晶片支承构造体制造技术

技术编号:14204391 阅读:144 留言:0更新日期:2016-12-18 10:57
本发明专利技术提供一种晶片支承构造体。该晶片支承构造体(10)在陶瓷制的基板(20)的上表面配置有具备多个对晶片(W)进行载置的晶片载置部(14)的陶瓷制的托盘板(12)。基板(20)内置有基体侧电极(22),托盘板(12)内置有托盘侧电极(18)。在该晶片支承构造体(10)中,在晶片载置部(14)载置有晶片(W)的状态下对施加于基体侧电极(22)以及托盘侧电极(18)的电压进行调整。由此,产生将基板(20)和托盘板(12)相互拉近的静电的力,并且产生将托盘板(12)和晶片(W)相互拉近的静电的力。

Wafer support structure

The invention provides a wafer supporting structure. The wafer support structure (10) is arranged on the upper surface of the ceramic substrate (20) with a ceramic tray plate () having a plurality of wafer mounted parts (W) mounted on the wafer (a). A substrate side electrode (22) is arranged in the base plate (20), and the tray plate (12) is internally provided with a tray side electrode (18). In the wafer support structure (10), the voltage applied to the substrate side electrode (22) and the tray side electrode (18) is adjusted in a state where the wafer carrier (W) is provided with a wafer carrier (a). As a result, an electrostatic force that pulls the substrate (20) and the tray plate (12) close to each other is generated, and an electrostatic force is generated to pull the tray plate () and the wafer (W) close to each other.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及晶片支承构造体
技术介绍
以往,已知有具备多个对晶片进行载置的晶片载置部的晶片支承构造体(例如专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2010-59494号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而,作为这样的晶片支承构造体,已知有图8所示的构造体。该晶片支承构造体100将具备多个对晶片W进行载置的晶片载置部104的输送用Al2O3板102配置于AlN静电卡盘110的上表面。在输送用Al2O3板102的背面形成有导电材料(例如Ni)的镀层106。另外,在AlN静电卡盘110中内置有正负一对电极112、114。若在各晶片载置部104载置晶片W的状态下对电极112、114施加直流电源DC1、DC2的直流电压,则在输送用Al2O3板102的镀层106和AlN静电卡盘110之间产生Johnsen-Rahbek力(JR力),输送用Al2O3板102吸附于AlN静电卡盘110。此外,晶片载置部104的表面(与晶片W接触的面)为研磨面。另外,在AlN静电卡盘110中与镀层106对置的面形成有压纹(省略图示),压纹的表面(与镀层106接触的面)为镜面。然而,在图8的晶片支承构造体中,晶片W仅载置于输送用Al2O3板102的晶片载置部104,因此晶片W与晶片载置部104的表面的接触热电阻较大。因此,存在如下情况,在从上部存在等离子体热量输入的情况下,晶片W的温度变得过高、晶片W的温度分布(最高温度与最低温度之差)变得过大。本专利技术鉴于上述的课题而完成,其主要目的在于防止晶片变得过于高温、晶片的温度分布变得过大。解决课题所用的方法本专利技术的晶片支承构造体,在陶瓷制的基板的上表面配置有陶瓷制的托盘板,该托盘板具备多个对晶片进行载置的晶片载置部,所述晶片支承构造体的特征在于,所述基板内置有基体侧电极,所述托盘板内置有托盘侧电极,在所述晶片载置部载置有所述晶片的状态下对施加于所述基体侧电极以及所述托盘侧电极的电压进行调整,由此产生将所述基板和所述托盘板相互拉近的静电的力,并且产生将所述托盘板和所述晶片相互拉近的静电的力。在该晶片支承构造体中,在晶片载置部载置有上述晶片的状态下对施加于上述基体侧电极以及上述托盘侧电极的电压进行调整,从而在基板和托盘板之间以及托盘板和晶片之间产生静电的力(吸附力)。由此,晶片和晶片载置部之间的接触热电阻与在晶片和晶片载置部之间不产生吸附力的情况相比变小。因此,在从上方对晶片进行加热的情况下,能够防止晶片的温度变得过高、晶片的温度分布变得过大。在本专利技术的晶片支承构造体中,所述托盘板也可以在与所述基板对置的面具有金属层,在所述晶片载置部载置有所述晶片的状态下对所述基体侧电极以及所述托盘侧电极双方施加电压,由此产生将所述基板和所述托盘板的所述金属层相互拉近的静电的力,并且产生将所述托盘板和所述晶片相互拉近的静电的力。或者,所述托盘板也可以在与所述基板对置的面不具有金属层,在所述晶片载置部载置有所述晶片的状态下对所述托盘侧电极施加电压,由此产生将所述基板和所述托盘板相互拉近的静电的力,并且产生将所述托盘板和所述晶片相互拉近的静电的力。在本专利技术的晶片支承构造体中,上述晶片载置部中与上述晶片接触的面也可以形成平坦的镜面。这样一来,同与晶片接触的面为研磨面的情况相比,晶片与晶片载置部的接触面积增大,因此本专利技术的效果变得显著。在本专利技术的晶片支承构造体中,上述托盘板可以为Al2O3制,上述基板也可以为AlN制。在本专利技术的晶片支承构造体中,上述托盘侧电极为具有负极和正极的双极构造,各晶片载置部的上述负极与上述正极的面积比也可以为0.7~1:0.7~1(优选为0.9~1:0.9~1)。这样一来,在晶片难以产生吸附力较强的地方和较弱的地方,从而能够进一步缩小晶片的温度分布。附图说明图1是第一实施方式的晶片支承构造体10的纵向剖视图。图2是第一实施方式的晶片支承构造体10的俯视图。图3是第二实施方式的晶片支承构造体30的纵向剖视图。图4是表示从上方观察构成第二实施方式的托盘侧电极的负极18a、正极18b时的一个例子的透视图。图5是表示从上方观察构成第二实施方式的托盘侧电极的负极18a、正极18b时的一个例子的透视图。图6是表示从上方观察构成第二实施方式的托盘侧电极的负极18a、正极18b时的一个例子的透视图。图7是第三实施方式的晶片支承构造体40的纵向剖视图。图8是以往的晶片支承构造体100的纵向剖视图。具体实施方式[第一实施方式]以下,使用图1以及图2对本专利技术的晶片支承构造体的一个例子进行说明。图1是第一实施方式的晶片支承构造体10的纵向剖视图,图2是晶片支承构造体10的俯视图。晶片支承构造体10用于对利用等离子体进行CVD、蚀刻等的晶片W进行支承,安装于半导体工艺用的腔室(省略图示)的内部。晶片支承构造体10在陶瓷制(此处为AlN制)的基板20的上表面配置有具备多个对晶片W进行载置的晶片载置部14的陶瓷制(此处为Al2O3制)的托盘板12。托盘板12是用于输送晶片W的圆盘状的板,在上表面具有多个晶片载置部14。晶片载置部14是从上方观察到的形状呈圆形的凹陷,并形成为比圆盘状的晶片W稍大的尺寸。此处,就晶片载置部14而言,在从上方观察托盘板12时,在中央形成有一个,在托盘板12的同心圆上空开60°地形成六个,合计形成有七个(参照图2)。晶片载置部14的表面即与晶片W接触的面被加工成平坦的镜面。在托盘板12的背面即与基板20对置的面形成有导电材料(例如Ni)的镀层16。托盘板12内置有圆盘状的托盘侧电极18。托盘侧电极18埋设于距晶片载置部14的表面0.35±0.05mm的位置。该托盘侧电极18的供电销17从基板20的下表面贯通基板20而到达托盘侧电极18。供电销17的前端可以为平坦面,也可以为曲面(球面)。基板20为圆盘状的板,并内置有基体侧电极22。基体侧电极22由梳齿负极22a和梳齿正极22b构成,并将相互的梳齿配置为保持非接触状态地相互进入。梳齿负极22a与梳齿正极22b的面积比为0.7~1:0.7~1。该基体侧电极22埋设于距上表面1±0.5mm的位置。在基板20的上表面换句话说与托盘板12对置的面形成有多个压纹(省略图示)。这些压纹的表面(与镀层16接触的面)被加工为镜面。基板20具备从下表面到达梳齿负极22a的供电销24a和从下表面到达梳齿正极22b的供电销24b。另外,在基板20设置为沿上下方向贯通绝缘套筒26。托盘侧电极18的供电销17插通该绝缘套筒26。供电销17被调节为通过设置于绝缘套筒26内的弹性体(省略图示)使向托盘侧电极18的接触负载成为200g。托盘侧电极18以及基体侧电极22可以通过印刷而形成,也可以通过埋设网目而形成。接下来,对本实施方式的晶片支承构造体10的使用例进行说明。首先,在各晶片载置部14载置晶片W。而且,对供电销24a、24b分别施加直流电源DC1、DC2的电压,对供电销17施加直流电源DC3的电压。另外,对未图示的平行平板施加高频电压从而在晶片W的上方产生等离子体。等离子体起到晶片W的接地电极的作用。由此,在基体侧电极22和托盘板12的镀层16之间产生JR力,从而在托盘侧电极18和各晶片W之间产生库伦力。在该状态下,利用等离子体对晶片W实施C本文档来自技高网...
晶片支承构造体

