一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源制造技术

本发明专利技术公开了一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，变压器T，场效应管MOS1，三极管VT1，二极管D1，极性电容C3，电流调节电路，串接在二极管整流器U1的正极输出端与三极管VT1的发射极之间的波纹尖峰抑制电路，串接在控制芯片U2与变压器T之间的脉冲触发电路，以及串接在三极管VT1的集电极与变压器T原边电感线圈L3之间的微处理电路组成。本发明专利技术能对电压和电流的高瞬态进行调节，防止电流的频点出现漂移，使电压和电流保持平稳，从而确保了本发明专利技术能输出稳定的电压，能防止LED灯光出现闪烁的现象，有效的延长了LED的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，具体的说，是一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源。
技术介绍
在全球能源短缺、环保要求不断提高的背景下，世界各国均大力发展绿色节能照明。LED照明作为一种革命性的节能照明技术，正在飞速发展，其中可调光LED的亮度能根据环境亮度进行调节而被人们广泛使用。然而，现有LED调光驱动电源存在输出电压不稳定的问题，致使LED灯光出现闪烁的现象，严重的影响了LED的使用寿命，从而无法满足人们的要求。因此，提供一种输出电压稳定的LED调光驱动电源便是当务之急。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的现有的现有LEDLED灯调光驱动电源存在输出电压不稳定的缺陷，提供的一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源。本专利技术通过以下技术方案来实现：一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，变压器T，场效应管MOS1，三极管VT1，串接在二极管整流器U1的正极输出端与三极管VT1的发射极之间的波纹尖峰抑制电路，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地的极性电容C1，负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接、正极与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C2，P极与场效应管MOS1的栅极相连接、N极经电阻R1后与场效应管MOS1的源极相连接的二极管D1，一端与场效应管MOS1的栅极相连接、另一端与二极管D1的N极相连接的电感L1，正极与三极管VT1的基极相连接、负极经电阻R20后与控制芯片U2的VDD管脚相连接的极性电容C3，正极与变压器T副边电感线圈的L5的非同名端相连接、负极与变压器T副边电感线圈的L5的同名端相连接的极性电容C12，分别与变压器T原边电感线圈L4的同名端和控制芯片U2以及二极管D1的N极相连接的电流调节电路，串接在控制芯片U2与变压器T之间的脉冲触发电路，以及串接在三极管VT1的集电极与变压器T原边电感线圈L3之间的微处理电路组成。所述二极管整流器U1的负极输出端还与场效应管MOS1的漏极相连接；所述三极管VT1的发射极分别与二极管D1的N极和控制芯片U2的DIM管脚相连接；所述微处理电路还与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接；所述变压器T原边电感线圈L4的非同名端接地。所述波纹尖峰抑制电路由放大器P，场效应管MOS4，三极管VT5，N极经电阻R26后与场效应管MOS4的源极相连接、P极与二极管整流器U1的正极输出端相连接的二极管D11，正极经电阻R25后与二极管D11的P极相连接、负极接地的极性电容C14，P极与场效应管MOS4的漏极相连接、N极与极性电容C14的负极相连接的二极管D12，正极与二极管D11的N极相连接、负极经电阻R27后与二极管D12的N极相连接的极性电容C15，一端与极性电容C15的正极相连接、另一端与三极管VT5的发射极相连接的可调电阻R28，负极与放大器P的正极相连接、正极经电阻R29后与二极管D11的N极相连接的极性电容C16，一端与极性电容C16的正极相连接、另一端接地的电阻R30，P极与三极管VT5的基极相连接、N极经电阻R32后与放大器P的负极相连接的二极管D13，负极经电阻R35后与放大器P的输出端相连接、正极经电阻R33后与二极管D13的N极相连接的极性电容C18，以及正极经电阻R34后与极性电容C18的负极相连接、负极经电阻R31后与三极管VT5的集电极相连接的极性电容C17组成；所述极性电容C17的负极与二极管D13的N极相连接后接地；所述三极管VT5的集电极还与二极管D12的N极相连接；所述场效应管MOS4的栅极与可调电阻R28的可调端相连接；所述极性电容C18的负极还与三极管VT1的发射极相连接。