平面振膜单体的改良结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种平面振膜单体的改良结构，包括：一薄膜层、一第一线圈、一第二线圈、一第三线圈以及一第四线圈。所述的第一线圈是设置在薄膜层的第一面上的第一侧。所述的第二线圈是设置在薄膜层的第二面上的第一侧，并且与第一线圈电性连接。所述的第三线圈是设置在薄膜层的第一面上的第二侧，并且与第二线圈电性连接。所述的第四线圈是设置在薄膜层的第二面上的第二侧，并且与第三线圈电性连接。其中，第一线圈与第三线圈是被配置为在与中心线距离相同处的电流方向相同，且该第二线圈与该第四线圈是被配置为在与该中心线距离相同处的电流方向相同。

Improved structure of plane diaphragm monomer

The utility model provides an improved structure of a planar diaphragm monomer, which comprises a thin film layer, a first coil, a second coil, a third coil and a fourth coil. The first coil is arranged on the first side of the first surface of the thin film layer. The second coil is arranged on the first side of the second surface of the thin film layer and is electrically connected with the first coil. The third coil is arranged on the second side of the first surface of the thin film layer and is electrically connected with the second coil. The fourth coil is arranged on the second side of the surface of the thin film layer, and is electrically connected with the third coil. Among them, the first and third coils are configured in the same direction and the distance of the center line of the current at the same, and the second coil and the fourth coil is configured with the center line distance at the same current direction.

