薄膜体振荡器制造技术

技术编号:14248290 阅读:64 留言:0更新日期:2016-12-22 09:53
一种薄膜体振荡器,属于通信技术领域。薄膜体振荡器包括晶体管、第一电容、第二电容、第一薄膜体声波谐振器、第二薄膜体声波谐振器和电阻,其中,第一电容的第一端连接于晶体管的集电极和第二电容的第一端,第二端连接于晶体管的发射极和第一薄膜体声波谐振器的第一端;第一薄膜体声波谐振器的第二端连接于晶体管的基极和第二薄膜体声波谐振器的第二端;第二电容的第二端连接于第二薄膜体声波谐振器的第一端;电阻的第一端连接于晶体管的集电极并连接于电源,第二端连接于晶体管的基极。本实用新型专利技术提供的薄膜体振荡器,可减轻重量并减小体积。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种薄膜体振荡器,属于通信

技术介绍
现有技术中的通信模块中的振荡器集成度不高,导致体积较大。
技术实现思路
为克服现有技术中存在的技术问题,本技术的专利技术目的是提供一种薄膜体振荡器,其集成度高,体积可小型化。为实现所述专利技术目的,本技术提供一种薄膜体振荡器,其包括晶体管、第一电容、第二电容、第一薄膜体声波谐振器、第二薄膜体声波谐振器和电阻,其中,第一电容的第一端连接于晶体管的集电极和第二电容的第一端,第二端连接于晶体管的发射极和第一薄膜体声波谐振器的第一端;第一薄膜体声波谐振器的第二端连接于晶体管的基极和第二薄膜体声波谐振器的第二端;第二电容的第二端连接于第二薄膜体声波谐振器的第一端;电阻的第一端连接于晶体管的集电极并连接于电源,第二端连接于晶体管的基极。与现有技术相比,本技术提供的薄膜体振荡器,集成度高,体积可小型化。附图说明图1是本技术提供的通信模块的组成框图;图2是本技术提供的通信模块的频率源的组成框图;图3是本技术提供的通信模块的振荡器的电路图;图4是本技术提供的通信模块的带通滤波器的电路图;图5是本技术提供的通信模块的AGC的电路图。具体实施方式图1是本技术通信模块的组成框图,如图1所示,本技术提供的通信模块包括发信单元、本地频率生成单元11、频率源10和天线1,其中,频率源10用于产生固定频率信号;本地频率生成单元11根据频率源1产生的信号生成多个频率信号,包括提供给调制器的高频率载波信号、提供给混频器的高频信号和提供给检波器的中频信号;发信单元,将数据处理器1要发送的数据信息进行编码并调制到高频载波上,而后通过天线转换为电磁波发到空中。发信单元包括编码器16、调制器15、功率放大器14和带通滤波器(BPF)13,其中,编码器16用于将数据处理器待发送的数据信息进行信源和信道编码,以形成待发送的基带信号;调制器15用于将待发送的基带信号调制到高频载波上形成调制信号,并提供给功率放大器14,功率放大器14对调制信号进行功率放大并经带通滤波器13进行滤波,而后经开关16和天线1发送出去。通信模块还包括收信单元,收信单元包括带通滤波器(BPF)2、小信号放大器(AMP)3、带通滤波器(BPF)4、乘法混频器5,中频滤波器(MPF)6、中频放大器(AMP)7、乘法检波器8、低通滤波器(LPF)9和解码器17,其中,带通滤波器2用于对接收天线1接收的电信号进行滤波;小信号放大器3用于对带通滤波器2提供的信号进行放大,并提供给带通滤波器4以进一步的滤波;混频器5用于对带通滤波器4提供的信号与本发频率生成单元11产生的高频信号进行混频,并经中频滤波器6取出中频信号;中频放大器7用于对中频滤波器6提供的信号进行中频放大,并提供给乘法检波器8;乘法检波器8使本地频率生成单元11产生的中频信号与中频放大器7提供的信号进行相乘,并经低通滤波器9取出基带信号,基带信号经解码器17解码取出发端发送的数据信息而后提供给数据处理器。本地频率生成单元11用于产生提供给乘法混频器5的高频信号,其至少包括倍频数为P的倍频器135、移相器120、倍频为W的倍频器134、移相器122、乘法器113、乘法器114、加法器125和具有倍频数为H的倍频器111,倍频器135用于对频率源10产生的信号的v0=V0cos2πf0t进行P倍频得到信号:v1=V1cos2πPf0t移相器120对v1=V1cos2πPf0t移相,移相得到v2=V1sin2πPf0t。