LED封装体制造技术

一种LED封装体，包括基板、设置于基板上的LED芯片、将LED芯片收容在内的反射杯，还包括设置在反射层顶端的封装层，所述封装层由透明胶体与多种量子点混合而成，所述每种量子点具有不同的粒径，这些不同粒径的量子点激发不同波长的光线并使激发后的光线在封装层中混合后出射。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种照明装置，特别涉及一种LED封装体。
技术介绍
发光二极管(LED)以其节能、环保、持久耐用等特性已经被广泛的应用在照明领域中。单个的LED芯片只能产生单一波长的单色光，而日常照明中普遍以白光光源为主。为了满足日常的照明需求，目前通常LED芯片通过采用如下两种方式产生白光：一是将分别产生红、绿、蓝色光的的LED芯片组合排布在一起，使其各自产生的单色光混合而成白光；另一种做法是采用蓝光LED芯片搭配黄色荧光粉，通过激发荧光粉产生黄光与蓝光混合产生白光。然而上述方式产生的白光，因单一的LED芯片的出光角度较小使得红绿蓝LED芯片组合后因混光不均匀而导致色彩饱和度欠佳，以及荧光粉受蓝光芯片激发程度不一而使制得的白光LED周缘色彩饱和度不高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种具有高色彩饱和度且产生白光的LED封装体。一种LED封装体，包括基板、设置于基板上的LED芯片、将LED芯片收容在内的反射杯，还包括设置在反射层顶端的封装层，所述封装层由透明胶体与多种量子点混合而成，所述每种量子点具有不同的粒径，这些不同粒径的量子点激发不同波长的光线并使激发后的光线在封装层中混合后出射。在本专利技术中，自LED芯片出射蓝光经封装胶进入封装层后，所述不同的量子点吸收蓝光后分别激发出绿光、红光。所激发的绿光、红光与LED芯片自身产生的蓝光混合而成白光后自封装层出射。所述量子点受激发的程度相当，且量子点在封装层中各处的密度相同，使得LED封装体各处出光的色彩饱和度高。附图说明图1为本专利技术第一实施例所述发光二极管封装体的剖视图。图2为本专利技术第一实施例所述发光二极管封装体中所述量子点激发光的示意图。图3为图1所述发光二极管封装体的光路图。图4为本专利技术第二实施例所述发光二极管封装体的剖视图。图5为本专利技术第三实施例所述发光二极管封装体的剖视图。主要元件符号说明发光二极管封装体100、100a、100b基板10上表面101下表面102LED芯片20导线21反射杯30顶面31内壁32封装胶40封装层50透明胶体51量子点52第一量子点521第二量子点522散射体53扩散层60如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式如图1所示，本专利技术第一实施例所述发光二极管封装体100包括一基板10、设置于基板10上的LED芯片20、反射杯30、填充于反射杯30内的封装胶40，以及设置于反射杯30之上的封装层50。所述基板10为由散热材料制成的板体，其具有一上表面101和与上表面101相对的下表面102。所述LED芯片20设置于基板10的上表面101且通过导线21与基板10电连通。在本实施例中，所述LED芯片20为蓝光芯片。所述反射杯30设置于基板10的上表面101并围绕所述LED芯片20、导线21。在本实施例中，所述反射杯30与基板10为一体成型。可以理解的，所述反射杯30与基板10可独立成型，然后通过粘结等手段结合在一起。所述反射杯30呈环状，其包括一水平的顶面31、自顶面31里端朝向基板10的上表面101向下、向内倾斜延伸而成的内壁32。所述反射杯30的外侧壁33自顶面31的外端朝向与基板10垂直方向延伸且与基板10的外侧壁共面。自LED芯片20产生的光线经反射杯30的内壁32的反射后自反射杯30的顶面31的上方出射。所述内壁32上可设置一层高反射率材料制成的反射层(图未示)或者粗糙结构(图未示)，从而进一步的提高反射杯30的反射效率。所述封装胶40由透明材料制成，其填充于所述反射杯30内并包覆所述LED芯片20、导线21于其内。所述封装胶40的顶部与反射杯30的顶面31共面。所述封装胶40用于防止外部的水汽、灰尘等微粒与LED芯片20接触而影响其发光特性。所述封装层50设于所述的反射杯30之上且密封所述封装胶体40于反射杯30内，其外周缘与反射杯30外侧壁33共面。所述封装层50厚度均匀。所述封装层50由透明胶体51与量子点52混合而成。所述量子点52的密度在封装层50中处处一致。所述透明胶体51可与所述封装胶40的材料相同。