【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种LED芯片,具体涉及一种新型高效高压LED芯片,属于光电子发光器件
技术介绍
目前,LED芯片的光提取效率已经成为限制LED发光效率的主要因素。现有提高芯片的光提取效率的技术途径,都集中于改善芯片的正面的出光效率对LED芯片的侧面发光出光效率并无改善。此外,LED芯片出光效率低的主要原因之一是外延材料的折射率远大于空气折射率,而传统的高压直流LED芯片的图形往往采用矩形单元的布局,使有源区产生的光由于全内反射不能从LED中有效的发射出去,导致LED的外量子效率很低
技术实现思路
本技术提供了一种新型高效高压LED芯片,提升了LED整体的出光效率,同时增大了LED芯片的电压,对提高芯片的亮度和功率卓有成效。为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案是:一种新型高效高压LED芯片,包括蓝宝石层、芯片单元、隔离槽、连接线、GaN缓冲层、N型GaN、量子阱发光层和P型GaN,其特征在于,还包括导光柱,所述的蓝宝石层上依次设有GaN缓冲层、N型GaN、量子阱发光层和P型GaN,上述限制层上蚀刻隔离出多个独立的呈阵列分布的芯片单元,各个芯片单元之间设有隔离槽,彼此之间由连接线进行串联,每个芯片单元的边缘刻有导光柱。上述的位于中间的芯片单元为三角形,位于四周边缘的为直角梯形。上述的芯片单元的发光面积和电流密度相等。上述的隔离槽的深度向下延伸至蓝宝石层。上述的导光柱的横截面形状为波浪形、三角形或半圆形。上述的所有芯片单元分别为平行排列,通过连接线将所有芯片单元进行串联。本技术至少具有如下技术效果或优点:提升了LED整体的出光效率,同时增大了LED芯片的电压 ...
【技术保护点】
一种新型高效高压LED芯片,包括蓝宝石层(1)、芯片单元(2)、隔离槽(3)、连接线(5)、GaN缓冲层(6)、N型GaN(7)、量子阱发光层(8)和P型GaN(9),其特征在于:还包括导光柱(4),所述的蓝宝石层(1)上依次设有GaN缓冲层(6)、N型GaN(7)、量子阱发光层(8)和P型GaN(9),上述限制层上蚀刻隔离出多个独立的呈阵列分布的芯片单元(2),各个芯片单元(2)之间设有隔离槽(3),彼此之间由连接线(5)进行串联,每个芯片单元(2)的边缘刻有导光柱(4)。
【技术特征摘要】
1.一种新型高效高压LED芯片,包括蓝宝石层(1)、芯片单元(2)、隔离槽(3)、连接线(5)、GaN缓冲层(6)、N型GaN(7)、量子阱发光层(8)和P型GaN(9),其特征在于:还包括导光柱(4),所述的蓝宝石层(1)上依次设有GaN缓冲层(6)、N型GaN(7)、量子阱发光层(8)和P型GaN(9),上述限制层上蚀刻隔离出多个独立的呈阵列分布的芯片单元(2),各个芯片单元(2)之间设有隔离槽(3),彼此之间由连接线(5)进行串联,每个芯片单元(2)的边缘刻有导光柱(4)。2.根据权利要求1所述的一种新型高效高压LED芯片,其特征在于:所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈锦全,
申请(专利权)人:肇庆市欧迪明科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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