本实用新型专利技术公开了一种中高压功率半导体变流设备的功率部件装置，包括U型绝缘托盘（1）、高压绝缘子（2）、底板（3）；所述U型绝缘托盘的U型底部安装于高压绝缘子上，若干个高压绝缘子安装于底板上，该U型绝缘托盘的U型开口朝外，在U型绝缘托盘的U型内面安装有功率部件单元（4）；在两个U型绝缘托盘内的功率部件单元之间采用铜排连接；该功率部件单元包括一对反并联的可控硅和相应的触发电路（6），称为第一功率部件单元；该功率部件单元包括二对反并联的可控硅和相应的触发电路，称为第二功率部件单元；该可控硅包括可控硅及散热器组件（5）。本实用新型专利技术的功率部件装置结构简单，加工方便，成本低。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种中高压功率半导体变流设备的功率部件，尤其涉及一种中高压功率半导体变流设备的功率部件装置。
技术介绍
中高压功率半导体（例如可控硅）变流设备，例如中高压可控硅交流调压设备、中高压可控硅软起动器或者中高压可控硅整流逆变设备等的主电路通常都是采用多个相同的功率半导体（例如可控硅）及其相应的控制电路（例如可控硅的门极触发电路）单元串联构成，从而满足在更高电压下可靠工作的要求。如图1所示三相高压软起动器的可控硅主电路图，每相由多个反并联的可控硅组串联构成，图1中每相有12个可控硅，每二个可控硅反向并联联结，然后6组反并联联结的可控硅组件串联联结。目前常规做法就是把二个反并联可控硅装在铝合金散热器内，附加保护可控硅的阻尼电路、触发电路设备等等构成一个可控硅组件。用绝缘材料做成一个三列6行共有18个笼格的绝缘架，可控硅组件就安装在笼格里，如图2所示，图2是把可控硅组件安装在绝缘板制成的含有多个笼格的框架中。这种结构每对功率半导体（可控硅）都安装在各自的笼格中并且需要用铜排相互联结，既要解决好绝缘强度又要注意结构强度问题，所以体积会比较大，成本也比较高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种中高压功率半导体变流设备的功率部件装置，该功率部件装置结构简单，加工方便，能够承受与中高压半导体变流设备的电压等级相适应的耐压。为了实现上述技术目的，本技术采用如下技术方案：一种中高压功率半导体变流设备的功率部件装置，包括U型绝缘托盘、高压绝缘子、底板；所述U型绝缘托盘的U型底部安装于高压绝缘子上，若干个高压绝缘子安装于底板上，该U型绝缘托盘的U型开口朝外，在U型绝缘托盘的U型内面安装有功率部件单元；在两个U型绝缘托盘内的功率部件单元之间采用铜排连接；所述功率部件单元包括一对反并联的可控硅和相应的触发电路，称为第一功率部件单元；所述功率部件单元包括二对反并联的可控硅和相应的触发电路，称为第二功率部件单元；该可控硅包括可控硅及散热器组件。当每相为偶数个反并联的可控硅对串联时，采用若干个所述第二功率部件单元串联连接；当每相为奇数个反并联的可控硅对串联时，采用若干个所述第二功率部件单元与一个所述第一功率部件单元串联连接。所述U形绝缘托盘1采用的材质为不饱和树脂、玻璃纤维加强不饱和树脂、玻璃纤维加强聚碳酸树脂、聚碳酸树脂。本技术中高压功率半导体变流设备的功率部件装置采用U型绝缘托盘安装有功率部件单元，该功率部件单元包括一对反并联的可控硅和相应的触发电路，或者功率部件单元包括二对反并联的可控硅和相应的触发电路，根据不同高电压水平下的中高压功率半导体（例如可控硅）变流设备，每相所需偶数个或奇数个反并联的可控硅对串联时，选择不同的功率部件单元和个数进行连接，从而能够使本技术的功率部件装置结构简化。本技术中高压功率半导体变流设备的功率部件装置结构简单，加工方便，从而较现有的功率部件装置成本降低。本技术的功率部件装置适用于各个不同高电压水平下的功率半导体器件（例如可控硅）变流设备的功率部件，能够承受与中高压半导体变流设备的电压等级相适应的耐压。附图说明图1为三相高压软起动器的可控硅主电路示意图；图2为现有三相高压软起动器的可控硅主电路装置示意图；图3为本技术中高压功率半导体变流设备的功率部件装置示意图；图4为本技术的功率部件装置俯视示意图。