倍频器134用于对频率源10产生的信号v0=V0cos2πf0t进行W倍频得到信号:v3=V3cos2πWf0t;移相器122对v3=V3cos2πWf0t移相,移相得到v4=V3sin2πWf0t;乘法器113使v3=V3cos2πWf0t和v2=V1sin2πPf0t相乘;乘法器114使v4=V3sin2πWf0t和v1=V1cos2πPf0t相乘,并经加法器125相加,得到:V3sin2πWf0t·V1cos2πPf0t±V3cos2πWf0t·V1sin2πPf0t=V3V1sin2π(Wf0±Pf0)t而后将该信号提供给倍频器111,经H倍数的倍频得到:v5=V5sin 2π[H(W±P)·f0]t,本地频率生成单元11还用于产生提供给调制器15的高频载波信号该信号为提供给调制器15作为发送端的高频载波信号。本地频率生成单元11还用于产生提供给乘法检波器8的中频信号,其至少包括分频比为R的分频器112,分频器112于对频率源10产生的信号v0=V0cos2πf0t进行R分频得到提供给乘法检波器8的中频信号,即 v 10 = V 10 c o s 2 π ( 1 R · f 0 ) t ]]>上述分频比R以及倍频数H、E、P、W、S的数值可利用数据处理器根据用户设定而控制。图2是本技术提供的通信模块的频率源的组成框图,如图2所示,本技术提供的频率源包括:振荡器101、分别比为K的分频器102、鉴相器103、低通滤波器104、压控振荡器VCO和分别比为N的分频器106,其中,振荡器101用于产生固定频率信号并提供给分频器102,分频器102对晶体振荡器101进行分频并提供给鉴相器103;VCO根据参考Vf和低通滤波器提供的电压产生压控振荡信号,并经分频器106分频而后提供的鉴相器103,鉴相器103比较分频器103和分频器106提供的信号的相位并经低通滤波器LPF滤除高频从而产生电压信号,该电压信号与Vf叠加以进一步控制VCO产生的频率信号。图3是本技术提供的通信模块的振荡器的电路图,如图3所示,本技术提供薄膜体振荡器,其包括晶体管T3、薄膜体声波谐振器FBAR2、电容C4、电容C3、电薄膜体声波谐振器FBAR1和电阻的R10,其中,电容C4的第一端连接于晶体管的集电极和电容C3的第一端,第二端连接于晶体管T3的发射极和薄膜体声波谐振器FBAR2的第一端;薄膜体声波谐振器FBAR2的第二端连接于晶体管的基极和薄膜体声波谐振器FBAR1的第二端;电容C3的第二端连接于薄膜体声波谐振器FBAR1的第一端;电阻的R10的第一端连接于晶体管T3的集电极并连接于电源Ec,第二端连接于晶体管T3的基极。图4是本技术提供的通信模块的带通滤波器的电路图,如图4所示,本技术提供的带通滤波器包括电感L、电容C、变容二极管D1和电阻R1,其中,电容C和变容二极管D1相串联组成串联支路,串联支路与电感L相并联,如此可组成由电压控制 的带通滤波器,电阻R1的第一端连接于电容C和变容二极管D1相串联的中间节点上,电阻R1的第二端连接控制电压。图5是本技术提供的通信模块的AGC的电路图。如图5所示,本技术提供的AGC控制电压包括比例放大器,其包括运算放大器IC、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8和稳压二极管D3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜体振荡器,其特征在于,包括晶体管、第一电容、第二电容、第一薄膜体声波谐振器、第二薄膜体声波谐振器和电阻,其中,第一电容的第一端连接于晶体管的集电极和第二电容的第一端,第二端连接于晶体管的发射极和第一薄膜体声波谐振器的第一端;第一薄膜体声波谐振器的第二端连接于晶体管的基极和第二薄膜体声波谐振器的第二端;第二电容的第二端连接于第二薄膜体声波谐振器的第一端;电阻的第一端连接于晶体管的集电极并连接于电源,第二端连接于晶体管的基极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜体振荡器,其特征在于,包括晶体管、第一电容、第二电容、第一薄膜体声波谐振器、第二薄膜体声波谐振器和电阻,其中,第一电容的第一端连接于晶体管的集电极和第二电容的第一端,第二端连接于晶体管的发射极和第一薄膜体声...

【专利技术属性】
技术研发人员:马新立
申请(专利权)人:公安海警学院
类型:新型
国别省市:浙江;33

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