摄像装置及摄像模块制造方法及图纸

提供一种能够抑制高照度时的低灵敏度像素单元的饱和而能够实现宽动态范围摄影的摄像装置。摄像装置1包括第1像素单元和第2像素单元，所述第1像素单元具备：第1光电变换膜，具有第1面和第1面的相反侧的第2面；第1电极，与第1面相接；第2电极，与第1面相接，配置为在俯视时将第1电极的周围包围；第1对置电极，与第2面相接，与第1电极及第2电极对置，所述第2像素单元具备：第2光电变换膜，具有第3面和第3面的相反侧的第4面；第3电极，与第3面相接；第4电极，与第3面相接，配置为在俯视时将第3电极的周围包围；第2对置电极，与第4面相接，与第3电极及第4电极对置，第2电极和第4电极电分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及摄像装置及摄像模块。
技术介绍
近年来提出了如下的技术：在CCD(Charge Coupled Device)图像传感器及CMOS(Complementary MOS)图像传感器等的摄像装置中，通过在摄像区域内配置高灵敏度像素单元和低灵敏度像素单元，扩大动态范围。例如，专利文献1公开了能够扩大动态范围的摄像装置。在该摄像装置中，在高灵敏度像素单元中配置面积大的光电二极管，在低灵敏度像素单元中配置面积小的光电二极管。专利文献1：日本专利第4018820号
技术实现思路
本专利技术的非限定性的例示的一个实施方式，提供一种能够实现宽动态范围摄影的摄像装置。为了解决上述课题，本专利技术的一个方式的摄像装置，包括第1像素单元和第2像素单元，所述第1像素单元具备：第1光电变换膜，具有第1面和第1面的相反侧的第2面；第1电极，与第1面相接；第2电极，与第1面相接，配置为在俯视时将第1电极的周围包围；第1对置电极，与第2面相接，与第1电极及第2电极对置，所述第2像素单元具备：第2光电变换膜，具有第3面和第3面的相反侧的第4面；第3电极，与第3面相接；第4电极，与第3面相接，配置为在俯视时将第3电极的周围包围；第2对置电极，与第4面相接，与第3电极及第4电极对置，第2电极和第4电极电分离。另外，整体或具体的方式可以通过元件、器件、系统、集成电路及方法来实现。此外，整体或具体的方式也可以通过元件、器件、系统、集成电路及方法的任意组合来实现。公开的实施方式的追加性的效果及优点通过说明书和附图而变得明确。效果及/或优点由说明书和附图所公开的各种实施方式和特征分别提供，为了得到其中的一个以上效果及/或优点，并不需要全部特征。附图说明图1是表示第1实施方式的摄像装置的例示性构成的示意图。图2A是表示第1像素单元100的第1电极102及第2电极103的布局例的示意图。图2B是表示第2像素单元101的第3电极106及第4电极107的布局例的示意图。图2C是第1像素单元100的器件构造的示意截面图。图2D是第2像素单元101的器件构造的示意截面图。图3A是表示第1像素单元100的第1电极102及第2电极103的另一布局例的示意图。图3B是表示第2像素单元101的第3电极106及第4电极107的另一布局例的示意图。图3C是说明以包围第1电极102的周围的方式连续地形成第2电极103、并以包围第3电极106的周围的方式连续地形成第4电极107的情况下的优点的图。图4是表示第1像素单元100的第2电极103和第2像素单元101的第4电极107的电连接关系的示意图。图5是示意性地表示第2电极103及第4电极107被施加的电压和灵敏度输出的关系的图表。图6A是表示第1像素单元100中的第1电极102及第2电极103的布局例的示意图。图6B是表示第2像素单元101中的第3电极106及第4电极107的布局例的示意图。图6C是第1像素单元100的器件构造的示意截面图。图6D是第2像素单元101的器件构造的示意性的截面图。图7是表示具有图6A～图6D所示的形状的第1像素单元100及第2像素单元101的、摄像区域200中的布局例的示意图。图8A是表示第1像素单元100中的第1电极102及第2电极103的布局例的示意图。图8B是表示第2像素单元101中的第3电极106及第4电极107的布局例的示意图。图8C是第1像素单元100的器件构造的示意截面图。图8D是第2像素单元101的器件构造的示意截面图。图9是表示图8A所示的第1像素单元100和图8B所示的第2像素单元101的布局例的示意图。图10A是表示包含第1彩色滤光片170的第1像素单元100中的第1电极102及第2电极103的布局例的示意图。图10B是表示包含第2彩色滤光片171的第2像素单元101中的第3电极106及第4电极107的布局例的示意图。图10C是包含第1彩色滤光片170的第1像素单元100的器件构造的示意截面图。图10D是包含第2彩色滤光片171的第2像素单元101的器件构造的示意截面图。图11A是表示像素电极设置于左侧的第2像素单元(低灵敏度像素)101中的第3电极106及第4电极107的布局例的示意图。