具有表面改性层的有机发光二极管制造技术

一种有机发光二极管(l0)，其包括具有第一表面(14)和第二表面(16)的基板(12)、第一电极(32)和第二电极(38)。发射层(36)位于第一电极(32)与第二电极(38)之间。该有机发光二极管(10)另外包括表面改性层(18)。该表面改性层(18)包括不平坦表面(30,52)。

Organic light emitting diode with surface modification layer

An organic light emitting diode (L0) includes a substrate (12) having a first surface (a) and a surface (16) of the first (14), a first electrode (a) and a second electrode (38). The emitter layer (36) is located between the first electrode (32) and the second electrode (38). The organic light emitting diode (10) further includes a surface modification layer (18). The surface modification layer (18) comprises an uneven surface (30,52).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求2014年4月24日提交的美国临时专利申请号61/983,528的优先权，该申请在此通过引用以其全文并入。政府支持的通知本专利技术是受美国政府支持在能源部授予的合同号DE-EE-0003209下进行。美国政府在本专利技术中可享有一定权利。专利技术背景专利
本专利技术大体上涉及发光器件(诸如有机发光二极管)，和更特别地涉及具有光散射表面的发光器件以及制造该发光器件的方法。技术考虑有机发光二极管(OLED)是发光器件的实例。OLED具有并入有源堆栈(active stack)的多层结构，该有源堆栈具有薄有机膜，例如有机半导体材料的电致发光发射层。该有源堆栈位于两个电极(阳极与阴极)之间。当电流在阳极与阴极之间通过时，发射层响应于电流的施加而发光，通常为可见光。OLED被用于许多应用中，诸如电视屏幕、计算机监视器、移动电话、PDA、手表、照明和各种其他电子器件。OLED提供了许多优于常规的无机发光器件(诸如液晶和白炽灯或紧凑型荧光灯(CLF))的优势。例如，OLED无需背光即而起作用。在低环境光中，诸如暗室，OLED屏幕可实现高于常规的液晶显示器的对比度。OLED也比液晶显示器更薄、更轻，和更具可挠性。与白炽灯或紧凑型荧光灯相比，OLED需要更少能量来操作，且提供成本节约。然而，OLED的一个缺点在于，由于OLED各层间的折射率差异产生光波导效应，有源堆栈所产生的大量光损失掉了。发射层所发射的一部分光在各个层边界处被反射回去，并困(trap)在该层中。在常规的OLED照明器件中，有机发射层所发射的约80％可见光由于此光波导效应困在OLED内。因此，提供从OLED提取比常规的OLED所可能提取的更多的电磁辐射(例如，可见光)的器件和/或方法将是有利的。当前，增加光提取的方法包括复杂涂层施加方法与表面图案化方法的组合。例如，OLED基板的外表面可经化学刻蚀(诸如酸刻蚀)或物理刻蚀(诸如通过工具)来增加该基板表面的表面粗糙度。增加表面粗糙度增加了雾度，其通常增加从OLED提取的光的量。然而，这些当前涂布和图案化方法增加了制造OLED所需的制造时间和成本，并可导致储存和处理刻蚀和/或涂料材料方面的环境问题。此外，这些方法不会对OLED的各个内部层间的波导效应产生影响。因此，提供具有以下优于当前器件或方法的优势中的一种或多种的发光器件(诸如OLED)和/或制造发光器件的方法也会是有利的：减小的波导效应；更高的光发射；更简单的制造方法；减少的生产成本；更少的生产步骤；和/或较不复杂的生产步骤。
技术实现思路
在以下编号条目(clause)中提供本专利技术的概述：条目1:一种有机发光二极管，其包括具有第一表面和第二表面的基板；第一电极；和第二电极。发射层位于该第一电极与该第二电极之间。该有机发光二极管另外包括表面改性层，该表面改性层包括不平坦表面。条目2:条目1的有机发光二极管，其中该表面改性层位于该第一电极与该基板之间。条目3:条目1或2的有机发光二极管，其中该表面改性层提供具有不平坦表面(特别是不平坦内表面)的有机发光二极管的至少另一层。条目4:条目1至3中任一项的有机发光二极管，其中该表面改性层包括多层结构。条目5:条目1至4中任一项的有机发光二极管，其中该表面改性层包括位于该基板的至少一部分上的第一膜和位于该第一膜的至少一部分上的第二膜。优选地，该第二膜与该第一膜直接接触。条目6:条目5的有机发光二极管，其中该第一膜具有第一膨胀系数，和该第二膜具有第二膨胀系数。优选地，该第一膨胀系数大于该第二膨胀系数。条目7:条目6的有机发光二极管，其中该第一膨胀系数(在20℃下，10-6m/mK)是至少25，特别是至少40。条目8:条目6或7的有机发光二极管，其中该第一膨胀系数不大于220，特别是不大于200。例如，不大于80。条目9:条目6至8中任一项的有机发光二极管，其中该第一膨胀系数(在20℃下，10-6m/mK)是在25至220的范围内，特别是在40至200的范围内。条目10:条目6至9中任一项的有机发光二极管，其中该第二膨胀系数(在20℃下，10-6m/mK)是至少1，特别是至少4。条目11:条目6至10中任一项的有机发光二极管，其中该第二膨胀系数不大于100，特别是不大于80。条目12:条目6至11中任一项的有机发光二极管，其中该第二膨胀系数(在20℃下，10-6m/mK)是在1至100的范围内，特别是在4至80的范围内。条目13:条目6至12中任一项的有机发光二极管，其中该第一膨胀系数大于该第二膨胀系数。条目14:条目5至13中任一项的有机发光二极管，其中该第一膜包括选自以下的材料：弹性体材料、聚合物型材料、聚合物型有机材料及其混合物。例如，该第一膜可包括聚烷基硅氧烷，特别是聚二甲基硅氧烷。条目15:条目5至14中任一项的有机发光二极管，其中该第一膜具有至少1nm，特别是至少10nm的厚度。条目16:条目5至15中任一项的有机发光二极管，其中该第一膜具有不大于500nm，诸如不大于100nm的厚度。条目17:条目5至16中任一项的有机发光二极管，其中该第一膜具有1nm至500nm，特别是10nm至100nm范围内的厚度。条目18:条目5至17中任一项的有机发光二极管，其中该第二膜具有高于该第一膜的硬度(durometer)。条目19:条目5至18中任一项的有机发光二极管，其中该第二膜包括氧化物、金属氧化物、氮化物和/或氧氮化物膜，特别是Zn、Fe、Mn、Al、Ce、Sn、Sb、Hf、Zr、Ni、Zn、Bi、Ti、Co、Cr、Si、和In中的一种或多种的氧化物、氮化物和/或氧氮化物。例如，该第二膜可包括无机材料。条目20:条目5至19中任一项的有机发光二极管，其中该第二膜具有至少1nm，特别是至少4nm的厚度。条目21:条目5至20中任一项的有机发光二极管，其中该第二膜具有不大于300nm，特别是不大于50nm的厚度。条目22:条目5至21中任一项的有机发光二极管，其中该第二膜具有1nm至300nm，特别是1nm至50nm范围内的厚度。条目23:条目5至22中任一项的有机发光二极管，其中该第一膜是通过湿式沉积法形成，特别是选自以下的湿式沉积法：旋涂、喷涂、流涂、狭缝型挤压式涂布和幕涂。条目24:条目5至23中任一项的有机发光二极管，其中该第二膜是通过MSVD形成。条目25:条目5至24中任一项的有机发光二极管，其中该第二膜选自：氧化铝、二氧化硅、氧化锌、氧化锆及其组合，特别是氧化铝与二氧化硅的混合物。条目26:条目1的有机发光二极管，其中该表面改性层包括单层。条目27:条目26的有机发光二极管，其中该表面改性层包括氧化铝或者氧化铝和二氧化硅的混合物。条目28:条目26或27的有机发光二极管，其中该表面改性层具有至少1nm，特别是至少10nm的厚度。条目29:条目26至28中任一项的有机发光二极管，其中该表面改性层具有不大于500nm，特别是不大于100nm的厚度。例如，该表面改性层可具有1nm至500nm，特别是10nm至500nm范围内的厚度。条目30:条目1至29中任一项的有机发光二极管，其中该表面改性层包括并入其中的纳米颗粒。条目31:条目30的有机发光二极管，其中该纳本文档来自技高网...

