高调光深度的可控硅调光的驱动电源的设计极具挑战性。参考图1,现有的可控硅调光LED驱动电源架构示意图。现有典型的可控硅调光LED驱动电源通常包含:可控硅调光器11,EMI(ElectroMagneticInterference,电磁干扰)滤波器12,整流桥堆13,储能滤波电容Cin,用于衰减可控硅导通时LC振荡的阻尼电阻R0,由电阻R1及电容C1组成的无源泄流电路,给驱动芯片14供电的电阻Rstart,芯片电源VCC的旁路电容Cvcc,由电感L0、二极管D0、电容Cout、LED灯串15、功率MOS管M0、电阻Rcs、驱动芯片14组成的升降压功率转换电路。典型的可控硅调 ...
【技术保护点】
一种调光控制电路,应用于可控硅调光LED驱动电源,所述驱动电源包括驱动芯片,其特征在于,所述调光控制电路包括输入平均电压采样模块,所述输入平均电压采样模块输入端电性连接驱动电源的输入电压端,输出端电性连接至所述驱动芯片的VLN引脚;所述输入平均电压采样模块用于采样所述驱动电源的输入平均电压并送入所述驱动芯片,以调节所述驱动电源的输入电流波形,从而改变调光深度。
【技术特征摘要】
1.一种调光控制电路,应用于可控硅调光LED驱动电源,所述驱动电源包括驱动芯片,其特征在于,所述调光控制电路包括输入平均电压采样模块,所述输入平均电压采样模块输入端电性连接驱动电源的输入电压端,输出端电性连接至所述驱动芯片的VLN引脚;所述输入平均电压采样模块用于采样所述驱动电源的输入平均电压并送入所述驱动芯片,以调节所述驱动电源的输入电流波形,从而改变调光深度。2.根据权利要求1所述的调光控制电路,其特征在于,所述输入平均电压采样模块包括:上拉电阻、下拉电阻、采样电阻以及采样电容;所述上拉电阻一端电性连接所述输入电压端,另一端电性连接所述下拉电阻的一端,同时电性连接所述采样电阻的一端;所述下拉电阻另一端接地;所述采样电阻另一端电性连接至所述驱动芯片的VLN引脚;所述采样电容一端电性连接至所述驱动芯片的VLN引脚,另一端接地。3.根据权利要求1所述的调光控制电路,其特征在于,所述输入平均电压采样模块包括:上拉电阻、下拉电阻、晶体管以及采样电容;所述上拉电阻一端电性连接所述输入电压端,另一端电性连接所述下拉电阻的一端,同时电性连接所述晶体管的控制端;所述下拉电阻另一端接地;所述晶体管的第一端电性连接所述输入电压端,第二端性连接至所述驱动芯片的VLN引脚;所述采样电容一端电性连接至所述驱动芯片的VLN引脚,另一端接地。4.根据权利要求3所述的调光控制电路,其特征在于,所述晶体管为N型MOS管,所述晶体管的控制端为N型MOS管的栅极、所述晶体管的第一端为N型MOS管的漏极、所述晶体管的第二端为N型MOS管的源极。5.一种可控硅调光LED驱动电源,包括调光控制电路、驱动芯片以及LED灯串,其特征在于,所述调光控制电路包括输入平均电压采样模块,所述输入平均电压采样模块输入端电性连接驱动电源的输入电压端,输出端电性连接至所述驱动芯片的VLN引脚;所述输入平均电压采样模块用于采样所述驱动电源的输入平均电压并送入所述驱动芯片,以调节所述驱动电源的输入电流波形,从而改变调光深度。6.根据权利要求5所述的驱动电源,其特征在于,所述输入平均电压采样模块采用权利要求2-4任意一项所述的输入平均电压采样模块。7.根据权利要求5所述的驱动电源,其特征在于,所述驱动电源还包括供电模块,所述供电模块一端电性连接至所述驱动芯片的HV引脚,并通过所述驱动芯片的HV引脚电性连接至所述LED灯串的正端,所述供电模块另一端电性连接至所述驱动芯片的VCC引脚;所述供电模块用于将所述LED灯串的正端电压提供给所述驱动芯片的VCC引脚。8.根据权利要求7所述的驱动电源,其特征在于,所述供电模块包括:一结型场效应晶体管、一电阻器、一第一三极管、一开关管以及一滞回比较器;所述结型场效应晶体管的漏极电性连接至所述驱动芯片的HV引脚,所述结型场效应晶体管的源极电性连接所述第一三极管的集电极,所述结型场效应晶体管的栅极...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑儒富,闾建晶,
申请(专利权)人:上海晶丰明源半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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