一种接触连接结构，具有：第一接触部(2a、3)，其中三个以上的第一缩进部(4)突出地设置在同一圆周上，以及第二接触部(11)，一个第二缩进部(12)突出地设置在第二接触部中。在端子插入过程中，第一接触部(2a、3)的第一缩进部(4)在第二接触部(11)上滑动，并且第二接触部(11)的第二缩进部(12)在第一接触部(3)上滑动，并且在端子插入完成位置处，第二缩进部(12)挤入由三个以上的第一缩进部(4)围绕的位置中，并且第一缩进部(4)的外周表面分别与第二缩进部(12)的外周表面进行接触。
Contact connection structure
A contact structure having a first contact portion (2a, 3), of which more than three of the first indent (4) prominently arranged in the same circle, and the second contact portion (11), a second indentation Department (12) highlighted the set in the second contact part in. In the terminal insertion process, the first contact part (2a, 3) the first part (4) in the second indent contact part (11) on the slide, and the second contact part (11) of the second (12) in the first part of the indentation contact part (3) on the slide, and completed in a terminal insertion position, second indent (12) into the Department by three or more of the first indent (4) around the location, and the first part of the indentation (4) peripheral surface respectively with second indentation Department (12) contact the outer peripheral surface.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种进行第一端子与第二端子之间的电连接的接触连接结构。
技术介绍
在图29和图30中，示出了已经应用了传统的接触连接结构的公端子和母端子(见作为类似技术的专利文献1)。如图29、图30和图31所示，母端子1051具有：四边形的盒部1052；以及弹性偏移部1053，其与该盒部1052一体地设置，并且布置在盒部1052中。弹性偏移部1053设置有朝着底表面侧突出的缩进部1054。缩进部1054的外周表面的形状为几乎球形，并且中央部位于最低的部分处。注意，虽然在图29和图30中省略了图示，但是在母端子1051的外表面的整个区域上进行电镀(例如，镀锡)，并且从在高温环境下提高连接可靠性以及在腐蚀环境下提高耐腐蚀性等的角度来设置镀层。如图29、图30和图32所示，公端子1060具有扁平凸头部1061。注意，虽然在图29和图30中省略了图示，但是在公端子1060的外表面的整个区域上进行电镀(例如，镀锡)，并且从在高温环境下提高连接可靠性以及在腐蚀环境下提高耐腐蚀性等的角度设置镀层。当如上所述地进行电镀(镀锡)，而后进行回流焊接工艺时，在铜合金材料的基材的外表面侧上形成镀层(铜/锡合金层、镀锡层)，并且在镀层的外表面上形成氧化膜。在上述构造中，当公端子1060的凸头部1061在图29中的位置处插入到母端子1051的盒部1052中时，弹性偏移部1053偏移地变形，并且使得凸头部1061能够插入。在凸头部1061的插入过程中，弹性偏移部1053的缩进部1054在凸头部1061的接触表面1061a上滑动，并且在端子插入完成位置处，如图30和图33所示，弹性偏移部1053的缩进部1054与凸头部1061的接触表面1061a进行相互接触。如上所述，当缩进部1054在凸头部1061的接触表面1061a上滑动时，弹性偏移部1053的偏移恢复力充当接触载荷，并且因此，如图35(a)、图35(b)所示(示出了镀层，省略了形成在缩进部1054上的氧化膜)，形成在缩进部1054上的氧化膜被破坏，并且形成在凸头部1061上的镀层1063被推入凸头部1061中，并且从而氧化膜1064被破坏。当氧化膜1064以该方式被破坏时，用于电镀的金属(例如锡)从各个氧化膜1064的裂缝喷出，并且从而母端子1051的缩进部1054与公端子1060的凸头部1061的接触表面1061a互相进行电接触。即，利用弹性偏移部1053的偏移恢复力作为接触载荷，母端子1051的缩进部1054与公端子1060的凸头部1061的接触表面互相进行电接触。然后，电流流经缩进部1054与凸头部1061之间的接触表面，从而母端子1051与公端子1060导通。注意，与锡和铜相比，氧化膜1064的电阻非常高。因此，为了降低接触电阻，需要破坏氧化膜1064，从而形成许多镀层对镀层的接触表面(欧姆点)。在传统的接触连接结构中，通过缩进部与凸头部的接触表面之间的接触载荷破坏氧化膜，从而在氧化膜的破坏位置处获得缩进部和凸头部的电镀金属之间的接触。参考文献专利文献专利文献1：日本专利特开No.2007-280825