【技术实现步骤摘要】

本技术是关于一种振模结构，特别是关于可以减少盆分裂现象的平面振膜单体的改良结构。
技术介绍
根据结构以及发声的原理不同，发声装置的种类可以分为动圈式喇叭、压电喇叭、陶瓷压电喇叭以及纸喇叭等许多种类，其中，最常见即为传统的动圈式喇叭。动圈式喇叭的结构，主要是将一漆包线圈缠绕于圆型管柱的外周围构成一音圈后，再将音圈的一端胶合于一振膜的一侧后置放于磁铁的一侧，以形成动圈式喇叭的单体。在利用此种单体发声时，是使对应的音频电流通过漆包线圈，使得线圈的磁场透过电磁感应发生变化而带动振膜振动，借此振动空气而发声。图1A中显示了一种现有的单体结构。如图1A所示，现有的单体结构9的振膜91上一般仅设置一个单一的线圈92。在这种现有的单体结构9上将音频电流通过线圈92时，在线圈92中心线95两侧与中心线95距离相同处的电流流动方向会不相同，因此容易产生盆分裂的情形。进一步来说，如图1A所示，若线圈92在中心线95右侧部分的点a位置的电流是往图中的下方流动，则线圈92在另一侧与中心线95与点a之间距离相同处的点a’位置的电流会往图中的上方方向流动。图1B为振膜91的侧视图，图中的箭头标示了振膜在微观的点上的振动方向。如图1B所示，由于这种现有的线圈配置使得电流在点a与点a’的流动方向相反，因而会导致振膜91在微观的点，即点a与点a’上的振动方向不相同，进而造成现有的单体结构9容易发生盆分裂的现象，并且造成单体的音质失真。
技术实现思路
基于上述理由，本技术的目的在于提供一种平面振膜单体的改良结构，其是将振膜结构上的线圈配置，使得线圈在中心线两侧与中心线距离相同的位置处的电流方向相同，借此减少盆分裂发生的情形。为达成前述目的，本技术提供一种平面振膜单体的改良结构，包括：一薄膜层，具有一第一面以及一第二面，且该薄膜层以其一中心线为基准具有彼此相对的一第一侧以及一第二侧；一第一线圈，设置在该薄膜层的该第一面上的该第一侧，且该第一线圈具有一第一接触点；一第二线圈，设置在该薄膜层的该第二面上的该第一侧，且该第二线圈是透过一第一连接点与该第一线圈电性连接；一第三线圈，设置在该薄膜层的该第一面上的该第二侧，且该第三线圈是透过一第二连接点与该第二线圈电性连接；以及一第四线圈，设置在该薄膜层的该第二面上的该第二侧，该第四线圈是透过一第三连接点与该第三线圈电性连接，且该第四线圈具有一第二接触点；其中，该第一线圈与该第三线圈是被配置为两者在与中心线距离相同处的电流方向相同，且该第二线圈与该第四线圈是被配置为两者在与该中心线距离相同处的电流方向相同。根据本技术的一实施例，该第一线圈与该第三线圈相对于该中心线具有对称的配置，且该第二线圈与该第四线圈相对于该中心线具有对称的配置。根据本技术的一实施例，该第二线圈是与该第一线圈重迭，该第四线圈是与该第三线圈重迭，该第二线圈与该第一线圈重迭的部分电流方向相同，且该第四线圈与该第三线圈重迭的部分电流方向相同。此外，该第二线圈与该第四线圈是以最小绕圈数的方式设置于该薄膜层的第二面上。附图说明图1A为现有单体结构的示意图；图1B为现有单体结构的侧视图；图2A为显示根据本技术一实施例的平面振膜单体的改良结构的第一面的平面示意图；图2B为显示根据本技术一实施例的平面振膜单体的改良结构的第二面的平面示意图；以及图3为显示根据本技术一实施例的平面振膜单体的改良结构中线圈的电流流动方向的平面示意图。符号说明：10 薄膜层11 第一面111 第一侧112 第二侧12 第二面121 第一侧122 第二侧201 第一接触点202 第二接触点211 第一连接点212 第二连接点213 第三连接点31 第一线圈32 第二线圈33 第三线圈34 第四线圈9 单体结构91 振膜92 线圈95 中心线A 中心线a、a’、b、b’ 点具体实施方式以下配合图式及组件符号对本技术的实施方式做更详细的说明，俾使熟习该项技艺者在研读本说明书后能据以实施。图2A为显示本技术的平面振膜单体的改良结构的第一面的平面图；图2B为显示本技术的平面振膜单体的改良结构的第二面的平面图。如图2A以及图2B所示，本技术的平面振膜单体的改良结构主要是包括了一薄膜层10、一第一线圈31、一第二线圈32、一第三线圈33以及一第四线圈34。以下，将同时参照图2A以及图2B针对本技术的平面振膜单体的改良结构进行说明。薄膜层10为单体振膜的主要结构，其具有一第一面11以及一第二面12。为了方便说明本技术中的线圈配置，以下是以薄膜层10的一中心线A为基准，将薄膜层10的第一面11定义为彼此相对的第一侧111与第二侧112，并且将薄膜层10的第二面12定义为彼此相对的第一侧121以及第二侧122。在此实施例中，薄膜层10是具有四边形的形状，且中心线A的位置是贯穿于四边形其中两边的中间点；然而，薄膜层10的形状与中心线的位置并不限于此，薄膜层10可以为任何适合作为振膜的形状，且中心线可以被定义在其他将薄膜层分为两个对称部分的位置。如图2A所示，第一线圈31是设置在薄膜层10的第一面11上的第一侧111，且第一线圈具有一第一接触点201。在此实施例中，第一接触点201是设置在薄膜层10第一面11的第一侧111的上方。第一线圈31是从第一接触点201开始环绕数圈后，透过薄膜层10第一面11的第一侧111中间下方的第一连接点211穿过薄膜层10与设置在薄膜层10第二面12第一侧121的第二线圈32电性连接。如图2B所示，第二线圈32在薄膜层10第二面12第一侧121上是以与第一线圈31大致重迭并且以最小绕圈数的方式配置。在本实施例中，第二线圈32是在薄膜层10的第二面12绕了一圈半之后，透过位于第二面12上方的第二连接点212穿过薄膜层10与设置在薄膜层10第一面11第二侧112上的第三线圈33电性连接。请再次参照图2A，在此实施例中，第三线圈33在薄膜层10第一面11第二侧112上是从第二连接点212开始，以相对于中心线A与第一线圈31对称的方式配置；换言之，第三线圈33与第一线圈11具有相对于中间线A对称的形状与圈数。上述的第三线圈33在第二侧112中间下方处透过第三连接点213穿过薄膜层10与设置在薄膜层第二面12第二侧122的第四线圈电性连接。再次参照图2B，第四线圈34在薄膜层10第二面12第二侧122上是以与第三线圈33大致重迭并且以最小绕圈数的方式配置。此外，第四线圈34与第二线圈32在薄膜层10的第二面12上具有相对于中间线A对称的配置。透过上述线圈配置，本技术的平面振膜单体的改良结构可以降低现有单体结构中盆分裂情形发生的机率。以下，将参照图3来说明本技术的改良结构降低盆分裂情形发生的原理。图3为显示本技术的平面振膜单体的改良结构中线圈的电流流动方向的示意图。如图3所示，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面振膜单体的改良结构，其特征在于，包括：一薄膜层，具有一第一面以及一第二面，且该薄膜层以其一中心线为基准具有彼此相对的一第一侧以及一第二侧；一第一线圈，设置在该薄膜层的该第一面上的该第一侧，且该第一线圈具有一第一接触点；一第二线圈，设置在该薄膜层的该第二面上的该第一侧，且该第二线圈是透过一第一连接点与该第一线圈电性连接；一第三线圈，设置在该薄膜层的该第一面上的该第二侧，且该第三线圈是透过一第二连接点与该第二线圈电性连接；以及一第四线圈，设置在该薄膜层的该第二面上的该第二侧，该第四线圈是透过一第三连接点与该第三线圈电性连接，且该第四线圈具有一第二接触点；其中，该第一线圈与该第三线圈是被配置为两者在与该中心线距离相同处的电流方向相同，且该第二线圈与该第四线圈是被配置为两者在与该中心线距离相同处的电流方向相同。

【技术特征摘要】
1.一种平面振膜单体的改良结构，其特征在于，包括：一薄膜层，具有一第一面以及一第二面，且该薄膜层以其一中心线为基准具有彼此相对的一第一侧以及一第二侧；一第一线圈，设置在该薄膜层的该第一面上的该第一侧，且该第一线圈具有一第一接触点；一第二线圈，设置在该薄膜层的该第二面上的该第一侧，且该第二线圈是透过一第一连接点与该第一线圈电性连接；一第三线圈，设置在该薄膜层的该第一面上的该第二侧，且该第三线圈是透过一第二连接点与该第二线圈电性连接；以及一第四线圈，设置在该薄膜层的该第二面上的该第二侧，该第四线圈是透过一第三连接点与该第三线圈电性连接，且该第四线圈具有一第二接触点；其中，该第一线圈与该第三线圈是被配置为两者在与该中心线...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓克忠，
申请(专利权)人：邓克忠，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71