The invention relates to a novel process for copper polishing of sapphire wafer, which belongs to the field of LED substrate processing. By selecting the hardness from high to low in three different kinds of polishing, and polishing the fixed injection order, injection time control of slurry, gradually removed before a process from scratch, damage layer formed on the surface of the end product is small, to achieve the purpose of reducing the sapphire surface scratches, the process has the advantages of simple operation method the effect is obvious.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种蓝宝石晶片铜抛加工的新技术,属于LED衬底加工领域。
技术介绍
蓝宝石是当今制作蓝光LED的主要衬底材料。它是由高纯氧化铝经过拉晶、切片、研磨、倒角、退火、铜抛、抛光和清洗工艺制作而成。其中铜抛是为了去除前期制程对晶片产生的缺陷,移除量一般为20μm。目前,人们提出了很多技术方案来改进蓝宝石的抛光。蓝宝石的抛光方法一般有机械、化学和机械化学的抛光方法。机械抛光是用硬质磨料对晶片抛光,但是蓝宝石的莫氏硬度为9仅次于金刚石,故机械研磨很难将其表面抛光,而且这种靠机械力抛光的加工方法使衬底表面质量不高,而且存在较深的亚表面损伤,导致产品性能和加工成品率降低;化学抛光其抛光速度低而且抛光的表面形貌的精度也会降低;化学机械抛光综合了机械和化学抛光的优势,在抛光速率、抛光精度、表面损伤方面有着明显的提高,以上所述蓝宝石的抛光方法都有其各自的特点,但抛光后表面会出现腐蚀坑和亚表面有微裂缝等问题。随着LED产品对发光性能的要求越来越高,其对衬底材料—蓝宝石整个制程要求也越来越高。每个制程都会影响后面的制程,尤其是铜抛不好则会影响抛光效果。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在蓝宝石抛光过程中表面划痕明显的技术问题,本专利技术提出了一种改进蓝宝石表面划痕的工艺方法,公开了一种用于蓝宝石晶片铜抛加工的新工艺,为后续抛光工艺奠定基础。本专利技术采用的技术方案为:现有技术通常采用金刚石抛光液对蓝宝石晶片进行抛光,由于金刚石抛光液的硬度很高,容易对蓝宝石晶片产生划痕等缺陷,以至后续工序无法去除;本专利技术选用硬度由高到低三种不同的抛光液,固定抛光液的喷射顺序,控制抛 ...
【技术保护点】
一种用于蓝宝石晶片铜抛加工的新工艺,其特征在于:所述工艺为:选用硬度由高到低三种不同的抛光液,固定三种抛光液的喷射顺序,喷射过程中控制不同抛光液的喷射时间对蓝宝石晶片进行铜抛加工。
【技术特征摘要】
1.一种用于蓝宝石晶片铜抛加工的新工艺,其特征在于:所述工艺为:选用硬度由高到低三种不同的抛光液,固定三种抛光液的喷射顺序,喷射过程中控制不同抛光液的喷射时间对蓝宝石晶片进行铜抛加工。2.如权利要求1所述的用于蓝宝石晶片铜抛加工的新工艺,其特征在于:所述硬度由高到低的三种抛光液依次为:金刚石抛光液、碳化硼抛光液、二氧化硅抛光液。3.如权利要求1所述的用于蓝宝石晶片铜抛加工的新工艺,其特征在于:所述抛光液的喷射顺序为:先喷射金刚石抛光液,随后喷射碳化硼抛光液,最后喷...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵能伟,
申请(专利权)人:常州亿晶光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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