功率分配网络(PDN)中交错的功率结构制造技术

技术编号:14247253 阅读:69 留言:0更新日期:2016-12-22 03:53
一些新颖特征涉及包括第一金属层和第二金属层的集成器件。第一金属层包括第一组区域。第一组区域包括集成器件的功率分配网络(PDN)的第一网络列表结构。第二金属层包括第二组区域。第二组区域包括集成器件的PDN的第二网络列表结构。在一些实现中,第二金属层进一步包括:包括集成器件的PDN的第一网络列表结构的第三组区域。在一些实现中,第一金属层包括:包括集成器件的PDN的第三网络列表结构的第三组区域。第三组区域与第一金属层的第一组区域是不重叠的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求于2014年4月29日向美国专利商标局提交的美国非临时专利申请No.14/264,836的优先权和权益,其全部内容通过援引纳入于此。背景领域各种特征涉及功率分配网络(PDN)中交错的功率分配结构。
技术介绍
功率递送结构是向一个或多个管芯和/或芯片提供电力的功率分配网络(PDN)的一部分。然而,功率递送是高速信号芯片设计中更具挑战性的问题之一。在设计功率递送结构时,该功率递送结构需要为管芯和/或芯片提供稳定且平衡的功率支持。图1解说了可包括功率分配网络(PDN)的管芯封装的示例。具体而言,图1解说了包括封装基板102、管芯104、第一组焊球106、以及第二组焊球108的管芯封装100。管芯104通过第一组焊球106耦合至封装基板102。第二组焊球108耦合至封装基板102。第二组焊球108耦合至印刷电路板(PCB)110。封装基板包括一组焊盘、一组金属层、以及一组通孔,所有这些都未示出。这组焊盘、这组金属层、以及这组通孔是配置成向管芯104提供功率信号的功率分配网络的一部分。通常,功率分配网络将包括封装基板102中的若干金属层(例如,3层或更多层金属层)。因为管芯的设计已经变得更加复杂,所以功率分配网络使得在封装基板102中使用许多金属层是必要的。存在对于提供较薄的管芯、管芯封装和/或芯片的发展趋势。如此,存在对于提供低剖型的封装(例如,较薄和/或具有较少层的封装)的趋势。然而,低剖型的封装伴随有困难的设计挑战。具体地,因为由于功率递送结构中的互连(例如,封装基板中的金属层)彼此如此靠近的事实而产生的寄生问题,所以低剖型的封装难以设计。因此,存在对于使寄生效应最小化的、在低剖型的封装中用于功率分配网络(PDN)的功率递送结构的需要。理想地,此类功率递送结构将在低剖型的封装中提供稳定且全区域覆盖(或接近全区域覆盖)的功率递送结构。概述本文中描述的各种特征、装备以及方法提供了功率分配网络(PDN)中交错的功率分配结构。第一示例提供了一种包括第一金属层和第二金属层的集成器件。第一金属层包括第一组区域。第一组区域包括集成器件的功率分配网络(PDN)的第一网络列表(netlist)结构。第二金属层包括第二组区域。第二组区域包括集成器件的PDN的第二网络列表结构。根据一方面,第二金属层进一步包括:包括集成器件的PDN的第一网络列表结构的第三组区域。根据一个方面,第二金属层进一步包括:包括集成器件的PDN的第一网络列表结构的第三组岛状区域。根据一方面,第一金属层进一步包括:包括集成器件的PDN的第三网络列表结构的第三组区域。第三组区域与第一金属层的第一组区域不重叠。根据一个方面,该集成器件进一步包括配置成耦合第一组区域的一组通孔。根据一方面,第一组区域包括定义第一金属层的大部分的一组重复图案区域。根据一个方面,第一组区域包括以至少星型、偏移型、交错型、和/或辐射型中的一者来形成的一组重复图案区域。根据一方面,第一网络列表结构包括第一组互连,并且第二网络列表结构包括第二组互连。根据一个方面,功率分配结构可以在至少印刷电路板(PCB)、管芯的重分布部分、晶片级管芯、晶片级封装(WLP)、嵌入式晶片级封装(eWLP)、嵌入式晶片级球格阵列(eWLB)、和/或集成扇出(INFO)晶片级封装中的一者中实现。根据一方面,该集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。第二示例提供包括第一金属层和第二金属层的基板。第一金属层包括第一组区域。第一组区域包括基板的功率分配网络(PDN)的第一网络列表结构。第二金属层包括第二组区域。第二组区域包括基板的PDN的第二网络列表结构。根据一方面,第二金属层进一步包括:包括基板的PDN的第一网络列表结构的第三组区域。根据一个方面,第二金属层进一步包括:包括基板的PDN的第一网络列表结构的第三组岛状区域。根据一方面,第一金属层进一步包括第三组区域。。第三组区域包括基板的PDN的第三网络列表结构。第三组区域与第一金属层的第一组区域不重叠。根据一个方面,该基板包括配置成耦合第一组区域的一组通孔。根据一方面,第一组区域包括定义第一金属层的大部分的一组重复图案区域。根据一个方面,第一组区域包括以至少星型、偏移型、交错型、和/或辐射型中的一者来形成的一组重复图案区域。根据一方面,第一网络列表结构包括第一组互连,并且第二网络列表结构包括第二组互连。根据一个方面,该基板被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。第三示例提供了一种用于制造集成器件的方法。该方法形成第一金属层,其中形成第一金属层包括在第一金属层的第一组区域中形成集成器件的功率分配网络(PDN)的第一网络列表结构。该方法形成第二金属层,其中形成第二金属层包括在第二金属层的第二组区域中形成集成器件的PDN的第二网络列表结构。根据一方面,形成第一金属层进一步包括在第一金属层的第三组区域中形成集成器件的PDN的第三网络列表结构,其中第三组区域与第一金属层的第一组区域不重叠。根据一个方面,该方法进一步形成配置成耦合第一组区域的一组通孔。根据一方面,第一组区域包括以至少星型、偏移型、交错型、和/或辐射型中的一者来形成的一组重复图案区域。