技术实现思路
技术问题然而，在传统实例中，母端子1051的缩进部1054的形状几乎是球形，并且其在其顶点处与公端子1060的凸头部1061进行接触。因此，如图34所示，由于这种单点接触表面的外径变为表观接触表面直径D02(直径)，所以该表观接触表面直径D02(为清晰说明由图34中的斜线表示)是小的。另外，由于表观接触表面E02因为表面粗糙度等的影响而实际上不遍及其整个区域地进行接触，所以整个区域不承担电导通，并且在表观接触表面E02中，实际与其进行接触的表面(实际接触表面)承担电导通。此处，虽然当实际接触表面位于表观接触表面直径D02的外周部上时，电流容易流通，但是在传统实例中实际接触表面不规则地(随机地)产生在表观接触表面E02中。在传统实例中，由于表观接触表面直径D02是小的，并且以该方式在表观接触表面E02中不规则地(随机地)产生实际接触表面，所以存在接触电阻大的问题。此处，虽然设想使得弹性偏移部的偏移恢复力(接触载荷)大，并且扩大接触部(缩进部54)，以通过使得表观接触表面直径大而降低接触电阻，但是这使母端子1051和公端子1060大型化和复杂化。另外，在上述传统实例中，如图35(b)所示，虽然设想当母端子1051与公端子1060在端子插入完成位置处进行互相接触时，通过增加镀层1063的推进量来增大接触部之间的接触压力以便促进氧化膜1064的破坏，但是由于镀层1063是薄的，并且镀层1063的推进量是小的，所以存在使母端子1051和公端子1060大型化和复杂化的问题。因此，为解决上述问题而做出本专利技术，并且本专利技术的目的在于提供一种接触连接结构，其能够最大限度地降低接触电阻而不使端子大型化和复杂化。问题解决方案本专利技术是一种接触连接结构，具有：第一接触部，在该第一接触部中，三个以上的第一缩进部突出地设置在同一圆周上；以及第二接触部，一个第二缩进部突出地设置在该第二接触部中，其中在端子插入过程中，所述第一接触部的所述第一缩进部在所述第二接触部上滑动，并且所述第二接触部的所述第二缩进部在所述第一接触部上滑动，并且在端子插入完成位置处，所述第二缩进部介入由所述三个以上的第一缩进部围绕的位置中，并且所述第一缩进部的外周表面与分别所述第二缩进部的外周表面进行接触。第一缩进部均包括布置在从所述第二缩进部的滑动轨道偏离的位置处的缩进部。附图说明图1示出本专利技术的第一实施例，并且是在端子连接之前的母端子和公端子的截面图。图2示出本专利技术的第一实施例，其中图2(a)是处于端子连接状态中的母端子和公端子的截面图，图2(b)是接触连接位置的主要部分侧视图，并且图2(c)是示出表观接触表面直径的图。图3示出本专利技术的第一实施例，其中图3(a)是母端子的接触部的主要部分侧视图，并且图3(b)是图3(a)的A0箭头视图。图4示出本专利技术的第一实施例，其中图4(a)是公端子的接触部的主要部分侧视图，并且图4(b)是图4(a)的B0箭头视图。图5示出本专利技术的第二实施例，并且是在端子连接之前的母端子和公端子的截面图。图6示出本专利技术的第二实施例，其中图5(a)是处于端子连接状态中的母端子和公端子的截面图，图5(b)是接触连接位置的主要部分截面图，并且图5(c)是示出表观接触表面直径的图。图7示出本专利技术的第二实施例，其中图7(a)是母端子的缩进部的主要部分侧视图，并且图7(b)是图7(a)的A1箭头视图。图8示出本专利技术的第二实施例，其中图8(a)是公端子的接触部的主要部分平面图，并且图8(b)是图8(a)的C1-C1线截面图。图9示出本专利技术的第三实施例，并且是在端子连接之前的母端子和公端子的截面图。图10示出本专利技术的第三实施例，并且是在连接之后的母端子和公端子的截面图。图11示出本专利技术的第三实施例，并且是与示出主要部分(接触部分)的截面图相对应的说明图。图12示出本专利技术的第三实施例，并且是示出镀层的变化的说明图。图13示出本专利技术的第四实施例，其中图13(a)是与示出主要部分(接触部分)的截面图相对应的说明图，并且图13(b)是与示出主要部分(接触部分)的平面图相对应的说明图。图14示出本专利技术的第四实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种接触连接结构，包括：第一接触部，在该第一接触部中，三个以上的第一缩进部突出地设置在同一圆周上；以及第二接触部，一个第二缩进部突出地设置在该第二接触部中，其中在端子插入过程中，所述第一接触部的所述第一缩进部在所述第二接触部上滑动，并且所述第二接触部的所述第二缩进部在所述第一接触部上滑动，并且在端子插入完成位置处，所述第二缩进部挤入由所述三个以上的第一缩进部包围的位置中，并且所述第一缩进部的外周表面分别与所述第二缩进部的外周表面进行接触。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.18 JP 2014-086356;2014.04.23 JP 2014-088841.一种接触连接结构，包括：第一接触部，在该第一接触部中，三个以上的第一缩进部突出地设置在同一圆周上；以及第二接触部，一个第二缩进部突出地设置在该第二接触部中，其中在端子插入过...
【专利技术属性】
技术研发人员：大沼雅则，藤川谅，弓立隆博，伊藤义贵，
申请(专利权)人：矢崎总业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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