一种用于制备量子碳素的石墨层间剥离装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于制备量子碳素的石墨层间剥离装置，包括壳体、设置在壳体内的剥离组件，壳体两端设有进口和出口并通过端盖封闭；剥离组件包括垂直设置的金属片A、金属片B、以及金属片C以及金属片D；所述金属片A、金属片B、金属片C以及金属片D对应结构为金属片结构A1、金属片结构A2、金属片结构B1以及金属片结构B2；其组合有金属片A‑金属片C、或金属片B‑金属片D、或金属片A‑金属片、或金属片D‑金属片A‑金属片B‑金属片C‑金属片D。本发明专利技术结构简单、成本低、易于控制，容易实现大规模化生产，且无三废产生，生产的单层石墨烯、多层石墨烯、以及碳结构粒子颗粒度均匀，纯度高、产品质量稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种剥离装置，尤其是涉及一种用于制备量子碳素的石墨层间剥离装置。
技术介绍
众所周知，碳元素是自然界中存在的与人类最密切相关、最重要的元素之一。它具有SP、SP2、SP3杂化的多样电子轨道特性，尤其是碳碳双键sp2杂化的异向性导致晶体的各向导性，使得以碳元素为唯一构成元素的碳素结构材料具有各式各样的性质，而且，新碳素材料还在不断被发现和人工制得。可以说，没有任何元素能像碳这样作为单一元素可形成像三维金刚石晶体、二维石墨层片、一维卡宾和碳纳米管、零维富勒烯分子等如此之多的结构与性质完全不同的物质。譬如碳素结构体中的石墨烯片材料就有太多优越性，而且在太阳能电池、传感器方面、纳米电子学、高性能纳电子器件、复合材料、场发射材料、气体传感器及能量存储等领域具有广泛的应用。近年来，科学家和致力于探索制备单层石墨烯的途径，尤其是要制备高质量、产率高、成本低、结构稳定的石墨烯的方法。目前公知比较成熟的制备石墨烯的方法主要有以下几种：①剥离法，包括微机械剥离法和溶剂剥离法等；②生长法，包括晶体外延生长、取向附生法、化学气相沉积等；③氧化还原石墨法，包括常用的Hummers法、Standenmaier法、Brodie法等；④其它方法，主要有电弧放电法、石墨层间化学物途径法、目前非常新颖的高温淬火法与碳纳米管剥开法等。其中氧化还原石墨法具有简单且多元化的工艺，是常用的制备石墨烯的方法，但只适合于实验室少量制备用于研究，大量制备容易产生大量废酸、废水等引起环境污染。同样，碳素结构体这些具有优秀性质的材料，到目前为止，其各种制备方法在成本和环保等方面还没有根本性的突破。规模化制备高质量、低成本、环保型的碳素晶体材料是所有应用的基础,发展低成本可控的制备方法是当下最急需解决的问题。量子碳素包括了粒径为0.3-100nm的碳素粒子的单层石墨烯、多层石墨烯、纳米碳结构体，在所述碳素粒子的表层具有含有碳、氢、氧、氮的化合物，所述含有碳、氢、氧、氮的化合物包括稠环芳烃、含有碳氧单键的化合物、含有碳氧双键的化合物、含有碳氢键的化合物。量子碳素是碳元素的一种热力学不稳定但动力学较稳定的亚稳定物质。构成量子碳素的基材是单分散碳原子或碳原子簇。以石墨烯为例，当石墨烯片层产生一定的弯曲结构时，则使处于平衡状态的碳原子具有一定的应力能并处于较高能量状态。不同碳同素异性体中碳元素所具有的能量各不相同，石墨中碳原子的能量为零为最稳定状态，富勒烯球C60中碳原子的能量最高达0.45eV，C240约为0.15eV，纳米碳管和金刚石中碳原子能量在0.02～0.03eV，要克服石墨烯弯曲结构的应力能,不同的碳同素异体的生成热有差别。最稳定的石墨其生成热Hf(g·c)为零；金刚石为1.67KJ/mol；C60为42.51KJ/mol；C70为40.38KJ/mol碳，要使石墨变成弯曲结构形成不同碳同素异体，必须从外部施加更高能量使之在受激状态下形成能量更高的单分散碳原子或碳原子簇.这些可控式激态能量的供给，可以通过本专利技术的特殊加工方法实现，并可以选择性的制备出不同碳结构体。
技术实现思路
