一种感性负载电压脉宽调制磁性释放电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种感性负载电压脉宽调制磁性释放电路。包括输入保护整流电路和去磁主电路。去磁主电路，脉宽调制控制NMOS管M1、负载L1、续流二极管D6、去磁稳压二极管D8或电阻R3、自举升压电容C1、自举升压辅助二极管D7、自举升压电容充放电回路控制二极管D10(可去除)、分压电阻R1、分压电阻R2、脉宽调制阶段导通NMOS管M2 (或三极管)、防NMOS管击穿稳压二极管D9(可去除)组成。本实用新型专利技术电路响应速度快，能满足现有的用电压脉宽调制来控制感性负载的响应速度；电路简单，电路成本低，适用范围广，可适用于各种用电压脉宽调制来控制感性负载的电路。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电压脉宽调制磁性释放电路，尤其是涉及一种感性负载电压脉宽调制磁性释放电路。
技术介绍
随着电子技术的迅猛发展，电压脉宽调制技术由于其只需改变占空比即可完成对被控对象的线性控制，越来越多被应用到各个领域。其中应用较广的就是通过电压脉宽调制技术控制MOS管开关，同时利用续流二极管，对感性负载进行恒流控制，但是每次切断感性负载时，由于续流二极管的存在和感性负载上电流不能突变的原因，无法迅速释放感性负载上所蓄积的能量，从而导致切断变慢，传统的解决办法是将一个稳压二极管和续流二极管串联，作为一个续流整体来实现续流，或者将一个电阻和续流二极管串联，作为一个续流整体来实现续流，但是由于电压脉宽调制需要高速开关MOS管来控制电流，因此会导致上述续流整体频繁通断，从而导致稳压二极管频繁击穿和流过电阻上的电流较大，最终导致稳压二极管或者电阻上的功耗很大，因此传统方法不能良好解决上述问题，这就需要一个电路在电压脉宽调制高速开关MOS管控制感性负载时，稳压二极管(或电阻)不工作，而当切断感性负载时，稳压二极管(或电阻)起作用，这样即可降低二极管(或电阻)的功耗。
技术实现思路
为实现在电压脉宽调制高速开关MOS管控制感性负载时，稳压二极管(或电阻)不工作，而当切断感性负载时，稳压二极管(或电阻)工作，同时由于切断感性负载后，其上面的电流的下降速度跟反向电压成正比，若使用电阻，则流经电阻上的电压会越来越小，从而电流下降速度会越来越慢，但也能释放磁性；若使用稳压二极管，则稳压二极管上电压基本固定，因此电流下降速度基本恒定。因此，本技术的目的在于提供一种感性负载电压脉宽调制磁性释放电路。电压脉宽调制高速开关MOS管控制感性负载时，稳压二极管或电阻不工作，而当切断感性负载时，稳压二极管或电阻工作。本技术采用的技术方案是：方案一：一种感性负载电压脉宽调制磁性释放电路：本技术包括输入保护整流电路和去磁主电路；输入保护整流电路，包括整流四个二极管D2～ D5和双向TVS管或双向稳压二极管D1；去磁主电路，包括NMOS管M1～M2，负载L1，稳压二极管D8～D9，二个二极管D6～D7，电容C1和三个电阻R1～R3；负载L1的一端分别接稳压二极管D8的正极或电阻R3的一端、NMOS管M2的源极、电阻R1的一端、稳压二极管D9的正极和二极管D7的正极后接VCC，负载L1的另一端分别接二极管D6的正极，电容C1的一端和NMOS管M1的漏极，NMOS管M1的源极接GND，NMOS管M1的删极为输入保护整流电路输入端，电容C1的另一端分别接二极管D7的负极和电阻R2的一端，电阻R1的另一端和电阻R2的另一端连接点分别接NMOS管M2的删极和稳压二极管D9的负极，二极管D6的负极和稳压二极管D8负极连接点，或二极管D6的负极与电阻R3的另一端的连接点，接NMOS管M2的漏极。所述去磁主电路，还包括稳压二极管D10，电容C1的另一端经稳压二极管D10和电阻R2的一端连接。