一种多电路处理型LED调光驱动电源制造技术

本发明专利技术公开了一种多电路处理型LED调光驱动电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，变压器T，场效应管MOS1，三极管VT1，二极管D1，极性电容C3，电流调节电路，脉冲触发电路，半桥驱动电路，串接在二极管整流器U1的正极输出端与三极管VT1的发射极之间的波纹尖峰抑制电路以及串接在三极管VT1的集电极与变压器T原边电感线圈L3之间的微处理电路组成。本发明专利技术能对电压和电流的高瞬态进行调节，防止电流的频点出现漂移，使电压和电流保持平稳，从而确保了本发明专利技术能输出稳定的电压，能防止LED灯光出现闪烁的现象，有效的延长了LED的使用寿命。

Multi circuit processing type LED dimming driving power supply

The invention discloses a multi circuit type LED dimming driver, which is characterized by the main control chip U2, U1 diode rectifier, transformer T, FET MOS1, triode VT1, diode D1, C3 capacitor polarity, current regulator circuit, pulse trigger circuit, half bridge driving circuit is connected in series. The peak emission in between corrugated anode output diode rectifier side U1 and transistor VT1 pole suppression circuit and micro processing circuit connected in series between the collector of the triode VT1 and T transformer primary inductance coil L3 composition. The invention can high transient voltage and current to adjust the current to prevent frequency drift, the voltage and current remained stable, so as to ensure the voltage of the invention can output stable, can prevent the LED lights flicker phenomenon, prolong the service life of the LED.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，具体的说，是一种多电路处理型LED调光驱动电源。
技术介绍
在全球能源短缺、环保要求不断提高的背景下，世界各国均大力发展绿色节能照明。LED照明作为一种革命性的节能照明技术，正在飞速发展，其中可调光LED的亮度能根据环境亮度进行调节而被人们广泛使用。然而，现有LED调光驱动电源存在输出电压不稳定的问题，致使LED灯光出现闪烁的现象，严重的影响了LED的使用寿命，从而无法满足人们的要求。因此，提供一种输出电压稳定的LED调光驱动电源便是当务之急。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的现有的现有LEDLED灯调光驱动电源存在输出电压不稳定的缺陷，提供的一种多电路处理型LED调光驱动电源。本专利技术通过以下技术方案来实现：一种多电路处理型LED调光驱动电源，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，变压器T，场效应管MOS1，三极管VT1，串接在二极管整流器U1的正极输出端与三极管VT1的发射极之间的波纹尖峰抑制电路，分别与变压器T副边电感线圈L5的同名端和非同名端相连接的半桥驱动电路，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地的极性电容C1，负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接、正极与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C2，P极与场效应管MOS1的栅极相连接、N极经电阻R1后与场效应管MOS1的源极相连接的二极管D1，一端与场效应管MOS1的栅极相连接、另一端与二极管D1的N极相连接的电感L1，正极与三极管VT1的基极相连接、负极经电阻R20后与控制芯片U2的VDD管脚相连接的极性电容C3，正极与变压器T副边电感线圈的L5的非同名端相连接、负极与变压器T副边电感线圈的L5的同名端相连接的极性电容C12，分别与变压器T原边电感线圈L4的同名端和控制芯片U2以及二极管D1的N极相连接的电流调节电路，串接在控制芯片U2与变压器T之间的脉冲触发电路，以及串接在三极管VT1的集电极与变压器T原边电感线圈L3之间的微处理电路组成；所述二极管整流器U1的负极输出端还与场效应管MOS1的漏极相连接；所述三极管VT1的发射极分别与二极管D1的N极和控制芯片U2的DIM管脚相连接；所述微处理电路还与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接；所述变压器T原边电感线圈L4的非同名端接地。所述波纹尖峰抑制电路由放大器P，场效应管MOS5，三极管VT8，N极经电阻R36后与场效应管MOS5的源极相连接、P极与二极管整流器U1的正极输出端相连接的二极管D14，正极经电阻R35后与二极管D14的P极相连接、负极接地的极性电容C19，P极与场效应管MOS5的漏极相连接、N极与极性电容C19的负极相连接的二极管D15，正极与二极管D14的N极相连接、负极经电阻R37后与二极管D15的N极相连接的极性电容C20，一端与极性电容C20的正极相连接、另一端与三极管VT8的发射极相连接的可调电阻R38，负极与放大器P的正极相连接、正极经电阻R39后与二极管D14的N极相连接的极性电容C21，一端与极性电容C21的正极相连接、另一端接地的电阻R40，P极与三极管VT8的基极相连接、N极经电阻R42后与放大器P的负极相连接的二极管D16，负极经电阻R45后与放大器P的输出端相连接、正极经电阻R43后与二极管D16的N极相连接的极性电容C23，以及正极经电阻R44后与极性电容C23的负极相连接、负极经电阻R41后与三极管VT8的集电极相连接的极性电容C22组成；所述极性电容C22的负极与二极管D16的N极相连接后接地；所述三极管VT8的集电极还与二极管D15的N极相连接；所述场效应管MOS5的栅极与可调电阻R38的可调端相连接；所述极性电容C23的负极还与三极管VT1的发射极相连接。