图中：1 U型绝缘托盘，2高压绝缘子，3底板，4功率部件单元，5可控硅及散热器组件，6触发电路。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明。参见图3、图4，一种中高压功率半导体变流设备的功率部件装置，包括U型绝缘托盘1、高压绝缘子2、底板3；所述U型绝缘托盘1的U型底部安装于高压绝缘子2上，若干个高压绝缘子2安装于底板上，该U型绝缘托盘1的U型开口朝外，在U型绝缘托盘1的U型内面安装有功率部件单元4；在两个U型绝缘托盘1内的功率部件单元4之间采用铜排连接。所述功率部件单元4包括一对反并联的可控硅和相应的触发电路6，称为第一功率部件单元；所述功率部件单元4包括二对反并联的可控硅和相应的触发电路6，称为第二功率部件单元。该可控硅包括可控硅及散热器组件5，即：把二个作为一对反并联可控硅装在铝合金散热器内，或者把四个作为二对的反并联可控硅装在铝合金散热器内。附加保护可控硅的阻尼电路、触发电路设备等。如果中高压功率半导体（例如可控硅）变流设备的每相需要偶数个反并联的可控硅对串联时, 采用若干个所述第二功率部件单元串联连接，即用1、2、3个第二功率部件单元串联。如果中高压功率半导体（例如可控硅）变流设备的每相需要奇数个反并联的可控硅对串联时, 采用若干个所述第二功率部件单元与一个第一功率部件单元串联连接，如每相需要5个反并联的可控硅对串联时,采用2个第二功率部件单元和1个第一功率部件单元串联。功率部件单元4安装在U型绝缘托盘1的U型内面，U形绝缘托盘1采用的材质为不饱和树脂、玻璃纤维加强不饱和树脂、玻璃纤维加强聚碳酸树脂、聚碳酸树脂，能够承受与中高压半导体变流设备的电压等级相适应的耐压。底板3为镀锌钢板。图3和图4所示的中压功率半导体（例如可控硅）变流设备每相有二个第二功率部件单元串联，即4对反并联可控硅串联构成。U型绝缘托盘1通过高压绝缘子2安装在底板3上，这样整套功率部件就可以安装在柜子内的安装桁架上，也可以直接把U型绝缘托盘1安装在柜子内的安装板上，能够承受与中高压半导体变流设备的电压等级相适应的耐压。以上仅为本技术的较佳实施例而已，并非用于限定本技术的保护范围，因此，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种中高压功率半导体变流设备的功率部件装置，其特征是：包括U型绝缘托盘（1）、高压绝缘子（2）、底板（3）；所述U型绝缘托盘（1）的U型底部安装于高压绝缘子（2）上，若干个高压绝缘子（2）安装于底板（3）上，该U型绝缘托盘（1）的U型开口朝外，在U型绝缘托盘（1）的U型内面安装有功率部件单元（4）；在两个U型绝缘托盘（1）内的功率部件单元（4）之间采用铜排连接；所述功率部件单元（4）包括一对反并联的可控硅和相应的触发电路（6），称为第一功率部件单元；所述功率部件单元（4）包括二对反并联的可控硅和相应的触发电路（6），称为第二功率部件单元；该可控硅包括可控硅及散热器组件（5）。
【技术特征摘要】
1.一种中高压功率半导体变流设备的功率部件装置，其特征是：包括U型绝缘托盘（1）、高压绝缘子（2）、底板（3）；所述U型绝缘托盘（1）的U型底部安装于高压绝缘子（2）上，若干个高压绝缘子（2）安装于底板（3）上，该U型绝缘托盘（1）的U型开口朝外，在U型绝缘托盘（1）的U型内面安装有功率部件单元（4）；在两个U型绝缘托盘（1）内的功率部件单元（4）之间采用铜排连接；所述功率部件单元（4）包括一对反并联的可控硅和相应的触发电路（6），称为第一功率部件单元；所述功率部件单元（4）包括二对反并联的可控硅和相应的...
【专利技术属性】
技术研发人员：厉无咎，
申请(专利权)人：上海杰诣通用电器有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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