【技术保护点】
一种晶片支承构造体,在陶瓷制的基板的上表面配置有陶瓷制的托盘板,该托盘板具备多个对晶片进行载置的晶片载置部,所述晶片支承构造体的特征在于,所述基板内置有基体侧电极,所述托盘板内置有托盘侧电极,在所述晶片载置部载置有所述晶片的状态下对施加于所述基体侧电极以及所述托盘侧电极的电压进行调整,由此产生将所述基板和所述托盘板相互拉近的静电的力,并且产生将所述托盘板和所述晶片相互拉近的静电的力。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.20 US 62/105,3711.一种晶片支承构造体,在陶瓷制的基板的上表面配置有陶瓷制的托盘板,该托盘板具备多个对晶片进行载置的晶片载置部,所述晶片支承构造体的特征在于,所述基板内置有基体侧电极,所述托盘板内置有托盘侧电极,在所述晶片载置部载置有所述晶片的状态下对施加于所述基体侧电极以及所述托盘侧电极的电压进行调整,由此产生将所述基板和所述托盘板相互拉近的静电的力,并且产生将所述托盘板和所述晶片相互拉近的静电的力。2.根据权利要求1所述的晶片支承构造体,其特征在于,所述托盘板在与所述基板对置的面具有金属层,在所述晶片载置部载置有所述晶片的状态下对所述基体侧电极以及所述托盘侧电极双方施加...

【专利技术属性】
技术研发人员:竹林央史
申请(专利权)人:日本碍子株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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