所述量子点52为由II-VI族化合物与III-V族化合物产生化学反应而成的颗粒状的晶体，并在该晶体外部包覆一层有机或无机分子而形成最终的球形的微粒。所述量子点52也可以由II-VI族化合物或者III-V族化合物组成。所述量子点52的直径为2-20纳米。所述II-VI族化合物为 BeS, BeSe, BeTe, MgSe, CdS, CdSe, CdTe 等；所述III-V族化合物为 AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaP, GaAs, InP, InAs等。所述量子点52因其自身的粒径不同和形成材料的能带结构不同而会激发不同光波。在本实施例中，所述量子点52包括第一量子点521和第二量子点522。所述第一量子点521和第二量子点522按照特定的比例混合于透明胶体51中。具体的，第一量子点521和第二量子点522在所述透明胶体51中各处密度一致，其具体的混合比例取决于发光二极管封装体的色温值。请同时参考图2，在本实施例中，所述量子点52的材料相同，所述量子点52激发光波的波长与所述量子点52的粒径呈正比。所述第一量子点521的粒径为5-6nm，所述第一量子点521吸收蓝光后因自身能级结构发生变化而激发出红光；所述第二量子点522的粒径为2.5-3nm，所述第二量子点522吸收蓝光后因自身能级结构发生变化而激发出绿光。如图3所示，在本专利技术中，自LED芯片20出射蓝光经封装胶40进入封装层50后，所述第一量子点521吸收蓝光后激发出绿光，所述第二量子点522吸收蓝光后激发出红光。所激发的绿光、红光与LED芯片20自身产生的蓝光在封装层50中混合后生成白光自封装层50出射。所述第一量子点521和第二量子点522受所述LED芯片20产生的蓝光的激发程度一致，且所述第一量子点521和第二量子点522在所述封装层50中各处的密度一致，因此LED封装体100各处出射光线的色彩饱和度高。如图4所示，本专利技术第二实施例中所述发光二极管封装体100a与第一实施例中所述发光二极管封装体100相似，不同之处在于：在所述发光二极管封装体100a中，所述封装层50中还包括有散射体53。所述散射体53由高反射率材料制成。因此自LED芯片20出射的光线进入所述封装层50后，光线会被散射体53扩散，从而增加了光线在封装层50内的路径而增加了光线撞击量子点52的几率。如此可增加量子点52的利用率而提高光线被激发程度而达到较高的色彩饱和度，而且在保证混光效果和饱和度的同时也可以减少量子点52的数量而降低生产成本。如图5所示为本专利技术第三实施例中所述发光二极管封装体100b，其与第一实施例所述发光二极管封装体100不同之处在于：还包括一扩散层60。所述扩散层60由透明胶体51与散射体53混合而成。所述扩散层60设置于反射杯30于所述封装层50之间。所述扩散层60的外周缘、封装层50的外周缘及反射杯30的外周缘均共面。自LED芯片出射的光线首先经扩散层60的扩散后进入封装层50。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED封装体，包括基板、设置于基板上的LED芯片、将LED芯片收容在内的反射杯，其特征在于：还包括设置在反射层顶端的封装层，所述封装层由透明胶体与多种量子点混合而成，所述每种量子点具有不同的粒径，这些不同粒径的量子点激发不同波长的光线并使激发后的光线在封装层中混合后出射。

【技术特征摘要】
1.一种LED封装体，包括基板、设置于基板上的LED芯片、将LED芯片收容在内的反射杯，其特征在于：还包括设置在反射层顶端的封装层，所述封装层由透明胶体与多种量子点混合而成，所述每种量子点具有不同的粒径，这些不同粒径的量子点激发不同波长的光线并使激发后的光线在封装层中混合后出射。2.如权利要求1所述LED封装体，其特征在于：同种材料制成的量子点激发光波的波长与所述量子点的粒径成正比。3.如权利要求1所述LED封装体，其特征在于：所述量子点由II-VI族化合物与III-V族化合物化学反应而成的颗粒状的晶体，并在该晶体外部包覆一层有机或无机分子而形成的球形微粒。4.如权利要求1所述LED封装体，其特征在于：所述量子点由II-VI族化合物或者III-V族化合物组成。5.如权利要求1所述LED封装体，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴丰源，胡朝景，陈柏洲，许志平，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44