The invention is applicable to the electronic field and provides a switch for absorption type RF, the absorption type RF switch comprises a first RF transmission line, the input and output ports are located at both ends of the first RF transmission line, connected to the first PIN diode, RF short circuit structure, the first filter and the DC bias voltage, which first, the PIN diode is connected with the input port, the absorption type RF switch also includes successively connected second PIN diodes, second RF transmission line, RF load, third RF transmission line and second DC bias voltage, wherein, second PIN diode connected to the output port, thereby forming the absorption type SPST RF switch. The absorption type radio frequency switch of the invention improves the isolation degree and the switching speed of the absorption type radio frequency switch.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子领域,尤其涉及一种吸收式射频开关。
技术介绍
请参阅图1,现有技术的吸收式单刀单掷射频开关包括输入端口51和输出端口52,输出端口52接有负载53。当开关置于“开”状态时,RF信号可以自输入端口51至输出端口52以最小开关损耗传送。当开关置于“关”状态时,由于输出端口52具有吸收性,在输出端口52的RF信号可有效地被负载53所吸收。换句话说,无论开关是在“开”还是“关”的状态,输出端口52具有良好的回波损耗。回波损耗对于许多天线的应用是至关重要的,当开关处于“关”状态时,与其它RF系统耦合的能量就可以有效的被吸收从而减少与相邻RF系统之间的互耦。然而,现有技术的吸收式单刀单掷射频开关隔离度较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种吸收式射频开关,旨在解决现有技术的吸收式射频开关隔离度较低的问题。本专利技术提供了一种吸收式射频开关,所述吸收式射频开关包括第一RF传输线,分别位于第一RF传输线两端的输入端口和输出端口,依次连接的第一PIN二极管、RF短路结构、第一滤波器和第一直流偏置电压,其中,第一PIN二极管接输入端口,所述吸收式射频开关还包括依次连接的第二PIN二极管、第二RF传输线、RF负载、第三RF传输线和第二直流偏置电压,其中,第二PIN二极管接输出端口,从而形成吸收式单刀单掷射频开关。进一步地,所述第三RF传输线和第二直流偏置电压之间连接有第二滤波器。进一步地,所述吸收式单刀单掷射频开关是通过印刷电路来实现的,所述第一RF传输线和RF短路结构之间具有缝隙,第一PIN二极管位于缝隙上方,焊接于第一RF传输线和RF短路结构之间; ...
【技术保护点】
一种吸收式射频开关,其特征在于,所述吸收式射频开关包括第一RF传输线,分别位于第一RF传输线两端的输入端口和输出端口,依次连接的第一PIN二极管、RF短路结构、第一滤波器和第一直流偏置电压,其中,第一PIN二极管接输入端口,所述吸收式射频开关还包括依次连接的第二PIN二极管、第二RF传输线、RF负载、第三RF传输线和第二直流偏置电压,其中,第二PIN二极管接输出端口,从而形成吸收式单刀单掷射频开关。
【技术特征摘要】
1.一种吸收式射频开关,其特征在于,所述吸收式射频开关包括第一RF传输线,分别位于第一RF传输线两端的输入端口和输出端口,依次连接的第一PIN二极管、RF短路结构、第一滤波器和第一直流偏置电压,其中,第一PIN二极管接输入端口,所述吸收式射频开关还包括依次连接的第二PIN二极管、第二RF传输线、RF负载、第三RF传输线和第二直流偏置电压,其中,第二PIN二极管接输出端口,从而形成吸收式单刀单掷射频开关。2.如权利要求1所述的吸收式射频开关,其特征在于,所述第三RF传输线和第二直流偏置电压之间连接有第二滤波器。3.如权利要求2所述的吸收式射频开关,其特征在于,所述吸收式单刀单掷射频开关是通过印刷电路来实现的,所述第一RF传输线和RF短路结构之间具有缝隙,第一PIN二极管位于缝隙上方,焊接于第一RF传输线和RF短路结构之间;第一RF传输线和第二RF传输线之间具有缝隙,第二PIN二极管位于缝隙上方,焊接于第一RF传输线和第二RF传输线之间;第二RF传输线和第三RF传输线之间具有缝隙,RF负载位于缝隙上方,焊接于第二RF传输线和第三RF传输线之间;RF短路结构和第一滤波器之间通过高阻抗传输线连接,第一直流偏置电压的一端接在高阻抗传输线和第一滤波器之间,第二直流偏置电压的一端接在第三RF传输线和第二滤波器之间。4.如权利要求3所述的吸收式射频开关,其特征在于,所述RF短路结构和第一滤波器呈扇形,所述高阻抗传输线和第三RF传输线以类似于高斯曲线的方式弯曲。5.如权利要求3所述的吸收式射频开关,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:东君伟,秦三团,
申请(专利权)人:中山香山微波科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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