所述电流调节电路由三极管VT2，场效应管MOS2，N极经电阻R21后与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接、P极电阻R2后与三极管VT2的集电极相连接的二极管D2，P极与三极管VT2的集电极相连接、N极经电阻R3后与控制芯片U2的DIM管脚相连接的二极管D3，一端与二极管D3的N极相连接、另一端与控制芯片U2的DIM管脚相连接的电感L2，正极与三极管VT2的基极相连接、负极经电阻R4后与控制芯片U2的VS管脚相连接的极性电容C4，一端与极性电容C4的正极相连接、另一端与场效应管MOS2的源极相连接的电阻R5，正极与极性电容C4的负极相连接、负极经电阻R10后与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C6，一端与极性电容C6的正极相连接、另一端与控制芯片U2的COM管脚相连接的电阻R6，P极与场效应管MOS2的源极相连接、N极与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D5，P极与三极管VT2的发射极相连接、N极可调电阻R7后与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D4，以及正极与二极管D4的N极相连接、负极顺次经电阻R8和电阻R9后与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C5组成；所述二极管D4的N极与场效应管MOS2的栅极相连接；所述极性电容C6的负极与控制芯片U2的NC管脚相连接后接地。所述脉冲触发电路由三极管VT3，三极管VT4，P极经电阻R14后与控制芯片U2的CS管脚相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的二极管D6，正极与三极管VT3的基极相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C7，P极电阻R11后与三极管VT3的集电极相连接、N极经电阻R13后与三极管VT4的集电极相连接的二极管D7，负极经可调电阻R18后与变压器T副边电感线圈L5的非同名端相连接、正极与二极管D7的P极相连接的极性电容C8，一端与极性电容C8的负极相连接、另一端与二极管D7的P极相连接的电阻R12，正极与控制芯片U2的GATE管脚相连接、负极经电阻R15后与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C9，N极与极性电容C9的负极相连接、P极经电阻R19后与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接的二极管D8，正极与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接、负极经电阻R16后与二极管D8的N极相连接的极性电容C11，以及正极与变压器T副边电感线圈L5的同名端相连接、负极经电阻R17后与三极管VT4的发射极相连接的极性电容C10组成；所述极性电容C11的负极还与三极管VT4的发射极相连接；所述极性电容C10的负极还与极性电容C8的正极相连接；所述三极管VT4的基极与三极管VT3的发射极相连接；所述极性电容C7的正极还与控制芯片U2的NC管脚相连接。所述微处理电路由场效应管MOS3，P极与场效应管MOS3的源极相连接、N极与变压器T与原边电感线圈L3的非同名端相连接后接地的稳压二极管D9，一端与变压器T与原边电感线圈L3的同名端相连接、另一端与场效应管MOS3的漏极相连接的可调电阻R24，N极与变压器T与原边电感线圈L3的同名端相连接、P极经电阻R23后与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D10，以及负极与二极管D10的P极相连接、正极经电阻R22后与场效应管MOS3的漏极相连接的极性电容C13组成；所述场效应管MOS3的栅极与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接；所述极性电容C13的正极与三极管VT1的集电极相连接。为了本专利技术的实际使用效果，所述控制芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，变压器T，场效应管MOS1，三极管VT1，串接在二极管整流器U1的正极输出端与三极管VT1的发射极之间的波纹尖峰抑制电路，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地的极性电容C1，负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接、正极与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C2，P极与场效应管MOS1的栅极相连接、N极经电阻R1后与场效应管MOS1的源极相连接的二极管D1，一端与场效应管MOS1的栅极相连接、另一端与二极管D1的N极相连接的电感L1，正极与三极管VT1的基极相连接、负极经电阻R20后与控制芯片U2的VDD管脚相连接的极性电容C3，正极与变压器T副边电感线圈的L5的非同名端相连接、负极与变压器T副边电感线圈的L5的同名端相连接的极性电容C12，分别与变压器T原边电感线圈L4的同名端和控制芯片U2以及二极管D1的N极相连接的电流调节电路，串接在控制芯片U2与变压器T之间的脉冲触发电路，以及串接在三极管VT1的集电极与变压器T原边电感线圈L3之间的微处理电路组成；所述二极管整流器U1的负极输出端还与场效应管MOS1的漏极相连接；所述三极管VT1的发射极分别与二极管D1的N极和控制芯片U2的DIM管脚相连接；所述微处理电路还与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接；所述变压器T原边电感线圈L4的非同名端接地。...