本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种用于制备量子碳素的石墨层间剥离装置，其特征在于：包括壳体、设置在壳体内的剥离组件，壳体两端设有进口和出口并通过端盖封闭；剥离组件包括垂直设置的金属片A、金属片B、以及金属片C以及金属片D；所述金属片A、金属片B、金属片C以及金属片D对应结构为金属片结构A1、金属片结构A2、金属片结构B1以及金属片结构B2；其组合有金属片A-金属片C、或金属片B-金属片D、或金属片A-金属片、或金属片D-金属片A-金属片B-金属片C-金属片D。优选地，中金属片结构A1为均匀分布六角形通孔圆盘，圆盘中心为中心孔的中心。优选地，金属片结构B1和金属片结构A1的孔型尺寸相同，为均匀分布六角形通孔圆盘，但圆盘中心为金属片结构A1横向移动两孔中心直线距离的1/2处。优选地，其中金属片结构A2为均匀分布圆形通孔圆盘，圆盘中心为中心孔的中心；金属片结构B2和金属片结构A2的孔型尺寸相同，为均匀分布圆形通孔圆盘，但圆盘中心为金属片结构A2横向移动两孔中心直线距离的1/2处。优选地，其中金属片结构C片为圆盘周边有半圆通孔和盘中均匀分布至少四个限位螺孔；其中金属片结构D片为中心有一通孔。优选地，金属片的组合结构有A1-B1、A2-B2、A-B和DABCD。因此，本专利技术具有如下优点：本专利技术结构简单、成本低、易于控制，容易实现大规模化生产，且无三废产生，生产的单层石墨烯、多层石墨烯、以及碳结构粒子颗粒度均匀，纯度高、产品质量稳定。附图说明图1为石墨层间剥离分散装置部分(2)中的结构示意图。图2a为剥离部件(2-1)中的A1的剥离片图。图2b为剥离部件(2-1)中的B1的剥离片图。图2c为剥离部件(2-1)中的C的剥离片图。图2d为剥离部件(2-1)中的A2的剥离片图。图2e为剥离部件(2-1)中的B2的剥离片图。图2f为剥离部件(2-1)中的D的剥离片图。图3a为剥离部件(2-1)中A1-B1组合示意图。图3b为剥离部件(2-1)中A2-B2组合示意图。图3c为剥离部件(2-1)中的A、B片组合示意图。图4为剥离部件(2-1)中的A、B、C、D片组合示意图。具体实施方式下面通过实施例，并结合附图，对本专利技术的技术方案作进一步具体的说明。实施例、本专利技术涉及石墨层间剥离装置2-1包括A、B、C、D四片不同结构圆形金属片和限位螺栓2-1.1、壳体、两个端盖组成。所述A、B、C、D四片不同结构金属片包括A1、A2、B1、B2。其中A1为均匀分布六角形通孔圆盘，圆盘中心为中心孔的中心。B1和A1的孔型尺寸相同，为均匀分布六角形通孔圆盘，但圆盘中心为A1横向移动两孔中心直线距离的1/2处。其中A2为均匀分布圆形通孔圆盘，圆盘中心为中心孔的中心。B2和A2的孔型尺寸相同，为均匀分布圆形通孔圆盘，但圆盘中心为A2横向移动两孔中心直线距离的1/2处。其中C片为圆盘周边有半圆通孔和盘中均匀分布至少四个限位螺孔。其中D片为中心有一通孔。其组合有A1-B1、A2-B2、A-B和DABCD。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本专利技术精神作举例说明。本专利技术所属
的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本专利技术的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备量子碳素的石墨层间剥离装置，其特征在于：包括壳体、设置在壳体内的剥离组件，壳体两端设有进口和出口并通过端盖封闭；剥离组件包括垂直设置的金属片A、金属片B、以及金属片C以及金属片D；所述金属片A、金属片B、金属片C以及金属片D对应结构为金属片结构A1、金属片结构A2、金属片结构B1以及金属片结构B2；其组合有金属片A‑金属片C、或金属片B‑金属片D、或金属片A‑金属片、或金属片D‑金属片A‑金属片B‑金属片C‑金属片D。

【技术特征摘要】
1.一种用于制备量子碳素的石墨层间剥离装置，其特征在于：包括壳体、设置在壳体内的剥离组件，壳体两端设有进口和出口并通过端盖封闭；剥离组件包括垂直设置的金属片A、金属片B、以及金属片C以及金属片D；所述金属片A、金属片B、金属片C以及金属片D对应结构为金属片结构A1、金属片结构A2、金属片结构B1以及金属片结构B2；其组合有金属片A-金属片C、或金属片B-金属片D、或金属片A-金属片、或金属片D-金属片A-金属片B-金属片C-金属片D。2.根据权利要求1所述的一种用于制备量子碳素的石墨层间剥离装置，其特征在于：其中金属片结构A1为均匀分布六角形通孔圆盘，圆盘中心为中心孔的中心。3.根据权利要求2所述的一种用于制备量子碳素的石墨层间剥离装置，其特征在于：金属片结构B1和金属片结构A1的孔型...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱光华，
申请(专利权)人：玉灵华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42