The invention discloses a method for manufacturing a LED chip and a LED chip, wherein, the LED chip manufacturing method is used for producing a light emitting unit on the upper surface and the lower surface of the LED chip substrate in the process of making the LED chip. The upper and lower surfaces of the LED chip substrate are respectively provided with a light emitting unit. Method for making LED chip of the invention, the LED chip substrate were made under the surface structure design of light emitting unit, compared with the traditional LED chip, LED chip production can be achieved the number of double quantum wells under the same size of the chip area, and does not cause reliability problems. The LED chip of the invention has the advantages of high light efficiency, higher brightness, longer service life, good reliability, simple process, low cost and higher market value than the traditional chip in the same area.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED芯片
,尤其涉及LED芯片制作方法及LED芯片。
技术介绍
LED灯是目前世界范围市场上广泛使用的照明灯具,具有体积小,亮度高,耗电量低,发热少,使用寿命长,环保等优点,并且具有丰富多彩的颜色种类,深受消费者的喜爱。与此同时,LED芯片作为背光源在手机,电视机等需要显示屏的电子产品中发挥着不可或缺的作用,随着电子产品的尺寸的不断缩小,也要求LED芯片的尺寸能够大幅减小,因此,世界各大LED芯片厂家一直致力于研制高光效的芯片结构。从LED芯片结构本身来考虑,在争取单位面积发出更多的光子,主流技术是在LED芯片有源区增加量子阱数量,LED芯片发光的机理是电流通过芯片有源区的量子阱时空穴与电子的辐射复合发光,量子阱越多代表着产生辐射发光的机会就越大。通过增加有源区量子阱数量来获取更高的亮度必将遇到发展的瓶颈,量子阱主要是提高复合效率,量子阱越多复合效率也越高,但是也不能无限多,也受限于量子阱与量子阱之间壁厚,如果量子阱太多,会导致壁很薄,会出现电子隧穿现象,导致量子井电量分布不均匀。另外,一个LED芯片的有源区部分厚度大概就几个微米,在这么薄的区间设计大量量子阱,必将引起热流密度集中,产生一系列可靠性问题,使用寿命大幅度下降。相关资料研究显示,随着阱个数的增加,可以使电子注入到较多的量子阱中,减小活性区载流子的密度,从而减轻俄歇复合效应。而当阱的个数增加时,由于极化的积累,使得能带弯曲和载流子泄露现象严重,导致器件性能下降;此外,增加量子阱数量,在外延生长时不仅浪费原材料,还会增加量子阱的生长难度,难以制备高质量的量子阱。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种LED芯片制作方法,其特征在于,在LED芯片制作过程中,在LED芯片衬底的上下表面各制作一个发光单元。
【技术特征摘要】
1.一种LED芯片制作方法,其特征在于,在LED芯片制作过程中,在LED芯片衬底的上下表面各制作一个发光单元。2.如权利要求1所述的LED芯片制作方法,其特征在于,所述在LED芯片衬底的上下表面各制作一个发光单元,包括:在LED芯片衬底的上下表面各制作一个尺寸大小一致的发光单元。3.如权利要求1所述的LED芯片制作方法,其特征在于,在LED芯片衬底的上表面或下表面制作发光单元,包括在衬底上形成N型缓冲层、N型层、有源区量子阱、P型层、透明导电层、正电极和负电极。4.如权利要求1所述的LED芯片制作方法,其特征在于,还包括:将LED芯片衬底的上下表面两个发光单元的正电极相互连接,将LED芯片衬底的上下表面两个发光单元的负电极相互连接,形成表面贴片形式,并以倒装焊接形式贴于基板上。5.如权利要求4所述的LED芯片制作方法,其特征在于,所述将LED芯片衬底的上下表面两个发光单元的正电极相互连接,包括用金线或铜线将LED芯片衬底的上下表面两个发光单元的正电极相互连接;和/或,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:张金勇,罗剑生,王磊,
申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院,
类型:发明
国别省市:广东;44
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