一种电磁发射机制造技术

本发明专利技术提供了一种电磁发射机。采用本发明专利技术提供的电磁发射机，通过采用在电感元件上增加双层屏蔽层，使得电感元件对其他元器件的干扰降低，减少电磁发射机内部局部发热量，有效地改善高频的电磁发射机的散热状况。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力整流逆变领域，特别涉及一种电磁发射机。
技术介绍
在人工场源大地电磁法勘探中，电磁发射机通过一定发射极距的接地电极向大地注入交变电流，接收机通过获取大地介质对户响应，来构建地下介质电导率的分布信息。由于与电磁发射机相连接的两个接地电极距离一般较大，需要较长的传输导线连接发射机和接地，这样才能形成完整的回路，实现电磁信号有效传送的功能。对于大功率发射机而言，热的来源来自两个方面，一个是半导体开关器件的开关损耗产生；另一个是磁性元件的损耗产生，半导体开关器件不是理想开关，所以在其开通与关闭的过程中，存在电压，电流同时不为零的过渡区，因此对半导体开关器件进行开关控制的过程中存在开关损耗，这种损耗随着开关频率的升高而升高，如果处理不好，将是重要的发热源，磁性元件的损耗包括铁耗、铜耗、磁滞损耗三个方面，铁耗是由于磁性元件的漏磁导致周围相关部件产生涡流产生的；铜耗是由于线圈自身通电后，随着频率的升高，趋肤效应的影响，导致线圈自身的电阻升高，使得线圈的自身损耗增加；磁滞损耗是由于磁芯材料存在磁滞效应，克服磁畴单元矫顽力做功所需的能量损耗。为了解决磁性元件的损耗，通常需要进行合理的磁性元件前期设计工作，包括铜线的选择，磁性材料的选择，线圈的绕制结构与方法等等一系列工作。对于已经绕制好的磁性元件，其性能也就确定了，无论上面两个热源处理如何处理，只能降低系统的发热的程度，所以必须在以上两个工作的基础上，还要进行系统的热阻设计，所谓热阻设计就是如何让系统的热以最小的阻力散发出去，对系统进行及时的降温作用，当前所采用的降低热阻的方法主要有风冷和水冷，所谓风冷，就是利用电风扇，让系统内部热空气与外部空气进行交换来实现对系统降温的作用，这种方法对于系统温度不高的场合有较好的效果，成本低，容易处理；所谓水冷，就是让水循环系统经过热源，利用一个辅助的水泵加冷却塔及循环管路对系统降温，这种方法对于系统温度较高的场合用的较多，但水冷系统有4大问题：腐蚀、结垢、菌藻滋生及污泥。如果不对水质处理，将严重损坏制冷设备，大幅度降低热交换效率，因此需要定期维护；在制冷系统方案中，除了上面提到的风冷和水冷外，还有蒸发式制冷方式，它相对于风冷和水冷节省功耗1/2左右，循环水量少，只占水冷式的1/8左右，适合于大环境温度高的场合，在发射机中基本不用。由于减小电磁发射机的体积可以方便野外勘探，所以电磁发射机的结构比较紧凑，各元器件之间的距离比较近，电感元件之间的附加损耗会明显增加，局部发热现象明显，通常采取风冷和水冷的办法，来降低人工源电磁发射机的温度，但是往往风冷效率低，水冷成本高，导致这两种冷却方式不能够广泛使用在电磁发射机上。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种电磁发射机。本专利技术的一个目的是提供一种电磁发射机，所述电磁发射机包括：发电机组、软启动开关、不控整流桥、滤波电容、一级逆变桥、高频变压器、高频整流桥、LC滤波电路、二级逆变桥，其中，所述发电机组通过所述软启动开关与所述不控整流桥连接，用于输出交流电到所述不控整流桥；所述不控整流桥的输出端与所述滤波电容连接，用于将输入的三相交流电整流后形成直流电输出到所述滤波电容，所述滤波电容的输出端与所述一级逆变桥连接，用于将接收的直流电进行滤波后输出到所述一级逆变桥，所述一级逆变桥的输出端与所述高频变压器的原边连接，用于将接收到的滤波后的直流电逆变产生交流方波并输出到所述高频变压器的原边；所述高频变压器的副边与所述高频整流桥连接，用于将接收的交流方波升压后输出到所述高频整流桥，所述高频整流桥的输出端与所述LC滤波电路连接，用于将所述升压后的交流方波整流形成直流方波，所述LC滤波电路与所述二级逆变桥连接，用于将接收的直流方波滤波形成直流电，所述二级逆变桥将接收的直流电进行逆变后产生不同的方波并输出到输出端口；所述电磁发射机还包括：用于对所述电磁发射体内的电感元件进行电磁屏蔽的屏蔽罩，所述屏蔽罩罩在所述电感元件上，所述电感元件包括所述高频变压器、所述LC滤波电路中至少一个。可选地，所述不控整流桥为三相半波电路。可选地，所述屏蔽罩为双层结构，分别为位于内侧的第一屏蔽罩以及位于所述第一屏蔽罩外侧的第二屏蔽罩。可选地，所述第一屏蔽罩的材料为镍铁合金，所述第二屏蔽罩的材料为坡莫合金。可选地，所述第一屏蔽罩和所述第二屏蔽罩间隔设置。可选地，所述第一屏蔽罩和所述第二屏蔽罩之间设有绝缘层。可选地，所述一级逆变桥为H型逆变桥。可选地，所述软启动开关为有源软开关。从以上技术方案可以看出，本专利技术实施例具有以下优点：采用本专利技术提供的电磁发射机，通过采用在电感元件上增加屏蔽层，使得电感元件对其他元器件的干扰降低，减少电磁发射机内部局部发热量，有效地改善高频的电磁发射机的散热状况。附图说明图1是本专利技术的电磁发射机的一种实施例的结构图；图2是电磁发射机没有采用屏蔽罩之前的热量分布图；图3是本专利技术的电磁发射机的使用过程中散热情况的效果图；图4是采用本专利技术的电磁发射机进行优化前后的温度曲线分布图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。本专利技术提供的一种电磁发射机，所述电磁发射机包括：发电机组10、软启动开关(图中未示出)、不控整流桥20、滤波电容80、一级逆变桥30、高频变压器90、高频整流桥40、LC滤波电路50、二级逆变桥60，其中，所述发电机组10通过所述软启动开关与所述不控整流桥连接，用于输出交流电到所述不控整流桥20；所述不控整流桥20的输出端与所述滤波电容80连接，用于将输入的三相交流电整流后形成直流电输出到所述滤波电容80，所述滤波电容80的输出端与所述一级逆变桥30连接，用于将接收的直流电进行滤波后输出到所述一级逆变桥30，所述一级逆变桥30的输出端与所述高频变压器90的原边连接，用于将接收到的滤波后的直流电逆变产生交流方波并输出到所述高频变压器90的原边；所述高频变压器90的副边与所述高频整流桥40连接，用于将接收的交流方波升压后输出到所述高频整流桥40，所述高频整流桥40的输出端与所述LC滤波电路50连接，用于将所述升压后的交流方波整流形成直流方波，所述LC滤波电路50与所述二级逆变桥60连接，用于将接收的直流方波滤波形成直流电，所述二级逆变桥60将接收的直流电进行逆变后产生不同的方波并输出到输出端口本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电磁发射机，其特征在于，所述电磁发射机包括：发电机组、软启动开关、不控整流桥、滤波电容、一级逆变桥、高频变压器、高频整流桥、LC滤波电路、二级逆变桥，其中，所述发电机组通过所述软启动开关与所述不控整流桥连接，用于输出交流电到所述不控整流桥；所述不控整流桥的输出端与所述滤波电容连接，用于将输入的三相交流电整流后形成直流电输出到所述滤波电容，所述滤波电容的输出端与所述一级逆变桥连接，用于将接收的直流电进行滤波后输出到所述一级逆变桥，所述一级逆变桥的输出端与所述高频变压器的原边连接，用于将接收到的滤波后的直流电逆变产生交流方波并输出到所述高频变压器的原边；所述高频变压器的副边与所述高频整流桥连接，用于将接收的交流方波升压后输出到所述高频整流桥，所述高频整流桥的输出端与所述LC滤波电路连接，用于将所述升压后的交流方波整流形成直流方波，所述LC滤波电路与所述二级逆变桥连接，用于将接收的直流方波滤波形成直流电，所述二级逆变桥将接收的直流电进行逆变后产生不同的方波并输出到输出端口；所述电磁发射机还包括：用于对所述电磁发射体内的电感元件进行电磁屏蔽的屏蔽罩，所述屏蔽罩罩在所述电感元件上，所述电感元件包括所述高频变压器、所述LC滤波电路中至少一个。...

