一种太赫兹波检偏器制造技术

本发明专利技术公开一种太赫兹波检偏器，其包括：总漏极、总电子沟道、若干太赫兹波探测器；所述总漏极位于所述总电子沟道之上；所述若干太赫兹波探测器间隔排列在所述总电子沟道上，且所述太赫兹波探测器与所述总电子沟道连通。本发明专利技术通过利用自混频太赫兹波探测器的太赫兹天线的极化探测特性，通过利用一组太赫兹波探测器的组合来实现太赫兹波偏振特性的快速检测，从而通过利用自混频太赫兹波探测器高速、高灵敏度和低噪音的优异特性实现太赫兹波偏振特性的超快检测。

Terahertz wave detector

The invention discloses a terahertz wave detecting polarizer, which includes the total drain, the total electron channel, several terahertz wave detector; the total drain in the total electron channel; a plurality of terahertz wave detector arranged at intervals in the total electron channel, and the Hertz too wave detector with the total electron channel connectivity. The present invention by using polarized terahertz antenna self mixing terahertz wave detector detecting characteristics, to achieve rapid detection of terahertz wave polarization by using a terahertz wave detector combination, so as to achieve detection by ultrafast terahertz wave polarization characteristics with high speed, self mixing terahertz wave detector Gao Ling sensitivity and low noise and excellent characteristics.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电
，具体地讲，涉及一种太赫兹波检偏器。
技术介绍
太赫兹(Terahertz)波通常指的是波长在30μm-3mm(即频率为0.1THz-10THz)区间的电磁波，其频段位于微波和红外光之间，具有很多独特的优势，例如高透性、低能量性、选择吸收性等。太赫兹波在安全保安、医疗、食品安全、空间通讯、无损检测和环境监控等领域具有广泛的应用前景。目前，太赫兹技术已经取得了快速的发展，太赫兹辐射源和太赫兹探测器技术也越来越趋于成熟。太赫兹波除了它的幅度、频率和相位等信息外，还具有偏振特性。偏振是指空间电磁波的矢量电场幅度的大小和方向随传播方向变化的情况。1808年法国物理学家马吕斯(Malus,1775—1812)在研究双折射时发现折射的两束光在两个互相垂直的平面上偏振。此后又有布儒斯特(Brewster,1781—1868)定律和色偏振等一些新发现。偏振光的应用十分广泛，在晶体分析、光学计量、光通讯和实验应力分析等
中都有巧妙的应用。因此，了解太赫兹波的偏振特性对于太赫兹波的应用是至关重要的。目前对于太赫兹波的偏振特性的检测主要是使用偏振片和探测晶体来完成。这些检测太赫兹波偏振特性的方法是通过旋转偏振片或者探测晶体来改变偏振光的透射率来实现对光的偏振特性检测，这些方法需要旋转最少180°或利用两个探测器和晶体组合来测量太赫兹波的偏振方向。因此，这些方法不仅需要光学系统和操作相对复杂，并且极为耗时，检测效率相对低下。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种太赫兹波检偏器，其包括：总漏极、总电子沟道、若干太赫兹波探测器；所述总漏极位于所述总电子沟道之上；所述若干太赫兹波探测器间隔排列在所述总电子沟道上，且所述太赫兹波探测器与所述总电子沟道连通。进一步地，所述总电子沟道呈圆形，所述若干太赫兹波探测器沿着半圆周间隔排列在所述总电子沟道上。进一步地，所述若干太赫兹波探测器沿着半圆周等间隔排列在所述总电子沟道上。进一步地，所述太赫兹波探测器包括：第一天线、第二天线、第三天线、第一沟道、第二沟道、第三沟道、栅极、源极；所述第一天线与所述第二天线处于同一直线上，且所述第一天线与所述第三天线平行设置；所述第一天线的一端与所述第一沟道连通，所述第一沟道与所述总电子沟道连通，所述第一天线的另一端通过所述第二沟道与所述栅极连通；所述第二天线的一端通过所述第三沟道与所述源极连通，所述第二天线的另一端通过所述第二沟道与所述栅极连通；所述第三天线的一端与所述栅极连通。