多读取器的导线弯曲结构制造技术

一弯曲结构(10)，用于在上面安装多个再生装置(4a，4b)，包括一金属基体(20)和一互联部分(30)。金属基体(20)包括一第一区域(21)，以及形成于一窗口部分(26)内的一第二区域(22)。互联部分(30)包括一绝缘层(31)，绝缘层(31)包括覆盖第一区域(21)的一第一通道和覆盖第二区域(22)的一第二通道(36)，连接一记录装置(3)的一写入磁道对(40)，设置于第二通道(36)上以面对窗口部分(26)并分别与再生装置(4a，4b)连接的读取磁道对(51，52)，以及设置于两个邻近的读取磁道对(51，52)之间并在两个端部(71a，71b)处设置有接地点的一接地磁道(71)。

Wire bending structure of multi reader

A bent structure (10) for mounting a plurality of regeneration devices (4a, 4b) on the top, including a metal matrix (20) and an interconnecting portion (a). The metal substrate (20) includes a first region (21) and a region (22) formed in a window portion (26). The interconnection part (30) comprises an insulating layer (31), an insulating layer (31) covering the first region (21) of a first channel and cover the second region (22) of a second channel (36), connected to a recording device (3) for a write track (40), set in the second channel (36) to face the window portion (26) respectively and regeneration device (4a, 4b) connected to the reading track (51, 52), and arranged in two adjacent tracks to read (51, 52) and between the two ends (71A, 71B) are arranged at the ground to track ground (71).

