一种可自修复的光敏阻焊干膜制造技术

技术编号:14236181 阅读:214 留言:0更新日期:2016-12-21 10:44
本发明专利技术公开了一种可自修复的光敏阻焊干膜,本发明专利技术首先将双环戊二烯和亚乙基降冰片烯包裹在脲醛树脂形成的直径为1‑10um的微胶囊内,再将微胶囊与含羧基的碱可溶性聚合物、含有乙烯基的不饱和单体或寡聚物、光引发剂、助剂、双环戊二烯、亚乙基降冰片烯、苯基亚甲基双(三环己基磷)二氯化钌混合后,涂布在支持体上并干燥;上层贴合聚合物覆盖膜,即制得本发明专利技术可自修复的光敏阻焊干膜。本发明专利技术将自修复材料引入到阻焊干膜中,使得阻焊干膜在出现裂痕和空洞等缺陷时能够实现自修复,从而保证了线路板的阻焊性及绝缘性,并很大程度上延长线路板的使用寿命。

Self repairing photosensitive resistance welding dry film

The invention discloses a self repair dry film solder mask, the invention first dicyclopentadiene and ethylidenenorbornene package formed in the urea formaldehyde resin microcapsule diameter 1 10um, then the micro capsule and carboxyl containing alkali soluble polymer containing unsaturated vinyl monomers or oligomers and photoinitiator, additives, dicyclopentadiene, ethylidene norbornene, phenyl methylene bis (tricyclohexylphosphine P) two ruthenium chloride mixture, coating on the support body and the upper cover film laminating drying; polymer is prepared, the invention can self repair dry solder mask film. The present invention will self repair materials into a dry film solder mask, the dry film solder mask can achieve self repair in cracks and holes, so as to ensure the welding circuit board and insulation, and greatly prolong the service life of the circuit board.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光敏阻焊干膜,尤其涉及一种具有自修复功能的能够较大程度上提高线路板的阻焊性及绝缘性的阻焊干膜。
技术介绍
随着我国电子工业及科学技术的迅速发展,对各种电子仪器、计算机和军事装备的精密度、可靠性和稳定性的要求日益增高,相应地对印制线路板的制作精度、密度、可靠性等要求也就越来越高,使用传统的阻焊印料丝网漏印工艺,已经不能满足高精度制版的要求。于是光敏阻焊干膜便应运而生。其特点是制版精确、可靠、工艺简单方便、生产周期短。在品种多、批量小、交货期短的情况下,更加显示出其优越性—经济且简便。目前,尽管光敏阻焊干膜很大程度上在后期焊接过程中可以保护到线路板,同时其良好的绝缘性能也确保生产的线路板有较长的使用寿命。但是,普通的阻焊干膜可能会存在人为或者本身产品质量问题所引起的缺陷,这些缺陷极有可能导致线路板在后期焊接过程中出现焊料沉积从而导致的线路短路,从而直接影响线路板的生产良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的不足,提供一种可自修复的光敏阻焊干膜,其自修复功能可以保护线路板焊接过程中不受焊料污染,从而提高线路板的生产良率并延长使用寿命。为解决上述技术问题,本专利技术采用如下技术方案:一种可自修复的光敏阻焊干膜,所述光敏阻焊干膜通过以下方法制备得到:(1)按质量配比50-70:15-45:0.5-10:0-5:0.65-5:0.03-0.1:0.5-1取:重均分子量为80000-140000的含羧基的碱可溶性聚合物、含有乙烯基的不饱和单体或寡聚物、光引发剂、助剂、双环戊二烯(DCPD,结构式Ⅰ)、亚乙基降冰片烯(ENB,结构式Ⅱ)、苯基亚甲基双(三环己基磷)二氯化钌(Grubbs催化剂,结构式Ⅲ);(2)将双环戊二烯和亚乙基降冰片烯混合后,包裹在脲醛树脂形成的直径为1-10um的微胶囊内;(3)将重均分子量为80000-140000的含羧基的碱可溶性聚合物、含有乙烯基的不饱和单体或寡聚物、光引发剂、助剂混合,得混合液,再将步骤2制备的微胶囊和苯基亚甲基双(三环己基磷)二氯化钌加入混合液中,搅拌,脱泡,得分散均匀的干膜抗蚀剂;(4)将步骤3制得的干膜抗蚀剂涂布在支持体上,50-120℃下干燥1-30分钟;(5)在干膜抗蚀剂的上层贴合聚合物覆盖膜,得可自修复的光敏阻焊干膜;进一步地,所述重均分子量为80000-140000的含羧基的碱可溶性聚合物的酸含量在80-400mgKOH/g,更优选为100-300mg KOH/g。