一种S波段发射组件的末前级驱动放大模块制造技术

本实用新型专利技术属于雷达发射机领域，特别涉及一种S波段发射组件的末前级驱动放大模块。本实用新型专利技术包括第一移相器单元、第一隔离器单元、第二移相器单元、第一放大器单元、固定衰减器单元、第一电桥单元、第二放大器单元、第二电桥单元、第二隔离器单元、均衡器单元，所述第一移相器单元的输入端连接输入功率信号，所述第一移相器单元、第一隔离器单元、第二移相器单元、第一放大器单元、固定衰减器单元、第一电桥单元、第二放大器单元、第二电桥单元、第二隔离器单元、均衡器单元依次连接，均衡器单元的输出端连接输出功率信号，由于两级放大器单元的电路结构简单，且两级放大器单元均采用双极型硅功率管，因此本实用新型专利技术的性能稳定、价格低廉。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于雷达发射机领域，特别涉及一种S波段发射组件的末前级驱动放大模块。
技术介绍
现代雷达多采用固态发射机，而固态发射机按合成方式划分主要可以分为空间合成式和集中输出式，采用集中输出式固态发射机的情报雷达往往整机功率要求达到数十千瓦，分解到单个末级组件也通常达到了数千瓦的功率量级，要实现这个量级的功率输出需要在组件的最后一级放大电路中采用多路功率放大模块合成的方式，而这些多路功率放大模块的推动级即为末前级驱动放大模块的工作正常与否直接决定了末级组件甚至雷达整机的工作状态。现有技术中的末前级驱动放大模块技术不够成熟，且结构复杂、价格高、性能不稳定、散热效果较差，因此亟需提出一种结构简单、性能稳定、价格低廉、散热效果好的末前级驱动放大模块。
技术实现思路
本技术为了克服上述现有技术的不足，提供了一种S波段发射组件的末前级驱动放大模块，本技术提供了一种结构简单、性能稳定、价格低廉、散热效果好的末前级驱动放大模块。为实现上述目的，本技术采用了以下技术措施：一种S波段发射组件的末前级驱动放大模块，包括第一移相器单元，所述第一移相器单元的输入端连接输入功率信号，第一移相器单元的输出端连接第一隔离器单元的输入端，所述第一隔离器单元的输出端连接第二移相器单元的输入端，所述第二移相器单元的输出端连接第一放大器单元的输入端，所述第一放大器单元的输出端连接固定衰减器单元的输入端，所述固定衰减器单元的输出端连接第一电桥单元的输入端，所述第一电桥单元的输出端连接第二放大器单元的输入端，所述第二放大器单元的输出端连接第二电桥单元的输入端，所述第二电桥单元的输出端连接第二隔离器单元的输入端，所述第二隔离器单元的输出端连接均衡器单元的输入端。本技术还可以通过以下技术措施进一步实现。优选的，所述第一放大器单元包括第一双极型硅功率管，所述第一双极型硅功率管的发射极连接所述第二移相器单元的输出端，第一双极型硅功率管的集电极连接第一电容的一端、第二电容的一端、第三电容的一端、第一电阻的一端以及电源，所述第一电阻的另一端连接第四电容的一端，所述第二电容的另一端、第三电容的另一端、第四电容的另一端均接地，所述第一电容的另一端连接固定衰减器单元的输入端，所述第一双极型硅功率管的基极接地。优选的，所述第二放大器单元包括第二双极型硅功率管和第三双极型硅功率管，所述第二双极型硅功率管和第三双极型硅功率管的发射极均连接第一电桥单元的输出端，第二双极型硅功率管和第三双极型硅功率管的基极均接地，所述第二双极型硅功率管的集电极连接第五电容的一端、第六电容的一端、第九电容的一端、第十电容的一端、第二电阻的一端、第三电阻的一端、电源以及第三双极型硅功率管的集电极，所述第二电阻的另一端、第三电阻的另一端分别连接第七电容的一端、第八电容的一端，所述第六电容的另一端、第七电容的另一端、第八电容的另一端、第九电容的另一端均接地，所述第五电容的另一端、第十电容的另一端均连接第二电桥单元的输入端。优选的，所述第一放大器单元和第二放大器单元底板的材质均为紫铜并镀金，且底板的底部涂抹有用于导热的硅脂而形成导热层，第一放大器单元和第二放大器单元均安装于材质为铝的底座上。进一步的，所述第一双极型硅功率管的型号为美国MACOM公司生产的PH2729-65M。进一步的，所述第二双极型硅功率管和第三双极型硅功率管的型号均为美国MACOM公司生产的PH2729-130M。进一步的，所述第一隔离器单元的型号为中国电子科技集团公司第九研究所生产的GDZ9030A。更进一步的，所述固定衰减器单元的型号为美国FLORIDA RF公司生产的33-1001系列芯片。更进一步的，第一电桥单元、第二电桥单元的型号均为美国Anaren公司生产的1B0266-3。更进一步的，所述第二隔离器单元的型号为中国电子科技集团公司第九研究所生产的GDZ9031。本技术的有益效果在于：1)、本技术包括第一移相器单元、第一隔离器单元、第二移相器单元、第一放大器单元、固定衰减器单元、第一电桥单元、第二放大器单元、第二电桥单元、第二隔离器单元、均衡器单元，且两级放大器单元的电路结构简单，且两级放大器单元均包括双极型硅功率管，因此本技术的性能稳定、价格低廉。2)、所述第一放大器单元和第二放大器单元底板的材质均为紫铜并镀金，且底板的底部涂抹有用于导热的硅脂，保证了与底座的接触效果较好，从而利于热量的导出，第一放大器单元和第二放大器单元均安装于材质为铝的底座上，使得本技术的散热效果较好。