一种充电用多电路处理型逆变电源制造技术

本发明专利技术公开了一种充电用多电路处理型逆变电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，变压器T，二极管整流器U1，双向开关S，蓄电池J，极性电容C1，极性电容C13，极性电容C12，极性电容C11，三端稳压电路，与双向开关S的b触点相连接的过压保护电路，分别与控制芯片U2的CHRG1管脚和CHRG2管脚以及PROG管脚相连接的升压调整电路，以及分别与升压调整电路和双向开关S的a触点以及变压器T原边电感线圈相连接的非线性放大电路等组成。本发明专利技术能对输出电流中的干扰突波进行消除或抑制，能有效的提高本发明专利技术对输出电流的脉动的抑制能力，使输出电流保持稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种充电电源，具体是指一种充电用多电路处理型逆变电源。
技术介绍
充电电源charging supply供蓄电池充电用的整流装置。早期采用交流电动机-直流发电机组，又称旋转式机组作充电电源，20世纪60年代以后这种充电电源被电子器件组成的充电电源取代。然而，现有的电子器件组成的充电电源常采用双变压器，使得电子器件组成的充电电源的成本较高；这种电子器件组成的充电电源的输出功率也很低，致使负载能力差；并且，现有的电子器件组成的充电电源对输出电流脉动的抑制能力差，而存在输出电压不稳定的问题，从而导致充电时输出电流出现断续的情况。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有的电子器件组成的充电电源存在的输出功率低，输出电压不稳定的缺陷，提供一种充电用多电路处理型逆变电源。本专利技术的目的用以下技术方案实现：一种充电用多电路处理型逆变电源，主要由控制芯片U2，变压器T，二极管整流器U1，双向开关S，蓄电池J，与双向开关S的b触点相连接的过压保护电路，正极顺次经电阻R1和电感L1后与双向开关S的a触点相连接、负极接地的极性电容C1，P极经电阻R2后与双向开关S的a触点相连接、N极与控制芯片U2的GND管脚相连接后接地的发光二极管VD1，P极经电阻R3后与双向开关S的b触点相连接、N极接地的发光二极管VD2，负极与过压保护电路相连接、正极经电阻R19后与二极管整流器U1的正极输出端相连接的极性电容C13，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地的极性电容C12，正极与变压器T副边电感线圈的同名端相连接、负极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接的极性电容C11，输入端与电阻R1与电感L1的连接点相连接、输出端经电阻R30后与控制芯片U2的VCC管脚相连接的三端稳压电路，分别与控制芯片U2的CHRG1管脚和CHRG2管脚以及PROG管脚相连接的升压调整电路，以及分别与升压调整电路和双向开关S的a触点以及变压器T原边电感线圈相连接的非线性放大电路组成；所述二极管整流器U1的其中一个输入端与变压器T原边电感线圈的抽头相连接后接地、其另一个输入端与变压器T原边电感线圈的套马杆相连接；所述蓄电池J的正极与双向开关S的控制相连接、其负极接地。所述过压保护电路由场效应管MOS3，场效应管MOS4，场效应管MOS5，三极管VT9，三极管VT10，负极经电阻R33后与场效应管MOS4的源极相连接、正极与极性电容C13的负极相连接的极性电容C20，一端与场效应管MOS的漏极相连接、另一端与极性电容C20的正极相连接的热敏电阻RT，正极经电阻R31后与极性电容C20的正极相连接、负极接地的极性电容C21，P极与场效应管MOS4的栅极相连接、N极经电阻R36后与三极管VT10的基极相连接的二极管D13，一端与极性电容C20的负极相连接、另一端与二极管D13的N极相连接的可调电阻R32，正极经电感L5后与场效应管MOS4的漏极相连接、负极与三极管VT9的发射极相连接的极性电容C22，P极经电阻R34后与场效应管MOS3的源极相连接、N极经电阻R35后与极性电容C22的正极相连接的二极管D12，正极与三极管VT10的基极相连接、负极接地的极性电容C23，P极经电阻R40后与极性电容C23的负极相连接、N极经电阻R39后与三极管VT10的集电极相连接的二极管D14，N极与二极管D14的N极相连接、P极与场效应管MOS5的漏极相连接的稳压二极管D15，以及正极经电阻R37后与三极管VT9的集电极相连接、负极经可调电阻R38后与三极管VT10的集电极相连接的极性电容C24组成；所述极性电容C20的负极还与场效应管MOS3的栅极相连接；所述三极管VT10的基极还与极性电容C22的正极相连接、其发射极与三极管VT9的基极相连接；所述场效应管MOS5的栅极与极性电容C24的正极相连接、其源极接地；所述稳压二极管D15的N极还与双向开关S的b触点相连接。