具有UBM的封装件及其形成方法技术

本发明专利技术公开了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括：集成电路管芯；至少横向地密封集成电路管芯的密封剂；位于集成电路管芯和密封剂上的重分布结构；连接至重分布结构的支撑金属化层的连接件；伪图案；第二介电层；以及位于支撑金属化层的连接件上的外部连接件。重分布结构包括第一介电层，第一介电层具有远离密封剂和集成电路管芯设置的第一表面。伪图案位于第一介电层的第一表面上和支撑金属化层的连接件周围。第二介电层位于第一介电层的第一表面上和伪图案的至少部分上。第二介电层不接触支撑金属化层的连接件。本发明专利技术还涉及具有UBM的封装件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
本申请涉及2015年1月26日提交的标题为“Package with UBM and Methods of Forming”的美国专利申请第14/605,848号，其全部内容通过引用结合于此作为参考。本申请涉及于2014年9月15日提交的标题为“UBM Metal Profile for Reliability Improvement”的美国临时专利申请第62/050,550号，其全部内容通过引用结合于此作为参考。
本专利技术涉及具有UBM的封装件及其形成方法。
技术介绍
例如，半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人电脑、移动手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层并且使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百的集成电路。通过沿着划线来锯切集成电路来分割单个的管芯。然后例如，诸如单独地或以多芯片模式或以其他封装类型来单独地封装单个管芯。半导体产业通过持续减小最小部件的大小来不断改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件被集成到给定的区域内。在一些应用中，这些诸如集成电路管芯的更小的电子组件也需要更小的封装件，这些更小的封装件比过去的封装件利用更少的区域。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，根据本专利技术的一些实施例，提供了一种封装件结构，包括：集成电路管芯；密封剂，至少横向地密封所述集成电路管芯；重分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上，所述重分布结构包括第一介电层，所述第一介电层具有远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置的第一表面；支撑金属化层的连接件，所述金属化层连接至所述重分布结构，所述支撑金属化层的连接件具有第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一介电层的所述第一表面上并且所述第二部分在穿过所述第一介电层的开口中延伸；伪图案，位于所述第一介电层的所述第一表面上并且位于所述支撑金属化层的连接件周围；第二介电层，位于所述第一介电层的所述第一表面上并且位于所述伪图案的至少部分上，所述第二介电层不接触所述支撑金属化层的连接件；以及外部连接件，位于所述支撑金属化层的连接件上。根据本专利技术的另一些实施例，提供了一种封装件结构，包括：集成电路管芯；密封剂，至少横向地密封所述集成电路管芯；重分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上，所述重分布结构包括第一介电层，所述第一介电层远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置；支撑金属化层的连接件，所述金属化层连接至所述重分布结构，所述支撑金属化层的连接件具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分位于所述第一介电层的第一表面上，所述第二部分沿着穿过所述第一介电层的第一开口的底面延伸，并且所述第三部分沿着所述第一开口的侧壁延伸且位于所述第一部分和所述第二部分之间，接合点形成在所述第二部分接触所述第三部分的位置处；第二介电层，位于所述第一介电层的所述第一表面上和所述支撑金属化层的连接件的所述第一部分、所述第三部分和所述第二部分的至少一部分上；以及外部连接件，穿过第二开口并且位于所述支撑金属化层的连接件上，所述第二开口穿过所述第二介电层。根据本专利技术的又一些实施例，提供了一种方法，包括：用密封剂密封集成电路管芯；在所述集成电路管芯和所述密封剂上形成重分布结构，所述重分布结构包括第一介电层，所述第一介电层具有远离所述集成电路管 芯和所述密封剂设置的第一表面；在所述重分布结构上形成凸块下金属化层(UBM)和伪图案，所述伪图案围绕所述第一介电层的所述第一表面上的所述UBM；在所述第一介电层的所述第一表面上且在所述伪图案的至少一部分上形成第二介电层，其中，在形成所述第二介电层之后，所述第二介电层不接触所述UBM；以及在所述UBM上形成外部电连接件。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1至图14是根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。图15是根据一些实施例的封装件结构的截面图。图16是根据一些实施例的封装件结构的截面图。