一种OLED器件制造技术

技术编号:14172975 阅读:169 留言:0更新日期:2016-12-13 01:00
本发明专利技术涉及半导体技术领域,尤其涉及一种OLED器件,通过在电子传输层与空穴传输层之间设置RCLEL层,该RCLEL层能够有效的避免在电子传输层与空穴传输层之间的膜层交界处电荷的累积,以防止累积的电荷在膜层界面形成不发光的中心,且RCLEL层还具有可逆的电化学氧化还原性质,大大减缓电子和空穴在传输过程中造成的材料变质的同时,还能够有效阻止可扩散的离子和杂质进入发光层,从而提升器件的寿命。

A OLED device

The present invention relates to the field of semiconductor technology, especially relates to a OLED device, by setting the RCLEL layer between the electron transport layer and hole transport layer, the RCLEL layer can effectively prevent the accumulation of charge at the junction between the layers in the electron transport layer and hole transport layer, to prevent the formation of charge accumulation at the center of the film does not shine interface, electrochemical oxidation and RCLEL layer also has reversible redox properties, greatly reduce the material deterioration caused by electron and hole in the transmission process at the same time, also can effectively prevent diffusion of ions and impurities into the light emitting layer, so as to enhance the service life of device.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种OLED器件
技术介绍
OLED,有机发光二极管,它具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示灯特性,被誉为“梦幻显示器”,被认为是理想的下一代平板显示技术。但是目前OLED仅用作手机和平板使用,寿命一直是制约其在电视和车载领域应用的一个重要因素之一,因此,提高OLED的寿命有助于拓展其应用领域。目前有很多提高OLED效率,降低OLED驱动电压的技术和结构,但目前制约OLED广泛应用的原因之一就是其寿命无法和液晶、LED等相比,影响OLED的寿命因素非常多,机理十分复杂,目前尚无一个理论可以完美解释OLED寿命衰减,根据其衰减机制可分为本质劣化和非本质劣化。非本质劣化主要是由于除OLED器件的材料和结构外的因素造成的衰退,如基板的平整度、微小颗粒的污染、电极表面的微小针孔以及封装胶材的水氧透过率等;本质劣化因素非常复杂,目前大致可以分为以下几类:1)有机薄膜的稳定性,低玻璃转移温度会使有机薄膜的稳定性变差,容易导致器件的稳定性差,因此,提高材料的玻璃化转移温度,薄膜的稳定
性也将得到提高,不容易形成结晶性薄膜;2)阳极与有机层的接触面由于分属于不同种类的物质,容易出现接触面附着力差的问题,且阳极与空穴注入或传输层的能级差越大时,器件的亮度衰减越明显,寿命越短;3)激发态的稳定性,激发态越稳定,器件寿命越长;4)有机材料的电化学可逆性,因为载流子在有机薄膜中的传导过程是一系列的氧化还原反应,有机材料具有可逆的电化学氧化还原性质可以提高材料的稳定性,避免因有机材料的劣化造成器件亮度的衰减;5)可移动的离子杂质,来自电极的扩散所造成的移动性离子(如IN3+、Sn4+)很有可能成为电子、空穴再结合中心或淬灭中心,从而使器件的效率衰退,寿命下降;且目前尚无针对提升OLED寿命的功能层结构提出。
技术实现思路
鉴于上述问题,本专利技术提供一种OLED器件。一种OLED器件,其特征在于,包括依次叠置的电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层;其中,在所述电子传输层与所述空穴注入层之间设置有一RCLEL层,以平衡膜层交界处的载流子迁移率。上述的器件,其特征在于,所述电子传输层与所述发光层之间设置有第一RCLEL层,和/或所述发光层与所述空穴传输层之间设置有第二RCLEL层和/或所述空穴注入层与所述空穴传输层之间设置有第三RCLEL层。上述的器件,其特征在于,其特征在于,所述第一RCLEL层的电子迁移率大于所述电子传输层的电子迁移率,以防止电子在所述发光层与所述电子传输层接触的界面累积;上述的器件,其特征在于,所述第二RCLEL层的空穴迁移速率大于所述空穴传输层中的空穴迁移速率,以防止电子在所述发光层与所述空穴传输层接触的界面累积。上述的器件,其特征在于,所述第一RCLEL层、所述第二RCLEL层和所述第三RCLEL层的材料均具有可逆的电化学氧化还原性质。上述的器件,其特征在于,所述第一RCLEL层、所述第二RCLEL层和所述第三RCLEL层的材质两两之间均不相同。上述的器件,其特征在于,所述第一RCLEL层、所述第二RCLEL层和所述第三RCLEL层的厚度均为5-500埃。上述的器件,其特征在于,所述第一RCLEL层和所述第二RCLEL层的三线态能级均高于所述发光层的三线态能级。上述的器件,其特征在于,所述第一RCLEL层的材质为电子传输材料或空穴阻挡材料,所述第二RCLEL层的材质为空穴传输材料或电子阻挡材料,所述第三RCLEL层的材质为空穴注入材料或空穴传输材料。上述的器件,其特征在于,所述RCLEL层材料与所述电子传输层材料相同。上述的器件,其特征在于,所述OLED器件结构还包括:依次叠置于所述空穴注入层下的基板、阳极、缓冲层和所述电子传输层上的
阴极。综上所述,本专利技术公开设计的一种OLED器件,通过在电子传输层与发光层,和/或发光层与空穴传输层,和/或空穴注入层与空穴传输层之间设置RCLEL层,该RCLEL层限制电荷在电子传输层与发光层界面、空穴传输层与发光层界面的累积,防止累积的电荷形成不发光的中心,减少器件的衰退,从而提高器件的寿命;且RCLEL层还阻止可扩散的离子和杂质进入发光层,从而减少可扩散的离子和杂质造成的发光淬灭,RCLEL使用的材料是可逆的电化学氧化还原性质的,从而减缓电子和空穴在传输过程中造成的材料变质,从而减缓器件的衰退。附图说明参考所附附图,以更加充分的描述本专利技术的实施例。然而,所附附图仅用于说明和阐述,并不构成对本专利技术范围的限制。图1a-1c是本专利技术结构示意图;图2是本专利技术具体实施例结构示意图;图3是本专利技术实施例中有无RCLEL的器件的电压与电流密度特性曲线图;图4是本专利技术实施例中有无RCLEL的器件的电流密度与亮度曲线图;图5是本专利技术实施例中有无RCLEL的器件的亮度与电流效率曲线图;图6是本专利技术实施例中有无RCLEL的器件的亮度百分比与时间变化曲线图。具体实施方式下面结合附图和具体的实施例对本专利技术作进一步的说明,但是不作为本专利技术的限定。本专利技术的核心思想是在电子传输层与发光层,和/或发光层与空穴传输层,和/或空穴注入层与空穴传输层之间设置RCLEL层,由于RCLEL层的电子迁移率较快,可以防止电子在每层界面的累积,从而保证了电子与空穴的平衡,减少了不发光的再结合中心的形成,从而提升器件的寿命。如图1a-1c所示,本专利技术设计了一种OLED器件,该OLED器件包括依次叠置的电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层;在电子传输层与空穴注入层之间设置有一RCLEL层,以平衡膜层交界处的载流子迁移率。其中,在电子传输层与发光层之间设置第一RCLEL层,和/或在发光层与空穴传输层之间设置第二RCLEL层。在本专利技术中,于电子传输层与发光层,和/或发光层与空穴传输层之间设置RCLEL层,是因为OLED器件有部分电子在发光层与电子传输层,和/或发光层与空穴传输层的界面累积,从而形成不发光的再结合中心。而设置了RCLEL层之后,第一RCLEL层中的电子迁移速率大于电子传输层中的电子迁移速率,第二RCLEL层中的空
穴迁移速率大于空穴传输层中的空穴迁移速率。这样,RCLEL层可以有效限制电荷在电子传输层和发光层界面、空穴传输层和发光层界面的累积,防止累积的电荷形成不发光的中心。其中,RCLEL还可以阻止可扩散的离子和杂质进入发光层,从而减少可扩散的离子和杂质造成的发光淬灭。在本专利技术中,在空穴注入层与空穴传输层之间设置有第三RCLEL层。该第三RCLEL层中的空穴迁移速率大于空穴注入层中的空穴迁移速率,同第一RCLEL层和第二RCLEL层的作用一样,该第三RCLEL层也是限制电荷在空穴注入层与空穴传输层的界面累积。在电子和空穴的传输过程中难免会造成RCLEL层的变质,为了减缓RCLEL层的材料变质,RCLEL层优选的为可逆的电化学氧化还原性质的材料,这样在电子和空穴的传输过程中减缓造成的材料变质的问题,延长RCLEL层的寿命。在本专利技术中,根据OLED器件的实际制备情况,位于电子传输层与发光层,和/或发光层与空穴传输层,和/或空穴注入层与空穴传输层之间的RCLEL层厚度为5-5本文档来自技高网
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一种OLED器件