进一步的，所述三端稳压电路由稳压芯片U3，三极管VT6，三极管VT7，三极管VT8，场效应管MOS2，P极与稳压芯片U3的VIN管脚相连接、N极与电阻R1与电感L1的连接点相连接的二极管D8，一端与二极管D8的N极相连接、另一端接地的电阻R22，负极与三极管VT7的发射极相连接、正极经电阻R21后与二极管D8的N极相连接的极性电容C14，P极经电阻R20后与极性电容C14的正极相连接、N极与三极管VT6的集电极相连接的二极管D7，正极经电阻R23后与三极管VT7的集电极相连接、负极与三极管VT6的基极相连接的极性电容C15，正极经电阻R25后与三极管VT6的基极相连接、负极与三极管VT8的发射极相连接的极性电容C16，正极经电阻R27后与稳压芯片U3的VOUT管脚相连接、负极接地的极性电容C18，P极与三极管VT8的集电极相连接、N极经电阻R29后与极性电容C18的负极相连接的二极管D11，正极经电阻R28后与极性电容C18的正极相连接、负极与场效应管MOS2的栅极相连接的极性电容C19，正极与三极管VT8的基极相连接、负极经电感线圈L4后与场效应管MOS2的源极相连接的极性电容C17，N极与场效应管MOS2的栅极相连接、P极经电阻R24后与三极管VT6的基极相连接的二极管D10，以及P极经可调电阻R26后与稳压芯片U3的ADJ管脚相连接、N极与场效应管MOS2的源极相连接的稳压二极管D9组成；所述三极管VT7的基极与稳压芯片U3的VIN管脚相连接；所述二极管D10的P极还与三极管VT6的发射极相连接、其N极还与极性电容C17的负极相连接；所述场效应管MOS2的漏极接地、其源极则还经电阻R30后与控制芯片U2的VCC管脚相连接。所述升压调整电路由场效应管MOS1，三极管VT1，正极与场效应管MOS1的漏极相连接、负极接地的极性电容C3，P极经电阻R4后与场效应管MOS1的栅极相连接、N极经电阻R5后与控制芯片U2的CHRG2管脚相连接的二极管D1，正极与场效应管MOS1的栅极相连接、负极经电阻R8后与场效应管MOS1的源极相连接的极性电容C4，负极与三极管VT1的基极相连接、正极经电感L2后与场效应管MOS1的源极相连接的极性电容C5，P极与控制芯片U2的CHRG1管脚相连接、N极与三极管VT1的集电极相连接的二极管D2，以及N极经可调电阻R9后与三极管VT1的集电极相连接、P极经电阻R6后与控制芯片U2的PROG管脚相连接的二极管D3组成；所述极性电容C4的负极还与三极管VT1的集电极相连接；所述场效应管MOS1的栅极还与控制芯片U2的VCC管脚相连接；所述三极管VT1的发射极与二极管D1的N极共同形成升压调整电路的输出端并与非线性放大电路相连接。所述非线性放大电路由三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，P极与三极管VT1的发射极相连接、N极经电阻R11后与三极管VT3的基极相连接的稳压二极管D4，负极经电阻R12后与三极管VT4的基极相连接、正极与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C7，N极与三极管VT4的集电极相连接、P极经电阻R14后与三极管VT3的集电极相连接的二极管D6，负极与三极管VT4的集电极相连接、正极经电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种充电用多电路处理型逆变电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，变压器T，二极管整流器U1，双向开关S，蓄电池J，与双向开关S的b触点相连接的过压保护电路，正极顺次经电阻R1和电感L1后与双向开关S的a触点相连接、负极接地的极性电容C1，P极经电阻R2后与双向开关S的a触点相连接、N极与控制芯片U2的GND管脚相连接后接地的发光二极管VD1，P极经电阻R3后与双向开关S的b触点相连接、N极接地的发光二极管VD2，负极与过压保护电路相连接、正极经电阻R19后与二极管整流器U1的正极输出端相连接的极性电容C13，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地的极性电容C12，正极与变压器T副边电感线圈的同名端相连接、负极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接的极性电容C11，输入端与电阻R1与电感L1的连接点相连接、输出端经电阻R30后与控制芯片U2的VCC管脚相连接的三端稳压电路，分别与控制芯片U2的CHRG1管脚和CHRG2管脚以及PROG管脚相连接的升压调整电路，以及分别与升压调整电路和双向开关S的a触点以及变压器T原边电感线圈相连接的非线性放大电路组成；所述二极管整流器U1的其中一个输入端与变压器T原边电感线圈的抽头相连接后接地、其另一个输入端与变压器T原边电感线圈的套马杆相连接；所述蓄电池J的正极与双向开关S的控制相连接、其负极接地。...

