公开了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括:第一基板,包括第一型腔;腔模,被构造为插入到所述第一型腔中并且包括第二型腔;电子组件,插入到所述第二型腔中;第二基板,形成在所述第一基板的表面、所述腔模的表面和所述电子组件的表面上。
【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年6月18日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0086885号韩国专利申请的权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
以下描述涉及一种半导体封装件和制造该半导体封装件的方法。
技术介绍
半导体技术的快速进步已在半导体封装领域显示出积极发展,诸如,以系统级封装(SIP)、芯片级封装(CSP)和倒装芯片封装(FCP)为例,其中,诸如半导体器件的电子组件被预安装在印刷电路板中并被构造为封装件。随着电子组件变得越来越小以及更加集成化,输入和输出的数量已增加,因此,安装有电子组件的封装件板的焊盘的数量也增加。因此,封装件板需要具有精细的间距,从而增加了封装件板的制造成本。为了应对封装件板的精细的间距,在电子组件与封装件板之间通常形成有插入件。本说明书的现有技术已在专利号为US 6,861,288的美国专利中公开。本公开引用的包括公开文件、专利申请和专利的全部文件可在每个被引用的文件被分开且特定地包含或被全部包含时按照与之相同的方式通过引用全部包含于此。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
,以按照简化的形式来介绍选择的构思,所述选择的构思将在以下的具体实施方式中被进一步描述。本
技术实现思路
并非意在确定要求保护的主题的关键特征或必要特征,也并非意在用于帮助确定要求保护的主题的范围。在一个总的方面中,提供一种可省略其中的再分配层或插入件的封装件板和制造封装件板的方法。在另一总的方面中,提供一种具有高整合性和高密度的电路层的封装件板和制造封装件件板的方法。在另一总的方面中,提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:第一基板,包括第一型腔;腔模,被构造为插入到所述第一型腔中并且包括第二型腔;电子组件,插入到所述第二型腔中;第二基板,形成在所述第一基板的表面、所述腔模的表面和所述电子组件的表面上。可在所述第二基板上方设置多个电子组件。所述腔模可包括被构造为容纳所述多个电子组件的多个第二型腔。所述腔模可由绝缘材料制成。所述腔模可由半固化片制成。所述腔模可由半固化片、金属或陶瓷中的至少一种制成。所述腔模的另一表面与所述电子组件的另一表面可置于同一平面上。所述第二基板可包括绝缘层和电路层,且所述绝缘层可由光敏绝缘材料制成。所述第一基板可包括绝缘层和电路层。所述腔模可被构造为防止所述绝缘层流到所述电子组件中。腔模的使所述电子组件插入的表面可以是平坦的。在另一总的方面中,提供一种制造半导体封装件的方法,所述方法包括:制备包括形成了第一型腔的第一基板,制备包括第二型腔的腔模,在所述第二型腔中插入电子组件,在所述第一型腔中插入所述腔模,在所述第一基板的表面、所述腔模的表面和所述电子组件的表面上形成第二基板。所述腔模可由绝缘材料制成。所述腔模可由半固化片制成。所述腔模可由金属或陶瓷制成。所述腔模可包括形成在其上的多个第二型腔。所述电子组件的插入可包括在所述多个第二型腔中插入多个电子组件。所述腔模的另一表面和所述电子组件的另一表面可置于同一平面上。所述第二基板可包括绝缘层和电路层,且所述绝缘层可由光敏绝缘材料制成。其他特征和方面将通过以下的具体实施方式、附图和权利要求而明显。附图说明图1是示出半导体封装件的示例的示图。图2是示出半导体封装件的示例的示图。图3是示出形成封装件板的方法的示例的示图。图4至图12是示出形成半导体封装件的方法的示例的示图。在整个附图和具体实施方式中,相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制,为了清楚、说明和方便起见,可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。具体实施方式提供以下详细描述来帮助读者获得对这里描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而,这里描述的方法、设备和/或系统的各种变化、修改和等同物对于本领域普通技术人员将是明显的。这里描述的操作的顺序仅是示例,并不局限于在此阐述的操作顺序,而是除了必须以特定顺序发生的操作外,可如本领域普通技术人员将理解的那样改变。此外,为了更加清楚和简洁,可省去本领域普通技术人员所公知的功能和结构的描述。这里描述的特征可按照不同的形式实现,并且不应被解释为局限于这里描述的示例。更确切地说,已提供这里描述的示例使得本公开将是彻底的和完整的,并将本公开的全部范围传达给本领域的普通技术人员。相同或相对应的元件不管图号都将被赋予相同的标号,并且将不重复对相同或相对应的元件的多余描述。