方案二：一种感性负载电压脉宽调制磁性释放电路：本技术包括输入保护整流电路和去磁主电路；输入保护整流电路，包括整流四个二极管D2～ D5和双向TVS管或双向稳压二极管D1；去磁主电路，包括NMOS管M1～M2，负载L1，稳压二极管D8，二个二极管D6～D7，电容C1和三个电阻R1～R3；负载L1的一端分别接稳压二极管D8的正极或电阻R3的一端、NMOS管M2的源极、电阻R1的一端和二极管D7的正极后接VCC，负载L1的另一端分别接二极管D6的正极，电容C1的一端和NMOS管M1的漏极，NMOS管M1的源极接GND，NMOS管M1的删极为输入保护整流电路输入端，电容C1的另一端分别接二极管D7的负极和电阻R2的一端，电阻R1的另一端和电阻R2的另一端连接点接NMOS管M2的删极，二极管D6的负极和稳压二极管D8负极连接点，或二极管D6的负极与电阻R3的另一端的连接点，接NMOS管M2的漏极。所述去磁主电路，还包括稳压二极管D10，电容C1的另一端经稳压二极管D10和电阻R2的一端连接。方案三：一种感性负载电压脉宽调制磁性释放电路：本技术包括输入保护整流电路和去磁主电路；输入保护整流电路，包括整流四个二极管D2～ D5和双向TVS管或双向稳压二极管D1；去磁主电路，包括NMOS管M1，三极管Q1，负载L1，稳压二极管D8，二个二极管D6～D7，电容C1和二个电阻R1～R3；负载L1的一端分别接稳压二极管D8的正极或电阻R3的一端、三极管Q1的发射极、电阻R1的一端和二极管D7的正极后接VCC，负载L1的另一端分别接二极管D6的正极，电容C1的一端和NMOS管M1的漏极，NMOS管M1的源极接GND，NMOS管M1的删极为输入保护整流电路输入端，电容C1的另一端分别接二极管D7的负极和电阻R2的一端，电阻R1的另一端和电阻R2的另一端连接点接三极管Q1的基极，二极管D6的负极和稳压二极管D8负极连接点，或二极管D6的负极与电阻R3的另一端的连接点，接NMOS管M2的漏极。所述去磁主电路，还包括二极管D10，电容C1的另一端经稳压二极管D10和电阻R2的一端连接。以上三种方案中，所述输入保护整流电路的输入信号为直流信号或交流信号，直流信号的电压值为2～1000V；交流信号的电压有效为2～1000V，频率为50Hz或者60Hz；所述磁性释放主电路的控制输入信号为一个电压幅值为15V、频率为100-40000Hz的方波信号。本技术具有的有益效果是：本技术电路响应速度快，能满足现有的用电压脉宽调制来控制感性负载的响应速度；电路简单，电路成本低，仅为几块钱；适用范围广，可适用于各种用电压脉宽调制来控制感性负载的电路；功耗低，相比于用续流二极管与稳压二极管直接并联的方式，功耗节省30%-99%；磁性释放快，释放时间是传统直接用续流二极管续流的方式感性负载释放时间的5%-20%。附图说明图1是感性负载电压脉宽调制磁性释放电路。图2是感性负载电压脉宽调制磁性释放电路(去除磁性释放主电路自举升压电容充放电回路控制二极管)。图3是感性负载电压脉宽调制磁性释放电路(去除磁性释放主电路防NMOS管击穿稳压二极管)。图4是感性负载电压脉宽调制磁性释放电路(去除磁性释放主电路防NMOS管击穿稳压二极管和自举升压电容充放电回路控制二极管)。图5是感性负载电压脉宽调制磁性释放电路(用三极管替代脉宽调制阶段导通NMOS管，去除防NMOS管击穿稳压二极管)。图6是感性负载电压脉宽调制磁性释放电路(用三极管替代脉宽调制阶段导通NMOS管，去除防NMOS管击穿稳压二极管，去除自举升压电容充放电回路控制二极管)。图7是感性负载电压脉宽调制磁性释放电路(用磁性释放电阻替换磁性释放二极管)。图8是感性负载电压脉宽调制磁性释放电路(用磁性释放电阻替换磁性释放二极管，去除磁性释放主电路自举升压电容充放电回路控制二极管)。图9是感性负载电压脉宽调制磁性释放电路(用磁性释放电阻替换磁性释放二极管，去除磁性释放主电路防NMOS管击穿稳压二极管)。