本专利技术的另一目的还在于提供一种太赫兹波检偏器，其包括：至少三个太赫兹波探测器；其中，所述太赫兹波探测器呈多边形布置。进一步地，所述太赫兹波探测器呈正多边形布置。进一步地，所述太赫兹波探测器呈等边三角形布置。进一步地，所述太赫兹波探测器包括：第一天线、第二天线、第三天线、第一沟道、第二沟道、第三沟道、栅极、源极、漏极；所述第一天线与所述第二天线处于同一直线上，且所述第一天线与所述第三天线平行设置；所述第一天线的一端通过所述第一沟道与所述漏极连通，所述第一天线的另一端通过所述第二沟道与所述栅极连通；所述第二天线的一端通过所述第三沟道与所述源极连通，所述第二天线的另一端通过所述第二沟道与所述栅极连通；所述第三天线的一端与所述栅极连通。本专利技术通过利用自混频太赫兹波探测器的太赫兹天线的极化探测特性，通过利用一组太赫兹波探测器的组合来实现太赫兹波偏振特性的快速检测，从而通过利用自混频太赫兹波探测器高速、高灵敏度和低噪音的优异特性实现太赫兹波偏振特性的超快检测。附图说明通过结合附图进行的以下描述，本专利技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：图1是根据本专利技术的实施例的太赫兹波探测器的结构示意图；图2是利用图1所示的太赫兹波探测器构建的太赫兹波检偏器的第一实施方式的示意图；图3是利用图1所示的太赫兹波探测器构建的太赫兹波检偏器的第二实施方式的示意图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本专利技术，并且本专利技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本专利技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本专利技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，相同的标号在整个说明书和附图中可用来表示相同的元件。就平面天线而言，一般都会有极化特性。太赫兹波的极化方向和天线的极化方向之间的位置关系直接影响着太赫兹波探测器的输出信号，当它们的方向趋于一致时，太赫兹波探测器的输出将达到极大值。因此，本实施例可以利用具有极化特性的太赫兹波探测器及其组合进行太赫兹波偏振特性的直接检测。已知偏振光的偏振态有三种：线偏振，圆偏振和椭圆偏振。无论何种偏振态的光(非自然光)，其均可描述为两个正交线偏振的叠加。任何一种偏振光均可由合成波矢端轨迹方程推导。设两光束沿z方向传播，两束光的光矢量分别沿x方向和y方向，δ为两束光的相位差，则其合成波光矢量矢端轨迹方程为： ( E x A x ) 2 + ( E y A y ) 2 - 2 E x A x E y A y cos δ = sin 2 δ - - - ( 1 ) ]]>其中，Ex和Ey分别为x和y方向的线偏振光，Ax和Ay分别两束线偏振光的振幅。式(1)表示合成波的矢端轨迹为椭圆，即合成波为椭圆偏振光。当式(1)中的δ＝2kπ或者(2k+1)π，k＝0,1,2...时可得：式(2)中光的矢端轨迹为直线，即为线偏振。当式(1)中
Ax＝Ay＝A时，式(3)的矢端轨迹为圆，即为圆偏振光：Ex2+Ey2＝A (3)当式(1)中Ax≠Ay时，式(4)的矢端轨迹为椭圆，即为椭圆偏振光： ( E x A x 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太赫兹波检偏器，其特征在于，包括：总漏极、总电子沟道、若干太赫兹波探测器；所述总漏极位于所述总电子沟道之上；所述若干太赫兹波探测器间隔排列在所述总电子沟道上，且所述太赫兹波探测器与所述总电子沟道连通。

【技术特征摘要】
1.一种太赫兹波检偏器，其特征在于，包括：总漏极、总电子沟道、若干太赫兹波探测器；所述总漏极位于所述总电子沟道之上；所述若干太赫兹波探测器间隔排列在所述总电子沟道上，且所述太赫兹波探测器与所述总电子沟道连通。2.根据权利要求1所述的太赫兹波检偏器，其特征在于，所述总电子沟道呈圆形，所述若干太赫兹波探测器沿着半圆周间隔排列在所述总电子沟道上。3.根据权利要求2所述的太赫兹波检偏器，其特征在于，所述若干太赫兹波探测器沿着半圆周等间隔排列在所述总电子沟道上。4.根据权利要求1至3任一项所述的太赫兹波检偏器，其特征在于，所述太赫兹波探测器包括：第一天线、第二天线、第三天线、第一沟道、第二沟道、第三沟道、栅极、源极；所述第一天线与所述第二天线处于同一直线上，且所述第一天线与所述第三天线平行设置；所述第一天线的一端与所述第一沟道连通，所述第一沟道与所述总电子沟道连通，所述第一天线的另一端通过所述第二沟道与所述栅极连通；所述第二天线的一端通过所述第三沟道与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦华，郑中信，孙建东，张志鹏，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32