【技术特征摘要】
1.一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，变压器T，场效应管MOS1，三极管VT1，串接在二极管整流器U1的正极输出端与三极管VT1的发射极之间的波纹尖峰抑制电路，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地的极性电容C1，负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接、正极与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C2，P极与场效应管MOS1的栅极相连接、N极经电阻R1后与场效应管MOS1的源极相连接的二极管D1，一端与场效应管MOS1的栅极相连接、另一端与二极管D1的N极相连接的电感L1，正极与三极管VT1的基极相连接、负极经电阻R20后与控制芯片U2的VDD管脚相连接的极性电容C3，正极与变压器T副边电感线圈的L5的非同名端相连接、负极与变压器T副边电感线圈的L5的同名端相连接的极性电容C12，分别与变压器T原边电感线圈L4的同名端和控制芯片U2以及二极管D1的N极相连接的电流调节电路，串接在控制芯片U2与变压器T之间的脉冲触发电路，以及串接在三极管VT1的集电极与变压器T原边电感线圈L3之间的微处理电路组成；所述二极管整流器U1的负极输出端还与场效应管MOS1的漏极相连接；所述三极管VT1的发射极分别与二极管D1的N极和控制芯片U2的DIM管脚相连接；所述微处理电路还与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接；所述变压器T原边电感线圈L4的非同名端接地。2.根据权利要求1所述的一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源，其特征在于，所述波纹尖峰抑制电路由放大器P，场效应管MOS4，三极管VT5，N极经电阻R26后与场效应管MOS4的源极相连接、P极与二极管整流器U1的正极输出端相连接的二极管D11，正极经电阻R25后与二极管D11的P极相连接、负极接地的极性电容C14，P极与场效应管MOS4的漏极相连接、N极与极性电容C14的负极相连接的二极管D12，正极与二极管D11的N极相连接、负极经电阻R27后与二极管D12的N极相连接的极性电容C15，一端与极性电容C15的正极相连接、另一端与三极管VT5的发射极相连接的可调电阻R28，负极与放大器P的正极相连接、正极经电阻R29后与二极管D11的N极相连接的极性电容C16，一端与极性电容C16的正极相连接、另一端接地的电阻R30，P极与三极管VT5的基极相连接、N极经电阻R32后与放大器P的负极相连接的二极管D13，负极经电阻R35后与放大器P的输出端相连接、正极经电阻R33后与二极管D13的N极相连接的极性电容C18，以及正极经电阻R34后与极性电容C18的负极相连接、负极经电阻R31后与三极管VT5的集电极相连接的极性电容C17组成；所述极性电容C17的负极与二极管D13的N极相连接后接地；所述三极管VT5的集电极还与二极管D12的N极相连接；所述场效应管MOS4的栅极与可调电阻R28的可调端相连接；所述极性电容C18的负极还与三极管VT1的发射极相连接。3.根据权利要求2所述的一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源，其特征在于，所述电流调节电路由三极管VT2，场效应管MOS2，N极经电阻R21后与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接、P极电阻R2后与三极管VT2的集电极相连接的二极管D2，P极与三极管VT2的集电极相连接、N极经电阻R3后与控制芯片U2的DIM管脚相连接的...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：成都翰道科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51