【技术特征摘要】
1.一种充电用多电路处理型逆变电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，变压器T，二极管整流器U1，双向开关S，蓄电池J，与双向开关S的b触点相连接的过压保护电路，正极顺次经电阻R1和电感L1后与双向开关S的a触点相连接、负极接地的极性电容C1，P极经电阻R2后与双向开关S的a触点相连接、N极与控制芯片U2的GND管脚相连接后接地的发光二极管VD1，P极经电阻R3后与双向开关S的b触点相连接、N极接地的发光二极管VD2，负极与过压保护电路相连接、正极经电阻R19后与二极管整流器U1的正极输出端相连接的极性电容C13，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地的极性电容C12，正极与变压器T副边电感线圈的同名端相连接、负极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接的极性电容C11，输入端与电阻R1与电感L1的连接点相连接、输出端经电阻R30后与控制芯片U2的VCC管脚相连接的三端稳压电路，分别与控制芯片U2的CHRG1管脚和CHRG2管脚以及PROG管脚相连接的升压调整电路，以及分别与升压调整电路和双向开关S的a触点以及变压器T原边电感线圈相连接的非线性放大电路组成；所述二极管整流器U1的其中一个输入端与变压器T原边电感线圈的抽头相连接后接地、其另一个输入端与变压器T原边电感线圈的套马杆相连接；所述蓄电池J的正极与双向开关S的控制相连接、其负极接地。2.根据权利要求1所述的一种充电用多电路处理型逆变电源，其特征在于，所述过压保护电路由场效应管MOS3，场效应管MOS4，场效应管MOS5，三极管VT9，三极管VT10，负极经电阻R33后与场效应管MOS4的源极相连接、正极与极性电容C13的负极相连接的极性电容C20，一端与场效应管MOS的漏极相连接、另一端与极性电容C20的正极相连接的热敏电阻RT，正极经电阻R31后与极性电容C20的正极相连接、负极接地的极性电容C21，P极与场效应管MOS4的栅极相连接、N极经电阻R36后与三极管VT10的基极相连接的二极管D13，一端与极性电容C20的负极相连接、另一端与二极管D13的N极相连接的可调电阻R32，正极经电感L5后与场效应管MOS4的漏极相连接、负极与三极管VT9的发射极相连接的极性电容C22，P极经电阻R34后与场效应管MOS3的源极相连接、N极经电阻R35后与极性电容C22的正极相连接的二极管D12，正极与三极管VT10的基极相连接、负极接地的极性电容C23，P极经电阻R40后与极性电容C23的负极相连接、N极经电阻R39后与三极管VT10的集电极相连接的二极管D14，N极与二极管D14的N极相连接、P极与场效应管MOS5的漏极相连接的稳压二极管D15，以及正极经电阻R37后与三极管VT9的集电极相连接、负极经可调电阻R38后与三极管VT10的集电极相连接的极性电容C24组成；所述极性电容C20的负极还与场效应管MOS3的栅极相连接；所述三极管VT10的基极还与极性电容C22的正极相连接、其发射极与三极管VT9的基极相连接；所述场效应管MOS5的栅极与极性电容C24的正极相连接、其源极接地；所述稳压二极管D15的N极还与双向开关S的b触点相连接。3.根据权利要求2所述的一种充电用多电路处理型逆变电源，其特征在于，所述三端稳压电路由稳压芯片U3，三极管VT6，三极管VT7，三极管VT8，场效应管MOS2，P极与稳压芯片U3的VIN管脚相连接、N极与电阻R1与电感L1的连接点相连接的二极管D8，一端与二极管D8的N极相连接、另一端接地的电阻R22，负极与三极管VT7的发射极相连接、正极经电阻R21后与二极管D8的N极相连接的极性电容C14，P极经电阻R20后与极性电容C14的正极相连接、N极与三极管VT6的集电极相连接的二极管D7，正极经电阻R23后与三极管VT7的集电极相连接、负极与三极管VT6的基极相连接的极性电容C15，正极经电阻R2...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：成都翰道科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51