【技术保护点】
一种OLED器件,其特征在于,包括依次叠置的电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层;其中,在所述电子传输层与所述空穴注入层之间设置有一RCLEL层,以平衡膜层界面的载流子迁移率,防止膜层界面处电荷的累积。

【技术特征摘要】
1.一种OLED器件,其特征在于,包括依次叠置的电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层;其中,在所述电子传输层与所述空穴注入层之间设置有一RCLEL层,以平衡膜层界面的载流子迁移率,防止膜层界面处电荷的累积。2.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述电子传输层与所述发光层之间设置有第一RCLEL层,和/或所述发光层与所述空穴传输层之间设置有第二RCLEL层和/或所述空穴注入层与所述空穴传输层之间设置有第三RCLEL层。3.根据权利要求2所述的器件,其特征在于,所述第一RCLEL层的电子迁移率大于所述电子传输层的电子迁移率,以防止电子在所述发光层与所述电子传输层接触的界面累积。4.根据权利要求2所述的器件,其特征在于,所述第二RCLEL层的空穴迁移速率大于所述空穴传输层中的空穴迁移速率,以防止电子在所述发光层与所述空穴传输层接触的界面累积。5.根据权利要求2所述的器件,其特征在于,所述第一RCLEL层、所述第二RCLEL层和所述第三RCLEL层的材料...

【专利技术属性】
技术研发人员:牟鑫李艳虎王钊张明月
申请(专利权)人:上海和辉光电有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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