根据一个方面,功率分配结构可以在至少印刷电路板(PCB)、管芯的重分布部分、晶片级管芯、晶片级封装(WLP)、嵌入式晶片级封装(eWLP)、嵌入式晶片级球格阵列(eWLB)、和/或集成扇出(INFO)晶片级封装中的一者中实现。根据一方面,该集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。第四示例提供了一种用于制造基板的方法。该方法形成第一金属层,其中形成第一金属层包括在第一金属层的第一组区域中形成基板的功率分配网络(PDN)的第一网络列表结构。该方法形成第二金属层,其中形成第二金属层包括在第二金属层的第二组区域中形成基板的PDN的第二网络列表结构。根据一方面,形成第一金属层进一步包括在第一金属层的第三组区域中形成基板的PDN的第三网络列表结构,其中第三组区域与第一金属层的第一组区域不重叠。根据一个方面,该方法形成配置成耦合第一组区域的一组通孔。根据一方面,第一组区域包括以至少星型、偏移型、交错型、和/或辐射型中的一者来形成的一组重复图案区域。根据一个方面,该基板被纳入音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。附图在结合附图理解下面阐述的详细描述时,各种特征、本质和优点会变得明显,在附图中,相像的附图标记贯穿始终作相应标识。图1解说了耦合至印刷电路板的管芯封装的剖面图。图2解说了功率分配结构的网络列表区域的倾斜示图。图3解说了功率分配结构的第三网络列表区域的倾斜示图。图4本文档来自技高网...
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【技术保护点】
一种集成器件,包括:包括第一组区域的第一金属层,所述第一组区域包括所述集成器件的功率分配网络(PDN)的第一网络列表结构;以及包括第二组区域的第二金属层,所述第二组区域包括所述集成器件的所述PDN的第二网络列表结构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.29 US 14/264,8361.一种集成器件,包括:包括第一组区域的第一金属层,所述第一组区域包括所述集成器件的功率分配网络(PDN)的第一网络列表结构;以及包括第二组区域的第二金属层,所述第二组区域包括所述集成器件的所述PDN的第二网络列表结构。2.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第二金属层进一步包括:包括所述集成器件的所述PDN的所述第一网络列表结构的第三组区域。3.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第二金属层进一步包括:包括所述集成器件的所述PDN的所述第一网络列表结构的第三组岛状区域。4.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第一金属层进一步包括:包括所述集成器件的所述PDN的第三网络列表结构的第三组区域,所述第三组区域与所述第一金属层的所述第一组区域不重叠。5.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,进一步包括配置成耦合所述第一组区域的一组通孔。6.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第一组区域包括定义所述第一金属层的大部分的一组重复图案区域。7.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第一组区域包括以至少星型、偏移型、交错型、和/或辐射型中的一者所形成的一组重复图案区域。8.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第一网络列表结构包括第一组互连,并且所述第二网络列表结构包括第二组互连。9.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述功率分配网络(PDN)可以在至少印刷电路板(PCB)、管芯的重分布部分、晶片级管芯、晶片级封装(WLP)、嵌入式晶片级封装(eWLP)、嵌入式晶片级球格阵列(eWLB)、和/或集成扇出(INFO)晶片级封装中的一者中实现。10.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述集成器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。11.一种基板,包括:包括第一组区域的第一金属层,所述第一组区域包括所述基板的功率分配网络(PDN)的第一网络列表结构;以及包括第二组区域的第二金属层,所述第二组区域包括所述基板的所述PDN的第二网络列表结构。12.如权利要求11所述的基板,其特征在于,所述第二金属层进一步包括:包括所述基板的所述PDN的所述第一网络列表结构的第三组区域。13.如权利要求11所述的基板,其特征在于,所述第二金属层进一步包括:包括所述基板的所述PDN的所述第一网络列表结构的第三组岛状区域。14.如权利要求11所述的基板,其特征在于,所述第一金属层进一步包括:包括所述基板的所述PDN的第三网络列表结构的第三组区域,所述第三组区域与所述第一金属层的所述第一组区域不重叠。15.如权利要求11所述的基板,其特征在于,进一步包括配置成耦合所述第一组区域的一组通孔。16.如权利要求11所述的基板,其特征在于,所述第一组区域包括定义所述第一金属层的大部分的一组重复图案区域。17.如权利要求11所述的基板,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:R·D·莱恩Y·李C·D·裴恩特R·K·藏
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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