【技术保护点】
有机发光二极管(10)，包含:具有第一表面(14)和第二表面(16)的基板(12)；第一电极(32)；第二电极(38)；和位于第一电极(32)和第二电极(38)之间的发射层(36),特征在于包括不平坦表面(30，52)的表面改性层(18)位于第一电极(32)和基板(12)之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.24 US 61/983,528;2015.04.16 US 14/688,5451.有机发光二极管(10)，包含:具有第一表面(14)和第二表面(16)的基板(12)；第一电极(32)；第二电极(38)；和位于第一电极(32)和第二电极(38)之间的发射层(36),特征在于包括不平坦表面(30，52)的表面改性层(18)位于第一电极(32)和基板(12)之间。2.权利要求1的有机发光二极管(10)，特征在于表面改性层(18)包括多层结构，该多层结构包括基板(12)的至少一部分上的第一膜(20)和第一膜(20)的至少一部分上的第二膜(26)。3.权利要求2的有机发光二极管(10)，特征在于第一膜(20)具有第一膨胀系数，第二膜(26)具有第二膨胀系数，且第一膨胀系数大于第二膨胀系数。4.权利要求2或3的有机发光二极管(10)，特征在于第一膜(20)包括聚合物型材料，特别是聚烷基硅氧烷。5.权利要求2至4中任一项的有机发光二极管(10)，特征在于第一膜(20)包含聚二甲基硅氧烷。6.权利要求2至5中任一项的有机发光二极管(10)，特征在于第二膜(26)包含金属氧化物，特别是选自氧化铝、二氧化硅、氧化锌、氧化锆及其组合的金属氧化物。7.权利要求2至6中任一项的有机发光二极管(10)，特征在于第二膜(26)比第一膜(20)薄。8.权利要求2至7中任一项的有机发光二极管(10)，特征在于第二膜(26)由MSVD形成。9.权利要求2至8中任一项的有机发光二极管(10)，特征在于第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·D·巴兹尔，A·布翰达利，H·布海，M·阿巴比，G·J·马里逖，
申请(专利权)人：PPG工业俄亥俄公司，
类型：发明
国别省市：美国;US