图11B是表示像素电极设置于右侧的第2像素单元101中的第3电极106及第4电极107的布局例的示意图。图11C是像素电极设置于左侧的第2像素单元101的器件构造的示意截面图。图11D是像素电极设置于右侧的第2像素单元101的器件构造的示意截面图。图12是表示相位检测时的施加电压的切换定时的图。图13是表示第1像素单元100的第2电极103及第2像素单元101的第4电极107与电压施加电路130的电连接关系的示意图。图14是第1像素单元100及第2像素单元101各自的示意截面图。图15是表示根据照度等级分别切换施加电压V1及V2的定时的图。图16是相邻的第1像素单元100及第2像素单元101的示意截面图。图17是相邻的第1像素单元100及第2像素单元101的示意截面图。图18是相邻的第1像素单元100及第2像素单元101的示意截面图。图19是示意性地表示摄像模块4的构成例的图。具体实施方式本说明包括下述的项目所记载的摄像装置及摄像模块。〔项目1〕一种摄像装置，包括第1像素单元和第2像素单元，所述第1像素单元具备：第1光电变换膜，具有第1面和第1面的相反侧的第2面；第1电极，与第1面相接；第2电极，与第1面相接，配置为在俯视时将第1电极的周围包围；第1对置电极，与第2面相接，与第1电极及第2电极对置，所述第2像素单元具备：第2光电变换膜，具有第3面和第3面的相反侧的第4面；第3电极，与第3面相接；第4电极，与第3面相接，配置为在俯视时将第3电极的周围包围；第2对置电极，与第4面相接，与第3电极及第4电极对置，第2电极和第4电极电分离。根据项目1所记载的摄像装置，能够向第2电极和第4电极施加单独的电压，并且，与第2电极和第4电极电连接的情况相比，第2电极及第4电极各自的电容降低，所以能够使向第2电极及第4电极分别施加的电压高速地变化。〔项目2〕如项目1所述的摄像装置，第1电极的面积比第3电极的面积更大。根据项目2所记载的摄像装置，多个第1像素单元作为高灵敏度像素单元起作用，多个第2像素单元作为低灵敏度像素单元起作用。多个第1像素单元的灵敏度比多个第2像素单元的灵敏度更大，所以能够扩大动态范围。〔项目3〕如项目1所述的摄像装置，第1电极和第2电极的最短距离，比第3电极和第4电极的最短距离更大。根据项目3所记载的摄像装置，多个第1像素单元作为高灵敏度像素单元起作用，多个第2像素单元作为低灵敏度像素单元起作用。能够抑制多个第1像素单元中的第2电极的灵敏度下降，并且能够使得多个第2像素单元中的第4电极的灵敏度的下降增大，所以能够扩大动态范围。〔项目4〕如项目1～3中任一项所述的摄像装置，还具有电压施加电路，该电压施加电路向第2电极及第4电极分别独立地施加电压。根据项目4所述的摄像装置，不需要将电压施加电路连接到外部，所以能够使由摄像装置等构成的摄像模块小型化。〔项目5〕如项目4所述的摄像装置，电压施加电路向第2电极施加第1电压，电压施加电路向第4电极施加与第1电压不同的第2电压。根本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种摄像装置，包括第1像素单元和第2像素单元，所述第1像素单元具有：第1光电变换膜，具有第1面和所述第1面的相反侧的第2面；第1电极，与所述第1面相接；第2电极，与所述第1面相接，以俯视时包围所述第1电极的周围的方式配置；以及第1对置电极，与所述第2面相接，与所述第1电极及所述第2电极对置，所述第2像素单元具有：第2光电变换膜，具有第3面和所述第3面的相反侧的第4面；第3电极，与所述第3面相接；第4电极，与所述第3面相接，以俯视时包围所述第3电极的周围的方式配置；第2对置电极，与所述第4面相接，与所述第3电极及所述第4电极对置；所述第2电极和所述第4电极电分离。

【技术特征摘要】
2015.06.08 JP 2015-1157461.一种摄像装置，包括第1像素单元和第2像素单元，所述第1像素单元具有：第1光电变换膜，具有第1面和所述第1面的相反侧的第2面；第1电极，与所述第1面相接；第2电极，与所述第1面相接，以俯视时包围所述第1电极的周围的方式配置；以及第1对置电极，与所述第2面相接，与所述第1电极及所述第2电极对置，所述第2像素单元具有：第2光电变换膜，具有第3面和所述第3面的相反侧的第4面；第3电极，与所述第3面相接；第4电极，与所述第3面相接，以俯视时包围所述第3电极的周围的方式配置；第2对置电极，与所述第4面相接，与所述第3电极及所述第4电极对置；所述第2电极和所述第4电极电分离。2.如权利要求1所述的摄像装置，所述第1电极的面积比所述第3电极的面积更大。3.如权利要求1所述的摄像装置，所述第1电极与所述第2电极的最短距离，比所述第3电极与所述第4电极的最短距离更大。4.如权利要求1～3中任一项所述的摄像装置，还具有电压施加电路，该电压施加电路向所述第2电极及...

【专利技术属性】
技术研发人员：三宅康夫，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP