The utility model relates to a high-efficiency isolating circuit, which comprises an isolating MOSFET switch (2), a current sampling circuit (3), a driving circuit (4), a first auxiliary power supply circuit (5) and a secondary auxiliary power supply circuit (6). The current sampling circuit (3) real-time sampling DC/DC converter (1) and the output to the drive circuit (4), MOSFET (2) of the isolation switch source and drain is connected in series with the DC/DC converter (1) output line. When the sampling current is greater than or equal to the current set value, the drive circuit (4) generates drive signals, the isolating switch of MOSFET (2) conducted; when the sampling current is less than the current set value, the drive circuit (4) MOSFET (2) of the isolation switch is turned off, and by isolating the MOSFET switch (2). S1 output isolation diode. The first auxiliary power supply circuit (5) provides positive bias for the opening of the isolated MOSFET switch (2). The second auxiliary power supply circuit (6) provides positive bias for the drive circuit (4).
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种隔离电路,可应用于航天电子产品中多DC/DC模块并联条件下高可靠高效率输出的隔离控制,其也广泛应用于地面电子设备中的隔离控制。
技术介绍
目前,存在多种解决多DC/DC变换器输入或输出并联隔离的技术。通常做法是采用二极管进行隔离,二极管隔离具有简单可靠的特点,但是对于低压或大电流DC/DC变换器的应用场合,由于二极管的导通压降过高,造成这种隔离方式效率低、热耗大,对产品的可靠性影响较大。为了解决这一问题,需要采用更为高效的隔离方式。肖特基二极管(schottky)的典型压降为0.3V~1V(根据不同的厂家和型号,schottky的正向压降也不一样),由此在采用肖特基二极管进行隔离时,导通损耗会很高。为了降低导通损耗,通常会采用导通电阻低的功率MOSFET(导通电阻一般小于10mΩ)代替肖特基二极管(schottky)作为隔离管使用,从而有效减少导通损耗。以10A为例,用功率MOSFET隔离压降可低于0.1V,极大的提高了系统效率。但是,对于多DC/DC变换器输入或输出并联的情况,当某一变换器输出电压低于其它变换器或者发生故障的情况下,采用功率MOSFET隔离容易发生电流倒灌现象,可能造成系统崩溃。因此,若想既降低隔离损耗又保证隔离可靠性,就需要设计专门的隔离电路。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供了一种高效隔离电路,在电流大于设定值时(可调节)采用MOSFET导通,在电流小于设定值或反向时关断MOSFET而采用体二极管直接隔离,由此既能够提高多变换器模块并联系统的效率,也能够有效防止电流倒灌,从而在故障发生 ...
【技术保护点】
一种高效隔离电路,其特征在于:包括隔离MOSFET开关(2)、电流采样电路(3)、驱动电路(4)、第一辅助电源电路(5)和第二辅助电源电路(6),所述的电流采样电路(3)实时采样DC/DC变换器(1)的输出电流并送至驱动电路(4),隔离MOSFET开关(2)的源极和漏极串接在DC/DC变换器(1)的输出正线上,当采样电流大于等于电流设定值时,驱动电路(4)产生开驱动信号至隔离MOSFET开关(2)的栅极使其导通;当采样电流小于电流设定值时,驱动电路(4)产生关驱动信号至隔离MOSFET开关(2)的栅极使其关断,并通过隔离MOSFET开关(2)的体二极管S1进行输出隔离;第一辅助电源电路(5)的输出回线与DC/DC变换器(1)的输出正线共地为隔离MOSFET开关(2)的开通提供正偏压;第二辅助电源电路(6)的输出回线与DC/DC变换器(1)的输出回线共地,为驱动电路(4)提供正偏压。
【技术特征摘要】
1.一种高效隔离电路,其特征在于:包括隔离MOSFET开关(2)、电流采样电路(3)、驱动电路(4)、第一辅助电源电路(5)和第二辅助电源电路(6),所述的电流采样电路(3)实时采样DC/DC变换器(1)的输出电流并送至驱动电路(4),隔离MOSFET开关(2)的源极和漏极串接在DC/DC变换器(1)的输出正线上,当采样电流大于等于电流设定值时,驱动电路(4)产生开驱动信号至隔离MOSFET开关(2)的栅极使其导通;当采样电流小于电流设定值时,驱动电路(4)产生关驱动信号至隔离MOSFET开关(2)的栅极使其关断,并通过隔离MOSFET开关(2)的体二极管S1进行输出隔离;第一辅助电源电路(5)的输出回线与DC/DC变换器(1)的输出正线共地为隔离MOSFET开关(2)的开通提供正偏压;第二辅助电源电路(6)的输出回线与DC/DC变换器(1)的输出回线共地,为驱动电路(4)提供正偏压。2.根据权利要求1所述的一种高效隔离电路,其特征在于:所述的驱动电路(4)包括三极管Q1、三极管Q2、电阻R3、电阻R5、二极管D1、稳压管V1,三极管Q1的集电极接电阻R3的一端,电阻R3的另一端同时接隔离MOSFET开关(2)的栅极和电阻R5...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭晓峰,杜青,张利新,蔡晓东,夏宁,高战蛟,
申请(专利权)人:北京卫星制造厂,
类型:发明
国别省市:北京;11
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