图10是感性负载电压脉宽调制磁性释放电路(用磁性释放电阻替换磁性释放二极管，去除磁性释放主电路防NMOS管击穿稳压二极管和自举升压电容充放电回路控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感性负载电压脉宽调制磁性释放电路，其特征在于：包括输入保护整流电路和去磁主电路；输入保护整流电路，包括整流四个二极管D2～ D5和双向TVS管或双向稳压二极管D1；去磁主电路，包括NMOS管M1～M2，负载L1，稳压二极管D8～D9，二个二极管D6～D7，电容C1和三个电阻R1～R3；负载L1的一端分别接稳压二极管D8的正极或电阻R3的一端、NMOS管M2的源极、电阻R1的一端、稳压二极管D9的正极和二极管D7的正极后接VCC，负载L1的另一端分别接二极管D6的正极，电容C1的一端和NMOS管M1的漏极，NMOS管M1的源极接GND，NMOS管M1的删极为输入保护整流电路输入端，电容C1的另一端分别接二极管D7的负极和电阻R2的一端，电阻R1的另一端和电阻R2的另一端连接点分别接NMOS管M2的删极和稳压二极管D9的负极，二极管D6的负极和稳压二极管D8负极连接点，或二极管D6的负极与电阻R3的另一端的连接点，接NMOS管M2的漏极。

【技术特征摘要】
1. 一种感性负载电压脉宽调制磁性释放电路，其特征在于：包括输入保护整流电路和去磁主电路；输入保护整流电路，包括整流四个二极管D2～ D5和双向TVS管或双向稳压二极管D1；去磁主电路，包括NMOS管M1～M2，负载L1，稳压二极管D8～D9，二个二极管D6～D7，电容C1和三个电阻R1～R3；负载L1的一端分别接稳压二极管D8的正极或电阻R3的一端、NMOS管M2的源极、电阻R1的一端、稳压二极管D9的正极和二极管D7的正极后接VCC，负载L1的另一端分别接二极管D6的正极，电容C1的一端和NMOS管M1的漏极，NMOS管M1的源极接GND，NMOS管M1的删极为输入保护整流电路输入端，电容C1的另一端分别接二极管D7的负极和电阻R2的一端，电阻R1的另一端和电阻R2的另一端连接点分别接NMOS管M2的删极和稳压二极管D9的负极，二极管D6的负极和稳压二极管D8负极连接点，或二极管D6的负极与电阻R3的另一端的连接点，接NMOS管M2的漏极。2.根据权利要求1所述的一种感性负载电压脉宽调制磁性释放电路，其特征在于：所述去磁主电路，还包括稳压二极管D10，电容C1的另一端经稳压二极管D10和电阻R2的一端连接。3.根据权利要求1或2所述的一种感性负载电压脉宽调制磁性释放电路，其特征在于：所述输入保护整流电路的输入信号为直流信号或交流信号，直流信号的电压值为2～1000V；交流信号的电压有效为2～1000V，频率为50Hz或者60Hz；所述磁性释放主电路的控制输入信号为一个电压幅值为15V、频率为100-40000Hz的方波信号。4.一种感性负载电压脉宽调制磁性释放电路，其特征在于：包括输入保护整流电路和去磁主电路；输入保护整流电路，包括整流四个二极管D2～ D5和双向TVS管或双向稳压二极管D1；去磁主电路，包括NMOS管M1～M2，负载L1，稳压二极管D8，二个二极管D6～D7，电容C1和三个电阻R1～R3；负载L1的一端分别接稳压二极管D8的正极或电阻R3的一端、NMOS管M2的源极、电阻R1的一端和二极管D7的正极后接VCC，负载L1的另一端分别接二极管D6的正极，电容C1的一端和NMOS管M1的漏极，NMOS管M1的源极接GND，NMOS管M1的删极为输入保护整流电路输入端，电容C1的另一端分别接二极管D7的负极和电阻R2的...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜文耀，陶勇，
申请(专利权)人：浙江桃园科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33