所述半桥驱动电路由场效应管MOS4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，N极经电阻R26后与三极管VT5的基极相连接、P极与变压器T副边电感线圈L5的非同名端相连接的二极管D11，负极经电阻R29后与三极管VT5的集电极相连接、正极经电阻R25后与二极管D11的N极相连接的极性电容C14，正极与二极管D11的N极相连接、负极经电阻R27后与三极管VT6的基极相连接的极性电容C15，正极经电阻R31后与三极管VT6的集电极相连接、负极与三极管VT7的集电极相连接后接地的极性电容C18，负极经可调电阻R30后与三极管VT5的发射极相连接、正极与三极管VT7的发射极相连接的极性电容C17，负极经电阻R33后与场效应管MOS4的栅极相连接、正极经电阻R28后与极性电容C14的负极相连接的极性电容C16，N极电阻R34后与极性电容C16的正极相连接、P极与场效应管MOS4的三极管VT7的基极相连接的二极管D13，以及P极经电阻R32后与极性电容C16的正极相连接、N极与场效应管MOS4的源极相连接的稳压二极管D12组成；所述极性电容C15的负极还与三极管VT6的集电极相连接后接地；所述三极管VT6的集电极还与变压器T副边电感线圈L5的同名端相连接、其发射极与三极管VT5的发射极相连接；所述三极管VT7的基极还与场效应管MOS4的漏极相连接；所述三极管VT7的基极与稳压二极管D12的N极共同形成半桥驱动电路的输出端。进一步的，所述电流调节电路由三极管VT2，场效应管MOS2，N极经电阻R21后与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接、P极电阻R2后与三极管VT2的集电极相连接的二极管D2，P极与三极管VT2的集电极相连接、N极经电阻R3后与控制芯片U2的DIM管脚相连接的二极管D3，一端与二极管D3的N极相连接、另一端与控制芯片U2的DIM管脚相连接的电感L2，正极与三极管VT2的基极相连接、负极经电阻R4后与控制芯片U2的VS管脚相连接的极性电容C4，一端与极性电容C4的正极相连接、另一端与场效应管MOS2的源极相连接的电阻R5，正极与极性电容C4的负极相连接、负极经电阻R10后与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C6，一端与极性电容C6的正极相连接、另一端与控制芯片U2的COM管脚相连接的电阻R6，P极与场效应管MOS2的源极相连接、N极与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D5，P极与三极管VT2的发射极相连接、N极可调电阻R7后与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D4，以及正极与二极管D4的N极相连接、负极顺次经电阻R8和电阻R9后与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C5组成；所述二极管D4的N极与场效应管MOS2的栅极相连接；所述极性电容C6的负极与控制芯片U2的NC管脚相连接后接地。所述脉冲触发电路由三极管VT3，三极管VT4，P极经电阻R14后与控制芯片U2的CS管脚相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的二极管D6，正极与三极管VT3的基极相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C7，P极电阻R11后与三极管VT3的集电极相连接、N极经电阻R13后与三极管VT4的集电极相连接的二极管D7，负极经可调电阻R18后与变压器T副边电感线圈L5的非同名端相连接、正极与二极管D7的P极相连接的极性电容C8，一端与极性电容C8的负极相连接、另一端与二极管D7的P极相连接的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多电路处理型LED调光驱动电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，变压器T，场效应管MOS1，三极管VT1，串接在二极管整流器U1的正极输出端与三极管VT1的发射极之间的波纹尖峰抑制电路，分别与变压器T副边电感线圈L5的同名端和非同名端相连接的半桥驱动电路，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地的极性电容C1，负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接、正极与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C2，P极与场效应管MOS1的栅极相连接、N极经电阻R1后与场效应管MOS1的源极相连接的二极管D1，一端与场效应管MOS1的栅极相连接、另一端与二极管D1的N极相连接的电感L1，正极与三极管VT1的基极相连接、负极经电阻R20后与控制芯片U2的VDD管脚相连接的极性电容C3，正极与变压器T副边电感线圈的L5的非同名端相连接、负极与变压器T副边电感线圈的L5的同名端相连接的极性电容C12，分别与变压器T原边电感线圈L4的同名端和控制芯片U2以及二极管D1的N极相连接的电流调节电路，串接在控制芯片U2与变压器T之间的脉冲触发电路，以及串接在三极管VT1的集电极与变压器T原边电感线圈L3之间的微处理电路组成；所述二极管整流器U1的负极输出端还与场效应管MOS1的漏极相连接；所述三极管VT1的发射极分别与二极管D1的N极和控制芯片U2的DIM管脚相连接；所述微处理电路还与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接；所述变压器T原边电感线圈L4的非同名端接地。...

