一种窄带带阻滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种窄带带阻滤波器，属于微纳光学器件技术领域。该窄带带阻滤波器包括有二氧化硅基底，所述二氧化硅基底上镀有氧化铝膜层，该氧化铝膜层刻蚀成单层复合光栅。本发明专利技术的窄带带阻滤波器结构简单合理，通过将单层复合光栅置于基底上的方式，可获得反射式窄带滤波器，且其电场分布主要在光栅槽内，有利于折射率传感方面的应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微纳光学器件领域，具体是一种窄带带阻滤波器。
技术介绍
滤波器是电磁波调控的一个重要器件，带阻窄带滤波器可应用于传感、脉冲整形、偏振控制以及电光开关等等。但是传统的基于多层介质膜带阻滤波器带宽一般较大。近年来基于简单光栅结构（一个周期内仅有一个低折射率部分）理论上可获得窄带反射，但是为获得窄带反射峰，光栅内高折射率和低折射率材料折射率差必须很小，此时光栅内的低折射率部分不能为空气（即光栅槽）；另一种方案是在光栅层和基底加入电介质层获得。但是在现有的这两种方案中，大部分电场分布都在电介质内，如果应用于折射率传感，难以实现电场与待分析物相互作用，影响灵敏度。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种窄带带阻滤波器，以获得反射式的窄带滤波器，且其电场分布主要在光栅槽内，有利于折射率传感应用。为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：一种窄带带阻滤波器，包括有二氧化硅基底，所述二氧化硅基底上镀有氧化铝膜层，该氧化铝膜层刻蚀成单层复合光栅。上述技术方案中：进一步的，所述复合光栅的一个周期包含两个不同宽度的光栅槽。进一步的，所述复合光栅的一个周期包含两个宽度相同的光栅脊进一步的，所述复合光栅的光栅脊的折射率大于二氧化硅基底的折射率。这里还给出一个具体的例子，即所述复合光栅一个周期的宽度p=1000nm，一个周期包含两个相同宽度w=400nm、相同高度h=740nm的光栅脊，一个周期包含两个不同宽度a=140nm、b=60nm的光栅槽。本专利技术的有益效果是：本专利技术的窄带带阻滤波器结构简单合理，通过将单层复合光栅置于基底上的方式，可获得反射式窄带滤波器，且其电场分布主要在光栅槽内，有利于折射率传感方面的应用。附图说明图1为为本专利技术优选实施例的结构示意图。图2为图1实施例所获得的反射光谱图。图3为图1实施例在反射峰处的电场分布图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术进行说明：如图1所示，本实施例的窄带带阻滤波器，包括有二氧化硅基底2（SiO2），二氧化硅基底2上镀有氧化铝膜层1（Al2O3），该氧化铝膜层1刻蚀成单层复合光栅。复合光栅的一个周期包含两个不同宽度的光栅槽，包含两个宽度相同的光栅脊。复合光栅的光栅脊的折射率大于二氧化硅基底的折射率。具体的，复合光栅一个周期的宽度p=1000nm，一个周期包含两个相同宽度w=400nm、相同高度h=740nm的光栅脊，一个周期包含两个不同宽度a=140nm、b=60nm的光栅槽。本窄带滤波器在X方向是周期结构的，电磁波沿着Z方向传播。在入射角的情况下，即宽带平面电磁波（电矢量方向光栅槽平行）自上向二氧化硅基底2方向垂直入射，在共振波长位置，电场主要分布在光栅槽内，且相邻的光栅槽电场相位相差180度，沿着Z方向远场将产生破坏性干涉，沿Z方向传播的电磁波被强烈反射，最终在反射谱上出现反射峰。结果如图2所示，在1.4463微米反射率大于0.99，带宽低于1纳米。进一步的，如图3所示，电场主要分布在光栅槽内。以上所述的实施例仅仅是对本专利技术的优选实施方式进行描述，并非对本专利技术的范围进行限定，在不脱离本专利技术设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本专利技术的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本专利技术权利要求书确定的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种窄带带阻滤波器，包括有二氧化硅基底，其特征在于：所述二氧化硅基底上镀有氧化铝膜层，该氧化铝膜层刻蚀成单层复合光栅。

【技术特征摘要】
1.一种窄带带阻滤波器，包括有二氧化硅基底，其特征在于：所述二氧化硅基底上镀有氧化铝膜层，该氧化铝膜层刻蚀成单层复合光栅。2.根据权利要求1所述的窄带带阻滤波器，其特征在于：所述复合光栅的一个周期包含两个不同宽度的光栅槽。3.根据权利要求1所述的窄带带阻滤波器，其特征在于：所述复合光栅的一个周期包含两个宽度相同的光栅脊。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖艳林，赵艳，谌正艮，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34