进一步地,所述重均分子量为80000-140000的含羧基的碱可溶性聚合物,由一种或多种含羧基的共聚单元单体与一种或多种不含羧基基团的共聚单元单体按照任意配比共聚而得;其中,含羧基的聚合物的共聚单元单体可以选自衣康酸、巴豆酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸半酯、顺丁烯二酸、反丁烯二酸、乙烯基乙酸及其酸酐等;不含羧基基团的共聚单元可以选自:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十八酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、N,N-二甲基(甲基)丙烯酸乙酯、N,N-二乙基(甲基)丙烯酸乙酯、N,N-二甲基(甲基)丙烯酸丙酯、N,N-二乙基(甲基)丙烯酸丙酯、N,N-二甲基(甲基)丙烯酸丁酯、N,N-二乙基(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基-丙烯酰胺、N-丁氧基甲基-丙烯酰胺、苯乙烯、(甲基)丙烯酸苄酯、苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、(烷氧基化)壬基苯酚(甲基)丙烯酸酯等。进一步地,所述含有乙烯基的不饱和单体或寡聚物由三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、(乙氧)丙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、(乙氧)基化双酚A二丙烯酸酯、丙氧基化双酚A二丙烯酸酯及甘油三丙酸酯中的一种或多种按照任意配比混合组成;优选为(乙氧)丙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、(乙氧)丙氧基化双酚A二丙烯酸酯或聚乙二醇二丙烯酸酯。进一步地,所述光引发剂由主引发剂和辅助引发剂按重量配比0.5-1:0.5-0混合组成;所述主引发剂为2,4,5-三芳基咪唑二聚体或2,4,5-三芳基咪唑二聚体衍生物,所述2,4,5-三芳基咪唑二聚体衍生物选自2-(邻氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(邻氯苯基)-4,5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(邻氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(邻甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(对甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物等。所述辅助引发剂由芳香族酮、醌类、安息香化合物、苯偶酰衍生物、吖啶衍生物、N-苯基氨基乙酸衍生物、香豆素系化合物,恶唑系化合物等中的一种或多种按照任意配比混合组成,所述芳香族酮选自噻吨酮、苯偶姻苯基醚、二本甲酮、苯偶姻甲基醚、N,N'-四甲基-4,4'-二氨基二苯甲酮(米蚩酮)、N,N'-四乙基-4,4'-二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4'-二甲基氨基二苯甲酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉基苯基)-丁酮-1,2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-吗啉代-丙酮-1等;所述醌类选自2-乙基蒽醌、菲醌、2-叔丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、2-甲基1,4-萘醌、2,3-二甲基蒽醌等;所述安息香化合物选自安息香甲醚、安息香乙醚、安息香醚化合物,安息香、甲基安息香、乙基安息香等;所述苯偶酰衍生物为苯偶酰二甲基缩酮;所述吖啶衍生物选自9-苯基吖啶、1,7-双(9,9'-吖啶)庚烷等,所述N-苯基氨基乙酸衍生物为N-苯基氨基乙酸。进一步地,所述的助剂由染料、光成色剂、成色热稳定剂、增塑剂、填料、消泡剂、阻燃剂、稳定剂、流平剂、剥离促进剂、抗氧化剂、香料、成像剂、热交联剂中的一种或多种按照任意配比混合组成。进一步地,双环戊二烯和亚乙基降冰片烯混合后,通过界面聚合或原位聚合方法包裹在脲醛树脂形成的直径为1-10um的微胶囊内;聚合时转速为1000-2000rpm。进一步地,所述支持体选自聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯等薄膜;优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯薄膜。进一步地,所述支持体厚度为10-100μm,优选15-80μm,更优选15-40μm。进一步地,所述聚合物覆盖膜选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯等薄膜,其厚度为5-100μm。本专利技术的有益效果在于:本专利技术将自修复材料引入到阻焊干膜中,使得阻焊干膜在出现裂痕和空洞等缺陷时能够实现自修复,从而保证了线路板的阻焊性及绝缘性,并很大程度上延长线路板的使用寿命,因此本专利技术将会在高精密线路板上得到较大的应用。附图说明图1为可自修复的光敏阻焊干膜结构示意图;图2为可自修复的光敏阻焊干膜的自修复机理图。具体实施本文档来自技高网...
一种可自修复的光敏阻焊干膜