【技术特征摘要】
1.一种多电路处理型LED调光驱动电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，变压器T，场效应管MOS1，三极管VT1，串接在二极管整流器U1的正极输出端与三极管VT1的发射极之间的波纹尖峰抑制电路，分别与变压器T副边电感线圈L5的同名端和非同名端相连接的半桥驱动电路，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地的极性电容C1，负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接、正极与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C2，P极与场效应管MOS1的栅极相连接、N极经电阻R1后与场效应管MOS1的源极相连接的二极管D1，一端与场效应管MOS1的栅极相连接、另一端与二极管D1的N极相连接的电感L1，正极与三极管VT1的基极相连接、负极经电阻R20后与控制芯片U2的VDD管脚相连接的极性电容C3，正极与变压器T副边电感线圈的L5的非同名端相连接、负极与变压器T副边电感线圈的L5的同名端相连接的极性电容C12，分别与变压器T原边电感线圈L4的同名端和控制芯片U2以及二极管D1的N极相连接的电流调节电路，串接在控制芯片U2与变压器T之间的脉冲触发电路，以及串接在三极管VT1的集电极与变压器T原边电感线圈L3之间的微处理电路组成；所述二极管整流器U1的负极输出端还与场效应管MOS1的漏极相连接；所述三极管VT1的发射极分别与二极管D1的N极和控制芯片U2的DIM管脚相连接；所述微处理电路还与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接；所述变压器T原边电感线圈L4的非同名端接地。2.根据权利要求1所述的一种多电路处理型LED调光驱动电源，其特征在于，所述波纹尖峰抑制电路由放大器P，场效应管MOS5，三极管VT8，N极经电阻R36后与场效应管MOS5的源极相连接、P极与二极管整流器U1的正极输出端相连接的二极管D14，正极经电阻R35后与二极管D14的P极相连接、负极接地的极性电容C19，P极与场效应管MOS5的漏极相连接、N极与极性电容C19的负极相连接的二极管D15，正极与二极管D14的N极相连接、负极经电阻R37后与二极管D15的N极相连接的极性电容C20，一端与极性电容C20的正极相连接、另一端与三极管VT8的发射极相连接的可调电阻R38，负极与放大器P的正极相连接、正极经电阻R39后与二极管D14的N极相连接的极性电容C21，一端与极性电容C21的正极相连接、另一端接地的电阻R40，P极与三极管VT8的基极相连接、N极经电阻R42后与放大器P的负极相连接的二极管D16，负极经电阻R45后与放大器P的输出端相连接、正极经电阻R43后与二极管D16的N极相连接的极性电容C23，以及正极经电阻R44后与极性电容C23的负极相连接、负极经电阻R41后与三极管VT8的集电极相连接的极性电容C22组成；所述极性电容C22的负极与二极管D16的N极相连接后接地；所述三极管VT8的集电极还与二极管D15的N极相连接；所述场效应管MOS5的栅极与可调电阻R38的可调端相连接；所述极性电容C23的负极还与三极管VT1的发射极相连接。3.根据权利要求2所述的一种多电路处理型LED调光驱动电源，其特征在于，所述半桥驱动电路由场效应管MOS4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，N极经电阻R26后与三极管VT5的基极相连接、P极与变压器T副边电感线圈L5的非同名端相连接的二极管D11，负极经电阻R29后与三极管VT5的集电极相连接、正极经电阻R25后与二极管D11的N极相连接的极性电容C14，正极与二极管D11的N极相连接、负极经电阻R27后与三极管VT6的基极相连接的极性电容C15，正极经电阻R31后与三极管VT6的集电极相连接、负极与三极管VT7的集电极相连接后接地的极性电容C18，负极经可调电阻R30后与三极管VT5的发射极相连接、正极与三极管VT7的发射极相连接的极性电容C17，负极经电阻R33后与场效应管MOS4的栅极相连接、正极经电阻R28后与极性电容C14的负极相连接的极性电容C16，N极电阻R34后与极性电容C16的正极相连接、P极与场效应管MOS4的三极管VT7的基极相连接的二极管D13，以及P极经电阻R32后与极性电容C16的正极相...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：成都翰道科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51