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及改进一多读取器的一导线弯曲结构的电气特性，该多读取器安装在例如一硬盘驱动器上。
技术介绍
随着硬盘驱动器容量的增加而它们的尺寸不断缩小，需要对一磁盘的记录密度进行进一步改进。为了实现上述需求，需要对除磁盘的线性密度以外的磁道密度进行改进。但是，缩小磁道宽度会导致磁盘中记录数据以及磁头的再生装置的偏移问题。对于此问题，如公开号为JPH06-215322 A的专利文献(专利文献1)公开的内容，提出了一种方法，用于同时再生记录数据和一偏移信号并通过在一磁头内提供两个再生装置(一多读取器)进行校正。进一步地，随着上述方法的发展形势，如公开号为JP 2011-134372 A的专利文献(专利文献2)公开的内容，提出了一种方法，用于通过多个再生装置再生二维磁记录(TDMR)。一弯曲结构，用于安装一磁头，该磁头包括设置于该磁头上的多个再生装置，该弯曲结构在下文中称作针对一多读取器的一导线弯曲结构。在该针对一多读取器的导线弯曲结构中，分别提供了与再生装置相对的读取磁道对。优选地，应该降低每对读取磁道的阻抗，以使得读取磁道对的阻抗与再生装置等部件的阻抗相匹配，且还为了降低能耗。在包括一对读取磁道的一般的导线弯曲结构中，一窗口部分通过在一区域的一金属基体上刻蚀形成，该区域中设置有一对读取磁道(读取磁道对)，从而调节阻抗值。在针对一多读取器的一导线弯曲结构中还包括多个读取磁道对，为每个读取磁道对形成一窗口部分。但是，由于可以由柔性制造中的常规化学刻蚀形成的金属基体的最小宽度受到限制，如果一互联部分由于弯曲的微型化继续变得越来越密集，则在每个读取磁道对中形成一独立的窗口部分会变得困难。因此，为了缩小针对一多读取器的导线弯曲结构的尺寸，可以通过形成对应于多对读取磁道的一共用窗口部分来实现。但是，如果形成了这样一窗口部分，形成一对读取磁道的正(正相位信号)读取磁道和负(负相位信号)读取磁道之间的位置关系和窗口部分(地面的外部形势)变得不平衡。如果正相和负相之间的读取磁道的电容值变得不平衡，则读取磁道通过成对传输一差动信号消除噪声的能力降低。在这种情况下，读取磁道对可能受到来自一写入磁道对的串扰(噪声)的影响。时至今日，对于一单一读取器的一般的导线弯曲结构，提出了针对抑制传输一差动信号的一对读取磁道中的串扰的各种技术。同时，用于抑制针对一多读取器的一导线弯曲结构中成对的读取磁道串扰的技术鲜为人知。举个例子，即使如公开号JP 2006-48800 A(专利文献3)或公开号JP 2006-331485 A(专利文献4)公开的用于针对一单一读取器的一导线弯曲结构的一串扰抑制技术被应用于一多读取器的一导线弯曲结构，所应用的技术不将带来任何优势或相反地将引起不良反应。
技术实现思路
本专利技术提供了一种弯曲结构，尤其涉及一种用于一多读取器的一导线弯曲结构，用于安装一磁头，所述磁头上包括多个再生装置，所述再生装置能够同时满足节省空间和良好电气特性的要求。根据一实施例的一种弯曲结构，用于在上面安装一记录装置和多个再生装置，且包括一金属基体和形成于所述金属基体上的一互联部分。金属基体包括向所述金属基体的纵向延伸的一第一区域，以及沿着内部形成有一窗口部分的所述第一区域延伸的一第二区域。所述互联部分包括：一绝缘层，所述绝缘层包括覆盖所述第一区域的一第一通道，以及覆盖所述窗口部分和所述第二区域的一第二通道；一写入磁道对，由形成一对并传输一差动信号的一第一写入磁道和一第二写入磁道构成；读取磁道对组，每个所述读取磁道对由形成一对并传输一差动信号的一第一读取磁道和一第二读取磁道构成；以及一接地(GND)磁道，包括一第一端部和一第二端部，且在所述第一端部和所述第二端部位置设置有接地点。所述写入磁道对设置于所述第一通道上并与所述记录装置连接。所述读取磁道对组设置于所述第二通道上以在所述金属基体的厚度方向上面对所述窗口部分，并分别与所述再生装置连接。所述接地磁道设置于两个邻近的读取磁道对之间。在这个实施例中，可以设置所述第一读取磁道和所述第二读取磁道使得所述第一读取磁道和所述接地磁道之间的距离与所述第二读取磁道和所述窗口部分的一边的距离大致相等。而且，当所述读取磁道对包括最接近于一第二读取磁道对的一第一读取磁道对，且包括靠近所述第一读取磁道对旁边的所述写入磁道对的一第二读取磁道对时，所述接地磁道可以设置在所述第一读取磁道对和所述第二读取磁道对之间。可选的，所述接地磁道设置于所有邻近的读取磁道对之间。进一步地，所述接地磁道可以包括一额外的接地点，所述接地点进一步设置于所述接地磁道的第一端部和第二端部之间。所述接地磁道、所述第一读取磁道和所述第二读取磁道三者的宽度可以大致相等。所述互联部分可以包括设置于除了所述第二通道上
方的其他部分的一额外导线。所述接地磁道可以包括一延伸部分，所述延伸部分从所述第一端部和/或所述第二端部延伸出来。本专利技术额外的目的和优势将在下面的说明书中进行陈述，且其中的一部分在说明书中是明显的，或者可以通过本专利技术的实践得到。本专利技术的目的和优势可以通过尤其是下文指出的手段和组合的方法实现和取得。附图说明此处结合的附图构成了说明书的一部分，解释了本专利技术的实施例，且连同上面给出的整个描述和下面给出的实施例的详细描述，帮助解释本专利技术的原理。图1显示的是一磁头万向组件的实例的一透视图。图2根据一第一实施例示意性地描绘了一互联部分。图3是沿图2的线F3-F3剖视的互联部分的一剖视图。图4根据一第二实施例图示性地描绘了一互联部分。图5是沿图4的线F5-F5剖开的互联部分的一剖视图。图6根据一第三实施例图示性地描绘了一互联部分。图7是沿图6的线F7-F7剖开的互联部分的一剖视图。图8是一原理图，展示了每个实施例中的互联部分的一串扰解析模型。图9是一特征图，显示了通过图8的解析模型计算出的根据第三实施例的影响第一读取磁道对和第二读取磁道对的串扰。图10是一特征图，显示了通过图8的解析模型计算出的根据第四至第十实施例的影响第一读取磁道对和第二读取磁道对的串扰的。图11根据一第十一实施例图示性地描绘了一互联部分。图12是根据一第十三实施例的一互联部分的一剖视图。图13根据一第十四实施例图示性地描绘了一互联部分。具体实施方式首先，参考图1描述各实施例中常见的一结构。图1显示了一磁头万向组件(HGA)，包括构成一磁头2的一滑动器8，形成的一载荷架6形如一板簧，针对一多读取器的导线弯曲结构10(在下文中仅称作一完全10)固定至载荷架6上，且滑动器8邻近于它的末端安装在其上，等。磁头2包括一记录装置3和多个(例如两个)再生装置4a和4b。弯曲结构10包括通过刻蚀奥氏体不锈钢的一金属箔得到的一金属基体20，以及例如沿着金属基体20形成的一互联部分30。金属基体20的厚度小于载荷架6的厚度。载荷架6的厚度是，例如，30至62μm，以及金属基体20的厚度是，例如，18μm(12至25μm)。金属基体20通过，例如，激光焊接形成的多个焊接条固定至载荷架6上。通过图1中的箭头X指示的方向是金属基体20(弯曲结构10)的纵向方向。【第一实施例】参考图2和图3，根据第一实施例描述弯曲结构10。图2根据当前实施例图示性地描绘了互联部分。弯曲结构10的金属基体20包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一弯曲结构(10)，其特征在于，包括一金属基体(20)和形成于金属基体(20)上的一互联部分(30)，所述弯曲结构(10)上安装有一记录装置(3)和所述记录装置(3)上的多个再生装置(4a，4b，4c)，所述金属基体(20)包括：在所述金属基体(20)的一纵向(X)上延伸的一第一区域(21)；以及沿所述第一区域(21)延伸的一第二区域(22)，其中，所述第二区域(22)内形成有一窗口部分(26)，所述互联部分(30)包括：一绝缘层(31)包括覆盖所述第一区域(21)的一第一通道(21)，以及覆盖所述窗口部分(26)和所述第二区域(22)的一第二通道(36)；一写入磁道对(40)，设置于所述第一通道(35)上，由一第一写入磁道(41)和一第二写入磁道(42)构成，两者形成了一对并传输一差动信号，所述写入磁道对(40)连接于记录装置(3)；读取磁道对(51，52，53)，设置于第二通道(36)上以在金属基体(20)的厚度方向(Y)上面对窗口部分(26)，每个读取磁道对(51，52，53)由一第一读取磁道(51a，52a，53a)和一第二读取磁道(51b，52b，53b)构成，两者形成了一对并传输一差动信号，所述读取磁道对(51，52，53)分别与所述再生装置(4a，4b，4c)连接；以及设置于两个邻近的读取磁道对(51，52)之间的一接地磁道(71)，包括一第一端部(71a)和一第二端部(71b)，且在第一端部和第二端部(71b)处分别设置有接地点。...