【技术保护点】
一种可自修复的光敏阻焊干膜,其特征在于,所述光敏阻焊干膜通过以下方法制备得到:(1)按质量配比50‑70:15‑45:0.5‑10:0‑5:0.65‑5:0.03‑0.1:0.5‑1取:重均分子量为80000‑140000的含羧基的碱可溶性聚合物、含有乙烯基的不饱和单体或寡聚物、光引发剂、助剂、双环戊二烯、亚乙基降冰片烯、苯基亚甲基双(三环己基磷)二氯化钌。(2)将双环戊二烯和亚乙基降冰片烯混合后,包裹在脲醛树脂形成的直径约为1‑10um的微胶囊内。(3)将重均分子量为80000‑140000的含羧基的碱可溶性聚合物、含有乙烯基的不饱和单体或寡聚物、光引发剂、助剂混合,得混合液,再将步骤2制备的微胶囊和苯基亚甲基双(三环己基磷)二氯化钌加入混合液中,搅拌,脱泡,得分散均匀的干膜抗蚀剂。(4)将步骤3制得的干膜抗蚀剂涂布在支持体上,50‑120℃下干燥1‑30分钟。(5)在干膜抗蚀剂的上层贴合聚合物覆盖膜,得可自修复的光敏阻焊干膜。

【技术特征摘要】
1.一种可自修复的光敏阻焊干膜,其特征在于,所述光敏阻焊干膜通过以下方法制备得到:(1)按质量配比50-70:15-45:0.5-10:0-5:0.65-5:0.03-0.1:0.5-1取:重均分子量为80000-140000的含羧基的碱可溶性聚合物、含有乙烯基的不饱和单体或寡聚物、光引发剂、助剂、双环戊二烯、亚乙基降冰片烯、苯基亚甲基双(三环己基磷)二氯化钌。(2)将双环戊二烯和亚乙基降冰片烯混合后,包裹在脲醛树脂形成的直径约为1-10um的微胶囊内。(3)将重均分子量为80000-140000的含羧基的碱可溶性聚合物、含有乙烯基的不饱和单体或寡聚物、光引发剂、助剂混合,得混合液,再将步骤2制备的微胶囊和苯基亚甲基双(三环己基磷)二氯化钌加入混合液中,搅拌,脱泡,得分散均匀的干膜抗蚀剂。(4)将步骤3制得的干膜抗蚀剂涂布在支持体上,50-120℃下干燥1-30分钟。(5)在干膜抗蚀剂的上层贴合聚合物覆盖膜,得可自修复的光敏阻焊干膜。2.根据权利要求1所述的可自修复的光敏阻焊干膜,其特征在于,所述重均分子量为80000-140000的含羧基的碱可溶性聚合物的酸含量在80-400mgKOH/g,优选为100-300mgKOH/g。3.根据权利要求1所述的可自修复的光敏阻焊干膜,其特征在于,所述重均分子量为80000-140000的含羧基的碱可溶性聚合物,由一种或多种含羧基的共聚单元单体与一种或多种不含羧基基团的共聚单元单体按照任意配比共聚而得;其中,含羧基的聚合物的共聚单元单体可以选自衣康酸、巴豆酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸半酯、顺丁烯二酸、反丁烯二酸、乙烯基乙酸及其酸酐等;不含羧基基团的共聚单元可以选自:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十八酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、N,N-二甲基(甲基)丙烯酸乙酯、N,N-二乙基(甲基)丙烯酸乙酯、N,N-二甲基(甲基)丙烯酸丙酯、N,N-二乙基(甲基)丙烯酸丙酯、N,N-二甲基(甲基)丙烯酸丁酯、N,N-二乙基(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基-丙烯酰胺、N-丁氧基甲基-丙烯酰胺、苯乙烯、(甲基)丙烯酸苄酯、苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、(烷氧基化)壬基苯酚(甲基)丙烯酸酯等。4.根据权利要求1所述的可自修复的光敏阻焊干膜,其特征在于,所述含有乙烯基的不饱和单体或寡聚物由三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、(乙氧)丙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、(乙氧)基化双酚A二丙烯酸酯、丙氧基化双酚...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄森彪李志强李伟杰严晓慧韩传龙周光大林建华
申请(专利权)人:杭州福斯特光伏材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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