图17、图18、图19A、图20和图21是根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。图19B是根据一些实施例的凸块下金属化层(UBM)和伪图案的布局图。图22是根据一些实施例的封装件结构的截面图。图23是根据一些实施例的封装件结构的截面图。图24、图25、图26A、图27和图28是根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。图26B是根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图的更详细部分。图26C是根据一些实施例的穿过介电层的UBM和开口的布局图。图29是根据一些实施例的封装件结构的截面图。图30是根据一些实施例的封装件结构的截面图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。可以在具体环境中讨论本文中论述的实施例，即，具有扇出或扇入晶圆级封装件的封装件结构。其他实施例预期其他应用，诸如不同的封装类型或不同的配置对阅读本专利技术的本领域普通技术人员而言将是显而易见的。应当注意，本文中论述的实施例不必示出可能存在于结构中的每一个组件或部件。例如，诸如当论述的组件中的一个可以足够传达实施例的各方面时，多个组件可以从图中省略。此外，本文中论述的方法实施例可以被论述为按照特定顺序实施；然而，可以以任何逻辑顺序实施其他方法实施例。图1至图14是根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。图1示出了载体衬底20和在载体衬底20上形成的释放层22。载体衬底20可以是玻璃载体衬底、陶瓷载体衬底等。载体衬底20可以是晶圆。释放层22可以由聚合物基材料形成，可以从将在后续步骤中形成的上覆的结构一起去除释放层22与载物基底20。在一些实施例中，释放层22是诸如光热转换(LTHC)释放涂层的环氧基热释放材料，其当被加热时将失去其粘合性能。在其他实施例中，释放层22可以是紫外 (UV)胶，当暴露于UV光时，其失去其粘合性能。释放层22本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装件结构，包括：集成电路管芯；密封剂，至少横向地密封所述集成电路管芯；重分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上，所述重分布结构包括第一介电层，所述第一介电层具有远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置的第一表面；支撑金属化层的连接件，所述金属化层连接至所述重分布结构，所述支撑金属化层的连接件具有第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一介电层的所述第一表面上并且所述第二部分在穿过所述第一介电层的开口中延伸；伪图案，位于所述第一介电层的所述第一表面上并且位于所述支撑金属化层的连接件周围；第二介电层，位于所述第一介电层的所述第一表面上并且位于所述伪图案的至少部分上，所述第二介电层不接触所述支撑金属化层的连接件；以及外部连接件，位于所述支撑金属化层的连接件上。

【技术特征摘要】
2015.03.27 US 14/671,4771.一种封装件结构，包括：集成电路管芯；密封剂，至少横向地密封所述集成电路管芯；重分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上，所述重分布结构包括第一介电层，所述第一介电层具有远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置的第一表面；支撑金属化层的连接件，所述金属化层连接至所述重分布结构，所述支撑金属化层的连接件具有第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一介电层的所述第一表面上并且所述第二部分在穿过所述第一介电层的开口中延伸；伪图案，位于所述第一介电层的所述第一表面上并且位于所述支撑金属化层的连接件周围；第二介电层，位于所述第一介电层的所述第一表面上并且位于所述伪图案的至少部分上，所述第二介电层不接触所述支撑金属化层的连接件；以及外部连接件，位于所述支撑金属化层的连接件上。2.根据权利要求1所述的封装件，还包括位于所述伪图案的至少部分上的粘合层。3.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述伪图案围绕和限定所述第一介电层的所述第一表面的区域，所述支撑金属化层的连接件位于所述第一介电层的所述第一表面的所述区域中，所述第二介电层不接触所述第一介电层的所述第一表面的所述区域。4.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述伪图案的宽度与所述第一介电层的所述第一表面平行，所述第二介电层位于横向地远离所述支撑金属化层的连接件的所述伪图案的所述宽度的至少一半上。5.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述伪图案的宽度与所述第一介电层的所述第一表面平行，所述第二介电层位于横向地远离所述支撑
\t金属化层的连接件的所述伪图案的所述宽度的一半上，所述第二介电层不位于横向地邻近所述支撑金属化层的连接件的所述伪图案的所述宽度的一半上。6.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宪伟，黄立贤，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71