【技术特征摘要】
2015.05.11 JP 2015-0963891.一弯曲结构(10)，其特征在于，包括一金属基体(20)和形成于金属基体(20)上的一互联部分(30)，所述弯曲结构(10)上安装有一记录装置(3)和所述记录装置(3)上的多个再生装置(4a，4b，4c)，所述金属基体(20)包括：在所述金属基体(20)的一纵向(X)上延伸的一第一区域(21)；以及沿所述第一区域(21)延伸的一第二区域(22)，其中，所述第二区域(22)内形成有一窗口部分(26)，所述互联部分(30)包括：一绝缘层(31)包括覆盖所述第一区域(21)的一第一通道(21)，以及覆盖所述窗口部分(26)和所述第二区域(22)的一第二通道(36)；一写入磁道对(40)，设置于所述第一通道(35)上，由一第一写入磁道(41)和一第二写入磁道(42)构成，两者形成了一对并传输一差动信号，所述写入磁道对(40)连接于记录装置(3)；读取磁道对(51，52，53)，设置于第二通道(36)上以在金属基体(20)的厚度方向(Y)上面对窗口部分(26)，每个读取磁道对(51，52，53)由一第一读取磁道(51a，52a，53a)和一第二读取磁道(51b，52b，53b)构成，两者形成了一对并传输一差动信号，所述读取磁道对(51，52，53)分别与所述再生装置(4a，4b，4c)连接；以及设置于两个邻近的读取磁道对(51，52)之间的一接地磁道(71)，包括一第一端部(71a)和一第二端部(71b)，且在第一端部和第二端部(71b)处分别设置有接地点。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒井肇，佐佐木风太，
申请(专利权)人：日本发条株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP