The invention relates to a device and a method for effectively controlling the proton beam emittance after a power down device. The device comprises a first collimator, a first collimator bracket, double disc compact energy modulation disk, second collimator, second collimator stent; the first collimator by particle first collimation frame is arranged on the double disc compact disc energy modulation beam end second collimator by particle first collimation frame is arranged on the double compact disc energy modulation disk beam exit end. The invention can use in reducing collimator device of beam path before and after the placement of two different structures, reducing the effective control of particle beam radiation of different energy degrees is through a simple structure, placed in the degrader, convenient operation, easy to radiation protection and shielding agent amount, is an effective the compact control emittance degrader solutions.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于粒子加速器技术和粒子治疗领域,具体涉及一种用于有效控制降能器后质子束流发射度的方法。
技术介绍
在粒子加速器领域,尤其是用于质子和重离子治疗的加速器
,为了降低设备造价成本,多数采用紧凑型固定能量加速器作为粒子源,为了改变从加速器引出的粒子束的能量,实现粒子束在人体内病灶的不同照射深度,通常利用降能器装置来实现。如图5所示,一套质子治疗系统包括1回旋加速器,2降能器,3束流线,4旋转机架治疗头等四个部分组成。粒子束在穿过降能器后,除了产生能量衰减外,还会因为在物体块内的不断碰撞散射,造成发射度的急剧增加。通常是采用在降能器后通过安装准直器或者分析磁铁等方式,对穿过降能器的束流进行杂散束流拦截和束流偏转分析。以控制粒子束的束流发射度,提高束流品质。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种有效控制降能器后质子束流发射度的方法,通过利用安装在降能器内部的两个结构不同的准直器方式,实现对粒子束穿过降能器前后的发射度有效控制。本专利技术涉及一种有效控制降能器后质子束流发射度的方法,可用于质子和重离子治疗时,为束流输运线上,穿过降能器的不同能量的粒子束提供一种有效的发射度控制方法。为了实现这个目的,需要在降能器内部,粒子束路径上安放两个结构不同的准直器,以控制束流的发射度变化。本专利技术装置包括:一对紧凑型双盘螺旋式旋转机构,双盘采用等直径、等中心结构方式,紧凑型对称安装,每个盘上安放一组不同厚度的物体块,两套独立电机旋转和支撑机构,在装置上安放有相应的位置测量和定位装置(未图示),在双盘前后安放两个结构不同的准直器。本专利技术提供了一种有效控制 ...
【技术保护点】
一种有效控制降能器后质子束流发射度的装置,其特征在于:所述装置包括:第一准直器,第一准直器支架,双盘紧凑型能量调制盘,第二准直器,第二准直器支架;其中,第一准直器通过第一准直架安装在双盘紧凑型能量调制盘的粒子束入射端,第二准直器通过第一准直架安装在双盘紧凑型能量调制盘的粒子束出射端。
【技术特征摘要】
1.一种有效控制降能器后质子束流发射度的装置,其特征在于:所述装置包括:第一准直器,第一准直器支架,双盘紧凑型能量调制盘,第二准直器,第二准直器支架;其中,第一准直器通过第一准直架安装在双盘紧凑型能量调制盘的粒子束入射端,第二准直器通过第一准直架安装在双盘紧凑型能量调制盘的粒子束出射端。2.如权利要求1所述的有效控制降能器后质子束流发射度的装置,其特征在于:所述双盘紧凑型能量调制盘中,双盘采用等直径、等中心结构方式,紧凑型对称安装,每个盘上安装一组不同厚度的物体块。3.如权利要求2所述的有效控制降能器后质子束流发射度的装置,其特征在于:所述物体块的材料为石墨。4.如权利要求1所述的有效控制降能器后质子束流发射度的装置,其特征在于:所述装置进一步包括位置测量和定位装置。5.如权利要求2所述的有效控制降能器后质子束流发射度的装置,其特征在于:所述物体块的数量为10-20个。6.如权利要求1所述的有效控制降能器后质子束流发射度的装置,其特征在于:所述双盘紧凑型能量调制盘包括如下结构:第一旋转电机,第一旋转支撑盘,第一组物体块,第二旋转电机,第二旋...
【专利技术属性】
技术研发人员:管锋平,魏素敏,王飞,
申请(专利权)人:中国原子能科学研究院,
类型:发明
国别省市:北京;11
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