3)、所述第一双极型硅功率管的型号为美国MACOM公司生产的PH2729-65M，所述第二双极型硅功率管和第三双极型硅功率管的型号均为美国MACOM公司生产的PH2729-130M，所述第一隔离器单元的型号为中国电子科技集团公司第九研究所生产的GDZ9030A，所述固定衰减器单元的型号为美国FLORIDA RF公司生产的33-1001系列芯片，第一电桥单元、第二电桥单元的型号均为美国Anaren公司生产的1B0266-3，所述第二隔离器单元的型号为中国电子科技集团公司第九研究所生产的GDZ9031；上述多个特定型号的部件互相配合，实现了本技术的最优设计。附图说明图1为本技术的系统组成原理图；图2为本技术的第一放大器单元的电路原理图；图3为本技术的第二放大器单元的电路原理图。图中的附图标记含义如下：10—第一移相器单元 20—第一隔离器单元 30—第二移相器单元40—第一放大器单元 50—固定衰减器单元 60—第一电桥单元70—第二放大器单元 80—第二电桥单元 90—第二隔离器单元100—均衡器单元具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，一种S波段发射组件的末前级驱动放大模块，包括第一移相器单元10，所述第一移相器单元10的输入端连接输入功率信号，第一移相器单元10的输出端连接第一隔离器单元20的输入端，所述第一隔离器单元20的输出端连接第二移相器单元30的输入端，所述第二移相器单元30的输出端连接第一放大器单元40的输入端，所述第一放大器单元40的输出端连接固定衰减器单元50的输入端，所述固定衰减器单元50的输出端连接第一电桥单元60的输入端，所述第一电桥单元60的输出端连接第二放大器单元70的输入端，所述第二放大器单元70的输出端连接第二电桥单元80的输入端，所述第二电桥单元80的输出端连接第二隔离器单元90的输入端，所述第二隔离器单元90的输出端连接均衡器单元100的输入端，所述均衡器单元100的输出端连接输出功率信号。如图2所示，所述第一放大器单元40包括第一双极型硅功率管V1，所述第一双极型硅功率管V1的发射极连接所述第二移相器单元30的输出端，第一双极型硅功率管V1的集电极连接第一电容C1的一端、第二电容C2的一端、第三电容C3的一端、第一电阻R1的一端以及电源，所述第一电阻R1的另一端连接第四本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种S波段发射组件的末前级驱动放大模块，其特征在于：包括第一移相器单元(10)，所述第一移相器单元(10)的输入端连接输入功率信号，第一移相器单元(10)的输出端连接第一隔离器单元(20)的输入端，所述第一隔离器单元(20)的输出端连接第二移相器单元(30)的输入端，所述第二移相器单元(30)的输出端连接第一放大器单元(40)的输入端，所述第一放大器单元(40)的输出端连接固定衰减器单元(50)的输入端，所述固定衰减器单元(50)的输出端连接第一电桥单元(60)的输入端，所述第一电桥单元(60)的输出端连接第二放大器单元(70)的输入端，所述第二放大器单元(70)的输出端连接第二电桥单元(80)的输入端，所述第二电桥单元(80)的输出端连接第二隔离器单元(90)的输入端，所述第二隔离器单元(90)的输出端连接均衡器单元(100)的输入端。

【技术特征摘要】
1.一种S波段发射组件的末前级驱动放大模块，其特征在于：包括第一移相器单元(10)，所述第一移相器单元(10)的输入端连接输入功率信号，第一移相器单元(10)的输出端连接第一隔离器单元(20)的输入端，所述第一隔离器单元(20)的输出端连接第二移相器单元(30)的输入端，所述第二移相器单元(30)的输出端连接第一放大器单元(40)的输入端，所述第一放大器单元(40)的输出端连接固定衰减器单元(50)的输入端，所述固定衰减器单元(50)的输出端连接第一电桥单元(60)的输入端，所述第一电桥单元(60)的输出端连接第二放大器单元(70)的输入端，所述第二放大器单元(70)的输出端连接第二电桥单元(80)的输入端，所述第二电桥单元(80)的输出端连接第二隔离器单元(90)的输入端，所述第二隔离器单元(90)的输出端连接均衡器单元(100)的输入端。2.如权利要求1所述的一种S波段发射组件的末前级驱动放大模块，其特征在于：所述第一放大器单元(40)包括第一双极型硅功率管(V1)，所述第一双极型硅功率管(V1)的发射极连接所述第二移相器单元(30)的输出端，第一双极型硅功率管(V1)的集电极连接第一电容(C1)的一端、第二电容(C2)的一端、第三电容(C3)的一端、第一电阻(R1)的一端以及电源，所述第一电阻(R1)的另一端连接第四电容(C4)的一端，所述第二电容(C2)的另一端、第三电容(C3)的另一端、第四电容(C4)的另一端均接地，所述第一电容(C1)的另一端连接固定衰减器单元(50)的输入端，所述第一双极型硅功率管(V1)的基极接地。3.如权利要求2所述的一种S波段发射组件的末前级驱动放大模块，其特征在于：所述第二放大器单元(70)包括第二双极型硅功率管(V2)和第三双极型硅功率管(V3)，所述第二双极型硅功率管(V2)和第三双极型硅功率管(V3)的发射极均连接第一电桥单元(60)的输出端，第二双极型硅功率管(V2)和第三双极型硅功率管(V3)的基极均接地，所述第二双极型硅功率管(V2)的集电极连接第五电容(C5)的一端、第六...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟欢，于龙，范青，刘磊承，甘成才，
申请(专利权)人：安徽四创电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34