SOI radio frequency switch structure and integrated circuit. Including the SOI RF switch structure: according to the previous MOS transistor source drain electrode connected to the adjacent after a MOS transistor way are arranged side by side of a plurality of MOS transistors, each MOS source and drain of the transistor through a first resistor of each connection, each MOS transistor gate by gate voltage the second resistors respectively; the first MOS transistor of the plurality of MOS transistors in a drain connected to the input signal, finally a MOS transistor of the plurality of MOS transistors in the source electrode is connected with the output signal; the body region of each MOS transistor two MOS transistors to the front of a plurality of MOS transistors in the the third resistors respectively through their grounding, and body region of each MOS transistor except two MOS transistors in the front of a plurality of MOS transistors in the respective reverse diode T1 The gate of the MOS transistor is connected to the output end of the reverse diode T1.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体电路设计及半导体电路制造领域;更具体地说,本专利技术涉及一种SOI射频开关结构,而且本专利技术还涉及一种包含这种SOI射频开关结构的集成电路。
技术介绍
硅材料是半导体行业应用最广泛的主要原材料,大多数芯片都是用硅片制造的。绝缘体上硅(SOI,Silicon-on-insulator)是一种特殊的硅片,其结构的主要特点是在有源层和衬底层之间插入绝缘层(掩埋氧化物层)来隔断有源层和衬底之间的电气连接,这一结构特点为绝缘体上硅类的器件带来了寄生效应小、速度快、功耗低、集成度高、抗辐射能力强等诸多优点。一般,绝缘体上中硅由作为有源层的硅顶层、作为绝缘层的掩埋氧化物层、作为支撑层的硅基底层组成。其中,电路形成在硅顶层(有源层)中。硅基底层一般较厚,其主要作用是为上面的两层(即,硅顶层和掩埋氧化物层)提供机械支撑。图1示意性地示出了根据现有技术的SOI射频开关结构的结构示意图。具体如图1所示,根据现有技术的SOI射频开关结构一般包括:按照前一个MOS晶体管的源极连接至相邻的后一个MOS晶体管的漏极的方式依次并排布置的多个MOS晶体管,其中所述多个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的源极和漏极通过各自的第一电阻器R1连接,所述多个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的栅极通过各自的第二电阻器R2连接栅极电压Vg,所述多个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的体区通过反向二极管T1连接至栅极(也就是说,MOS晶体管的体区连接至反向二极管T1的输入端,同一MOS晶体管的栅极连接至反向二极管T1的输出端),而且所述多个MOS晶体管中的第一个MOS晶体管的漏极连接 ...
【技术保护点】
一种SOI射频开关结构,其特征在于包括:按照前一个MOS晶体管的源极连接至相邻的后一个MOS晶体管的漏极的方式依次并排布置的多个MOS晶体管,其中所述多个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的源极和漏极通过各自的第一电阻器连接,所述多个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的栅极通过各自的第二电阻器连接栅极电压;而且,所述多个MOS晶体管中的第一个MOS晶体管的漏极连接至输入信号,所述多个MOS晶体管中的最后一个MOS晶体管的源极连接输出信号;其中,多个MOS晶体管中的最前面的两个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的体区分别通过各自的第三电阻器接地,而且多个MOS晶体管中除了最前面的两个MOS晶体管之外的每个MOS晶体管的体区通过各自的反向二极管T1连接至栅极,且该MOS晶体管的栅极连接至该反向二极管T1的输出端。
【技术特征摘要】
1.一种SOI射频开关结构,其特征在于包括:按照前一个MOS晶体管的源极连接至相邻的后一个MOS晶体管的漏极的方式依次并排布置的多个MOS晶体管,其中所述多个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的源极和漏极通过各自的第一电阻器连接,所述多个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的栅极通过各自的第二电阻器连接栅极电压;而且,所述多个MOS晶体管中的第一个MOS晶体管的漏极连接至输入信号,所述多个MOS晶体管中的最后一个MOS晶体管的源极连接输出信号;其中,多个MOS晶体管中的最前面的两个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的体区分别通过各自的第三电阻器接地,而且多个MOS晶体管中除了最前面的两个MOS晶体管之外的每个MOS晶体管的体区通过各自的反向二极管T1连接至栅极,且该MOS晶体管的栅极连接至该反向二极管T1的输出端。2.根据权利要求1所述的SOI射频开关结构,其特征在于,所有第一电阻器的电阻值相等,而且其中第一电阻器的电阻值介于10KΩ至100KΩ之间。3.根据权利要求2所述的SOI射频开关结构,其特征在于,所有第二电阻器的电阻值相等,而且其中第二电阻器的电阻值介于10KΩ至100KΩ之间。4.根据权利要求1或2所述的SOI射频开关结构,其特征在于,所有第三电阻器的电阻值相等,而且其中第三电阻器的电阻值介于10KΩ至100KΩ之间。5.一种SOI射频开关结构,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘张李,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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