【技术特征摘要】
1.一种电磁发射机，其特征在于，所述电磁发射机包括：发电机组、软启动开关、不控整流桥、滤波电容、一级逆变桥、高频变压器、高频整流桥、LC滤波电路、二级逆变桥，其中，所述发电机组通过所述软启动开关与所述不控整流桥连接，用于输出交流电到所述不控整流桥；所述不控整流桥的输出端与所述滤波电容连接，用于将输入的三相交流电整流后形成直流电输出到所述滤波电容，所述滤波电容的输出端与所述一级逆变桥连接，用于将接收的直流电进行滤波后输出到所述一级逆变桥，所述一级逆变桥的输出端与所述高频变压器的原边连接，用于将接收到的滤波后的直流电逆变产生交流方波并输出到所述高频变压器的原边；所述高频变压器的副边与所述高频整流桥连接，用于将接收的交流方波升压后输出到所述高频整流桥，所述高频整流桥的输出端与所述LC滤波电路连接，用于将所述升压后的交流方波整流形成直流方波，所述LC滤波电路与所述二级逆变桥连接，用于将接收的直流方波滤波形成直流电，所述二级逆变桥将接收的直流电进行逆变后...

【专利技术属性】
技术研发人员：底青云，张一鸣，薛国强，真齐辉，郭兵，
申请(专利权)人：中国科学院地质与地球物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11