贯穿本公开的说明书,当描述一种特定的相关传统技术被确定为避开了本公开的要点时,将省略相关的详细描述。诸如“第一”和“第二”的术语可被用于描述各种元件,但以上元件不应受限于以上术语。以上术语只用于使一个元件与其他元件区分开。在附图中,一些元件可被夸大、省略或简要示出,并且元件的尺寸不一定反映这些元件的实际尺寸。图1示出了根据第一实施例的半导体封装件的示例。参照图1,半导体封装件100包括第一基板110、腔模120、电子组件130和第二基板140。第一基板110包括第一绝缘层111和第一电路层112中的至少一层。第一绝缘层111由通常用作层间绝缘材料的聚合物树脂的复合物制成。例如,第一绝缘层111由诸如(例如)半固化片、ABF(ajinomoto build-up film)、FR-4(flame retardant 4)或BT(bismaleimide triazine)的环氧树脂制成。第一电路层112由导电材料制成。例如,第一电路层112由铜制成。然而,用于第一电路层112的材料不仅限于铜,第一电路层112可以由电路板领域中已知的任意的形成电路的导电材料制成。第一型腔115形成在第一基板110中。第一型腔115形成在第一基板110的一个表面上。在此示例中,第一基板110的形成有第一型腔115的表面与第二基板140接触或电连接。第一型腔115的尺寸和形状使得当腔模120插入在第一型腔115中时适于将腔模120固定到第一基板110。腔模120插入到第一基板110的第一型腔115中并固定到第一基板110的第一型腔115。第二型腔125形成在腔模120中。第二型腔125形成在腔模120的一个表面上。在此示例中,腔模120的形成有第二型腔125的表面与第二基板140接触。第二型腔125的尺寸和形状使得当电子组件130插入在第二型腔125中时适于将电子组件130固定到腔模120。腔模120由绝缘材料制成。例如,腔模120由半固化片制成。在另一示例中,腔模120由金属或陶瓷制成。通过使腔模120由金属或陶瓷制成,电子组件130产生的热可向外传递。因此,半导体封装件100的散热性能可通过使用金属或陶瓷形成腔模120而得到改进。腔模120可在腔模120插入第一基板110中时或在形成第二基板140时保护电子组件130。腔模120用作保护壁使得第一基板110的第一绝缘层111不流向电子组件130。由于腔模120阻止第一绝缘层111流动,因此可形成精密地设计的半导体封装件100。电子组件130插入在腔模120的第二型腔125中。当电子组件130布置在第二基板140上方时,电子组件130保持插入在腔模120中。此外,可使电子组件130与第一基板110电连接。在此示例中,电子组件130可以是能够安装在半导体封装件100中的任何类型的组件。在此本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体封装件,包括:第一基板,包括第一型腔;腔模,被构造为插入到所述第一型腔中并且包括第二型腔;电子组件,插入在所述第二型腔中;第二基板,形成在所述第一基板的表面、所述腔模的表面和所述电子组件的表面上。
【技术特征摘要】
2015.06.18 KR 10-2015-00868851.一种半导体封装件,包括:第一基板,包括第一型腔;腔模,被构造为插入到所述第一型腔中并且包括第二型腔;电子组件,插入在所述第二型腔中;第二基板,形成在所述第一基板的表面、所述腔模的表面和所述电子组件的表面上。2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,多个电子组件设置在所述第二基板之上。3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述腔模包括被构造为容纳所述多个电子组件的多个第二型腔。4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述腔模由绝缘材料制成。5.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,所述腔模由半固化片制成。6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述腔模由半固化片、金属或陶瓷中的至少一种制成。7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述腔模的另一表面与所述电子组件的另一表面置于同一平面上。8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第二基板包括绝缘层和电路层,且所述绝缘层由光敏绝缘材料制成。9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一基板包括绝...
【专利技术属性】
技术研发人员:白龙浩,
申请(专利权)人:三星电机株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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